OLED器件11形成无机保护层12，具体包括:以化学气相法沉积氧化硅形成无机保护层12，或以氧化铝为原料采用原子沉积法、磁控溅射法形成无机保护层12。
[0021]在柔性基板10上对应OLED器件11区域的四周形成闭合的围堰膜层13，具体包括:以丝网印刷工艺在OLED器件11区域的四周形成闭合的围堰膜层13。为了更好的防止水分侵入，在本实施例中，围堰膜层13的宽度为0.5?1.5皿1，高度为50?ΙΟΟμπι。
[0022]在围堰膜层13和无机保护层12之间形成近OLED层，具体包括:利用点胶工具，在围堰膜层13和无机保护层12之间填充环氧树脂(也可以是上述的聚合物单体胶)，环氧树脂内掺入有粒径在12?34纳米之间的掺杂颗粒，所述掺杂颗粒是由氧化铝、氮化硅与三氧化二铽按4:3:1.5的质量比例混合而成，待环氧树脂在围堰内自由流动，形成均匀薄膜层，然用后激光束沿着薄膜层的轮廓扫描一周，使环氧树脂熔融，待其固化即形成近OLED层，并实现近OLED层与柔性基板10、无机保护层12及围堰膜层13的紧密连接；
在围堰膜层13和无机保护层12之间形成远OLED层，具体包括:利用点胶工具，在围堰膜层13和近OLED层之间填充环氧树脂(也可以是上述的聚合物单体胶)，环氧树脂内掺入有粒径在570?1200纳米之间的掺杂颗粒，所述掺杂颗粒是由氧化铝、氮化硅与三氧化二铽按5:2:2的质量比例混合而成，待环氧树脂在围堰膜层内自由流动，形成均匀薄膜层，然用后激光束沿着薄膜层的轮廓扫描一周，使环氧树脂快速固化，即形成远OLED层，并实现远OLED层与近OLED层、围堰膜层13的紧密连接；
所述掺杂颗粒在近OLED层与远OLED层中的质量浓度均一致，而且均处于0.025wt %与0.4wt %之间。所述激光的波长处于红外光或紫外光的范围内。
[0023]在填充膜层14之上形成球冠状的薄膜层，即微球冠层15，具体包括:在填充膜层14之上，使用点胶装置压力控制滴下合适粘度的环氧树脂胶或丙烯酸酯单体胶，形成球冠型的薄膜层，再通过UV光照或加热方式固化。
[0024]实施例二
本实施例属于双比实例，本发明的填充膜层上用实施例一的制作工艺制成，分为近OLED层与远OLED层，近OLED层与远OLED层均是在环氧树脂内添加0.32wt %的掺杂颗粒而制成，其中远OLED层内掺杂颗粒的粒径在570?1200纳米之间，近OLED层内掺杂颗粒的粒径在12?34纳米之间。远OLED层中的掺杂颗粒是由氧化铝、氮化硅与三氧化二铽按5: 2:2的质量比例混合而成;近OLED层中的掺杂颗粒是由氧化铝、氮化硅与三氧化二铽按4:3:1.5的质量比例混合而成。远OLED层与近OLED层的厚度一致(0.065 mm)，总厚度为0.155 mm。
[0025]为了形成对比效果，所述其他封装材料层也采用实施例一的制作工艺制成，分为近OLED层与远OLED层，近OLED层与远OLED层均是在环氧树脂内添加0.32wt%的掺杂颗粒而制成，其中远OLED层内掺杂颗粒的粒径在570?1200纳米之间，近OLED层内掺杂颗粒的粒径在12?34纳米之间。远OLED层中的掺杂颗粒是由氧化铝、氧化硅、氧化锌与三氧化二铽按1:1: 1:4的质量比例混合而成;近OLED层中的掺杂颗粒是由氧化铝、氮化硅与三氧化二铽按1:1:1:2的质量比例混合而成。远OLED层与近OLED层的厚度一致(0.065 mm)，总厚度为0.155mmD
[0026]将本发明填充膜层(取20cm2)以及所述其他封装材料层(也取20 cm2)进行O2的渗透实验。
[0027]未开始渗透前将本发明填充膜层与其他封装材料层加温到80°C时，将本发明填充膜层以及所述其他封装材料层分别放入气体室，用质谱仪检测两者O2的渗透情况。向气体室充入总压强为4 XlO4 Pa的O2。
[0028]渗透过程中质谱仪处O2的压强数值变化如图3所示，图中t=0时向气体室充入渗透气体。当O2渗透达到饱和时，质谱仪处02的分压强为4.6 X 10-7 Pa，C02的分压强为2.9 X10-6 Pa 。
[0029]以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的【具体实施方式】等记载可以用于解释权利要求的内容。
【主权项】
1.0LED器件的封装结构，其特征在于:包括柔性基板，设置于柔性基板上的OLED器件、无机保护层、围堰膜层以及填充膜层，围堰膜层呈环形，所述OLED器件、无机保护层与填充膜层均设于围堰膜层内，所述无机保护层与填充膜层依次包覆于所述OLED器件上，所述围堰膜层紧密贴合在所述填充膜层的周侧;所述无机保护层内掺入有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒为氧化铝、氮化硅与三氧化二铽的混合物。2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于:所述填充膜层分为近OLED层与远OLED层，近OLED层内掺杂颗粒的粒径在12?34纳米之间，远OLED层内掺杂颗粒的粒径在570?1200纳米之间。3.根据权利要求2所述的OLED器件的封装结构，其特征在于:所述围堰膜层的宽度为0.5?1.5 mm，高度为50?ΙΟΟμπι，围堰膜层采用光敏树脂，粘度为550000?650000mPa.S04.根据权利要求3所述的OLED器件的封装结构，其特征在于:所述掺杂颗粒在无机保护层与填充膜层中的质量浓度均介于0.0Olwt %与0.5wt %之间。
【专利摘要】本发明公开了一种封装结构，具体是OLED器件的封装结构。OLED器件的封装结构，包括柔性基板，设置于柔性基板上的OLED器件、无机保护层、围堰膜层以及填充膜层，围堰膜层呈环形，所述无机保护层内掺入有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒为氧化铝、氮化硅与三氧化二铽的混合物。本发明克服了现有技术中存在的经激光固化后的封装材料呈现黑色的技术缺陷，提供了一种通过改良封装材料，形成无色透明的OLED器件封装结构的OLED器件的封装结构。
【IPC分类】H01L51/52
【公开号】CN105576147
【申请号】CN201510914561
【发明人】鲁永忠
【申请人】重庆信德电子有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月13日