薄膜晶体管阵列及图像显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及薄膜晶体管阵列及图像显示装置。
【背景技术】
[0002]近年来，从挠性化、轻量化、低成本化等观点出发，使用了能够利用印刷法制造的有机半导体的薄膜晶体管的研究盛行，期待其在有机EL或电子纸等的驱动电路或者电子标签等中的应用。
[0003]薄膜晶体管是层叠导电体、绝缘体及半导体等而成的。薄膜晶体管阵列根据结构或用途而设有层间绝缘膜，介由设置于层间绝缘膜的通孔将上部的导电体与下部的导电体之间电连接。
[0004]为了制成层间绝缘膜，广泛使用下述方法:使用等离子体CVD对无机膜的氮化硅或氧化硅进行成膜，利用光致抗蚀剂形成所希望的开口部之后，利用干式刻蚀形成通孔。另外还有使用感光性树脂进行形成的方法。这些方法中，由于在通孔形成中使用光刻法，因此对于通过以低成本为目标的印刷法制造薄膜晶体管阵列的尝试，生产量或成本成为问题。
[0005]与此相对，专利文献I中记载了利用印刷法形成层间绝缘膜的方法。该方法中，在栅极绝缘膜的成膜之后利用喷墨法在要形成通孔的部分上涂布溶剂以将绝缘膜溶解，从而形成通孔。利用喷墨法将疏液油墨涂布于在通孔部中露出的导电体表面上来进行疏液化。进而，利用喷墨法在基板整面上印刷前体树脂并进行固化，从而形成层间绝缘膜。
[0006]另外，在专利文献2所记载的方法中，在对栅极绝缘膜进行成膜之后，利用喷墨法在要形成通孔的部分上涂布溶剂以将绝缘膜溶解，从而形成通孔。在通孔部中露出的导电体由于面积比开口部小，因此利用喷墨法在导电体表面上涂布疏液油墨来进行疏液化。进而，利用喷墨法在基板整面上印刷前体树脂并进行固化，从而形成层间绝缘膜。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献I:日本特开2012-64844号公报
[0010]专利文献2:日本特开2012-204657号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的技术问题
[0012]但是，专利文献I所记载的方法中由于在第一层间绝缘膜的成膜后涂布溶剂、进行通孔的开孔，因此在通孔部上易于残留第一层间绝缘膜的残渣、具有像素电极与漏电极的导通不充分的问题。
[0013]另外，专利文献2所记载的方法中虽然预先将通孔部的漏电极以小于第一层间绝缘膜的通孔尺寸的方式形成，但由于是利用真空成膜和光刻法进行的加工，因此与印刷法相比，在生产量和成本方面问题很大。
[0014]因此，本发明鉴于上述问题而作出，其目的在于提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法且层间绝缘膜的缺陷少的薄膜晶体管阵列及图像显示装置。
[0015]本发明对于鉴于上述问题的通孔的结构提供下述的结构和制造方法:在层间绝缘膜的漏电极部分预先开个开口，利用喷墨法向其中涂布疏液处理油墨，从而仅使漏电极的通孔部为疏液性，由此可以利用印刷法形成层间绝缘膜。
[0016]用于解决技术问题的方法
[0017]本发明一个方式的薄膜晶体管阵列是至少具备绝缘基板、栅电极、栅极绝缘膜、源电极、漏电极、半导体层、覆盖半导体层的保护层、像素电极、以及形成在漏电极与像素电极之间的层间绝缘膜的薄膜晶体管阵列，其中，层间绝缘膜是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜在形成有漏电极的位置的一部分具有通孔以使像素电极连接于漏电极，漏电极具有位于通孔内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔内的漏电极上存在硫醇基或二硫化物基。
[0018]另外，上述薄膜晶体管阵列中，通孔的开口端还可以存在于漏电极的端部或漏电极上。
[0019]另外，上述薄膜晶体管阵列中，层间绝缘膜的厚度可以为0.5μπι以上且5μπι以下。
[0020]另外，上述薄膜晶体管阵列中，层间绝缘膜还可利用喷墨印刷法、丝网印刷法或凹版胶印法形成。
[0021]另外，上述薄膜晶体管阵列中，半导体层还可以是有机半导体层。
[0022]另外，上述薄膜晶体管阵列中，绝缘基板还可以是塑料基板。
[0023]另外，本发明一个方式的图像显示装置是由上述薄膜晶体管阵列和图像显示介质构成的图像显示装置。
[0024]另外，上述图像显示装置中，上述图像显示介质可以是利用电泳方式的介质。
[0025]发明效果
[0026]根据本发明，可以提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列及图像显示装置。
【附图说明】
[0027]图1是表示本发明实施方式的薄膜晶体管阵列的结构的俯视图及截面图。
[0028]图2是表示实施例1的薄膜晶体管阵列的结构的俯视图及截面图。
[0029]图3是表示实施例1的漏电极的俯视图及截面图。
[0030]图4是表示实施例1的薄膜晶体管阵列的制造方法中从疏液处理到层间绝缘膜的形成为止的工序的截面图。
[0031]图5是表示比较例I的薄膜晶体管阵列的结构的俯视图及截面图。
【具体实施方式】
[0032]参照【附图说明】本发明的实施方式。以下参照的附图为了易于判断说明、并未准确地描述比例尺。另外，实施方式中对相同构成要素带有相同符号。
[0033]本实施方式的薄膜晶体管阵列50、51至少具备绝缘基板10、栅电极11、栅极绝缘膜
12、源电极13Β、漏电极14、半导体层15、覆盖半导体层15的保护层16、像素电极18、以及形成在漏电极14与像素电极18之间的层间绝缘膜17。栅电极11被栅极绝缘膜12覆盖。层间绝缘膜17为有机膜或有机与无机的混合膜。层间绝缘膜17在形成有漏电极14的位置的一部分具有通孔40以使像素电极18连接于漏电极14。在通孔40中埋设有导电材料。漏电极14具有位于通孔40内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔40内的漏电极14上存在硫醇基或二硫化物基。例如，通孔40的开口端存在于漏电极14的端部或漏电极14上。例如，层间绝缘膜17的厚度为0.5μπι以上且5μπι以下。例如，层间绝缘膜17利用喷墨印刷法、丝网印刷法或凹版胶印法形成。例如，半导体层15为有机半导体层。例如，绝缘基板10为塑料基板。
[0034]另外，本实施方式的图像显示装置具备本实施方式的薄膜晶体管阵列50、51和图像显示介质(例如图像显示面板)。例如，图像显示介质是利用电泳方式的介质。
[0035]另外，制造薄膜晶体管阵列50、51时，在漏电极14中的通孔形成预定部上预先开有开口，利用喷墨法在其上涂布疏液处理油墨。将疏液处理油墨仅成膜在通孔形成预定部的漏电极14上。由此，仅漏电极14上的所希望的区域变为疏液性，使用印刷法成膜的层间绝缘膜17选择性地不涂布在通孔形成预定部的漏电极14上。由此，可以使用印刷法在层间绝缘膜17上形成通孔40。
[0036]具体地说，图1表示本发明实施方式的薄膜晶体管阵列50的构成之一例。图1中上侦H己载俯视图、下侧记载截面图。这点在图2和图5中也一样。
[0037]薄膜晶体管阵列50在塑料基板10(绝缘基板)上具备栅电极11、电容器电极19、栅极绝缘膜12、源电极13Β、漏电极14、半导体层15、保护层16、层间绝缘膜17及像素电极18(上部像素电极)。源电极13Β及漏电极14形成在栅极绝缘膜12上并连接于半导体层15。薄膜晶体管阵列50中，保护层16由有机绝缘材料构成，按照将各半导体层15覆盖的方式形成为条纹状。进而，为了将像素电极18与漏电极14导通而开在层间绝缘膜17中的通孔40在漏电极14