与真空处理环境连通的开口打开保持另一个开口密封，从而实现第二室内的环境切换。
[0065]上述步骤完成了一片基片的处理过程。在实际应用中，如图3a?3e所示，为提高工作效率，多片不同基片同时由真空锁系统及真空处理环境进行处理，因此步骤SI中第二机械手将真空处理环境处理的基片W2’放置在第一支撑件上之前，先要由第一机械手拾取第一支撑件上的另一已经由第一室处理的基片Wl"。同样的，在步骤S3中第一机械手拾取基片W2’经第一室处理后的W2"之后，第二机械手将真空处理环境处理的另一基片W3’放置在第一支撑件上。而在步骤S4中，第一机械手继续将拾取的基片W2"传送到第二支撑件的同时，第二机械手也可将第二支撑件上另一来自大气气氛环境的未处理基片W4传送到真空处理环境中。
[0066]若利用双真空锁系统进行基片处理，则第一机械手和第二机械手均为双臂机械手，以在上述步骤S1、S3和步骤S4中分别在两个基片支撑组件和真空处理环境之间，以及两个基片支撑组件的第一和第二支撑件之间，进行同步的基片传送动作。
[0067]虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
【主权项】
1.一种传送基片的真空锁系统，包含: 腔室主体，其包括垂直堆叠的第一室和第二室，其中所述第二室侧壁上形成可选择性地连接至大气气氛环境或真空处理环境的两个开口，所述第一室用于对置于其中的基片进行等离子体处理，其具有与所述第二室连通的底部开口 ； 基片支撑组件，以可升降的方式设置于所述腔室主体中，其包括垂直堆叠的分别用于承载基片的第一支撑件和第二支撑件，以及位于所述第一支撑件和第二支撑件之间的、尺寸大于所述第一支撑件的隔离板； 升降机构，用于驱动所述基片支撑组件在一第一位置和一第二位置之间移动，所述第一位置为所述隔离板密封所述第一室的底部开口、所述第一支撑件置于所述第一室内且所述第二支撑件对应所述第二室侧壁上形成的两个开口处，所述第二位置为所述第一支撑件对应所述第二室侧壁上形成的两个开口处。2.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，当所述基片支撑组件位于所述第一位置时，通过所述第二室将经所述第一室处理的基片传送至所述大气气氛环境以及将来自所述大气气氛环境的基片传送至所述真空处理环境；当所述基片支撑组件位于所述第二位置时，将所述第一支撑件上完成等离子体处理的基片移出并将经所述真空处理环境处理的基片传送至所述第一支撑件。3.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，还包括由所述升降机构驱动且可相对该基片支撑组件移动的升降销组件；当该基片支撑组件位于所述第二位置时，所述升降销组件下端抵靠于所述第二室底部、上端位于所述第一支撑件上方以抬起其上的基片，当该基片支撑组件位于所述第一位置时，所述升降销组件下端悬空、上端位于所述第一支撑件下方。4.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二室具有以开闭的方式对所述两个开口进行密封的门阀机构，以使所述第二室可选择性地连接至大气气氛环境或真空处理环境。5.根据权利要求4所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一室和第二室各自具有排气装置以独立控制其中的压力，使得所述第一室在真空环境下对其中的基片进行等离子体处理，所述第二室在向所述大气气氛环境传送基片时切换为大气气压环境，在向所述真空处理环境传送基片时切换为真空环境。6.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一支撑件具有加热器，用于加热放置于所述第一支撑件上的基片；所述加热器通过一绝热件与所述隔离板隔离。7.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一室为祛光刻胶等离子体处理室。8.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二支撑件具有上下设置的两层插槽，以分别放置两片基片，其中一层插槽用于放置来自所述大气气氛环境的基片，另一层插槽用于放置经所述第一室处理完毕的基片。9.根据权利要求1-8中任一项所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁系统一侧与真空环境的机械手工作腔相连，另一侧与大气气氛环境中的机械手工作腔相连。10.根据权利要求9所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁系统为两个，两个所述真空锁系统相邻并行排列且其第一室共用排气装置。11.根据权利要求9或10所述的真空锁系统，其特征在于， 所述真空环境的机械手工作腔内包括第一机械手和第二机械手，所述第一机械手和第二机械手用于在所述基片支撑组件和所述真空处理环境之间，以及在所述基片支撑组件的第一支撑件和第二支撑件之间传送基片； 所述大气气氛环境中的机械手工作腔包括第三机械手和第四机械手，所述第三机械手和所述第四机械手用于在所述第二支撑件和所述大气气氛环境之间传送基片。12.根据权利要求11所述的真空锁系统，其特征在于，当所述真空锁系统为两个时，所述第一机械手和所述第二机械手均为双臂机械手。13.一种基片处理方法，为利用如权利要求1?8任一项所述的真空锁系统所进行的基片处理方法，其包括: 步骤S1:将所述基片支撑组件下降至所述第二位置，将所述真空处理环境处理的基片放置在所述第一支撑件上； 步骤S2:将所述基片支撑组件上升至所述第一位置，通过所述真空锁系统的第一室对放置在其中的经所述真空处理环境处理的基片进行等离子体处理； 步骤S3:将所述基片支撑组件下降至所述第二位置；拾取所述第一支撑件上经所述第一室处理完成的基片传送至所述第二支撑件； 步骤S4:将所述基片支撑组件上升至所述第一位置，将经所述第一室处理完成的基片通过所述真空锁系统的第二室传送至所述大气气氛环境，通过所述真空锁系统的第二室将来自所述大气气氛环境的另一基片传送至所述真空处理环境。14.根据权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于， 所述步骤SI和S3中所述第二室内为真空环境，其中步骤SI中，通过第二机械手将所述真空处理环境处理的基片放置在所述第一支撑件上；步骤S3中，通过第一机械手拾取所述第一支撑件上的经所述第一室处理完成的基片； 步骤S4中将经所述第一室处理完成的基片传送至所述大气气氛环境以及通过所述真空锁系统的第二室将来自所述大气气氛环境的另一基片传送至所述真空处理环境的步骤包括: 通过所述第一机械手将经其已拾取的经所述第一室处理完成的基片放置于所述第二支撑件； 切换所述第二室内为大气压环境，之后通过第三机械手拾取该第二支撑件上的经所述第一室处理完毕的基片并传送至所述大气气氛环境，通过第四机械手将来自所述大气气氛环境的另一未处理基片放置于所述第二支撑件； 切换所述第二室内为真空环境。15.根据权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于，所述真空锁系统为两个，两个所述真空锁系统相邻并行排列且其第一室共用排气装置，所述第一机械手和所述第二机械手均为双臂机械手，以在步骤SI，S3和S4中分别在两个所述真空锁系统的基片支撑组件和所述真空处理环境之间，以及在两个所述基片支撑组件的第一支撑件和第二支撑件之间同步进行基片传送动作。
【专利摘要】本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、基片支撑组件和升降机构。腔室主体包括第一室和第二室，第二室侧壁上形成可选择地连接至大气气氛环境或真空处理环境的两个开口，第一室对置于其中的基片进行等离子体处理。基片支撑组件可升降的设置于腔室主体中，包括垂直堆叠的隔离板和承载基片的第一支撑件和第二支撑件。升降机构驱动基片支撑组件在第一位置和第二位置之间移动，该第一位置为隔离板密封第一室的底部开口、第一支撑件置于第一室内且第二支撑件对应第二室侧壁上的两个开口处；第二位置为第一支撑件对应两个开口处。本发明能够提高基片处理效率，减轻传送机器人的运动负担。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN105575848
【申请号】CN201410553794
【发明人】雷仲礼, 刘身健
【申请人】中微半导体设备(上海)有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月17日