薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示的技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)和彩色滤光片基板(color filter，CF)以及夹置在两者之间的液晶层(LC layer)。
[0003]人对显示面板的亮度要求随着环境光强度改变而变化，白天环境光较强时需要显示面板亮一些，而在晚上或在昏暗的房间内则显示面板的亮度可以降低一些。现有技术解决该问题的方法有:(I)、手动调节显示面板的亮度；(2)、外置半导体光传感器检测环境光亮度，再根据外置光传感器的检测结果调节显示面板的亮度。
[0004]然而，手动调整显示面板亮度，操作不方便，造成用户体验差；而通过外置半导体光传感器进行环境光亮度检测，导致成本较高。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，通过在显示面板中集成设置光探测器检测环境光的亮度，并自动调节背光的亮度，实现白天或晚上显示面板亮度的自动切换。
[0006]本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括:
[0007]衬底；
[0008]形成在所述衬底上的扫描线、栅电极和存储电容电极线，所述栅电极与所述扫描线电连接；
[0009]覆盖在所述扫描线、所述栅电极和所述存储电容电极线上的栅绝缘层；
[0010]形成在所述栅绝缘层上的半导体层、数据线、源电极和漏电极，其中所述扫描线与所述数据线交叉限定多个像素区域，每个像素区域内形成有像素电极，所述半导体层具有第一区域，所述源电极和所述漏电极相互间隔且均与所述半导体层的第一区域接触，所述源电极与所述漏电极之一与所述数据线电连接，所述源电极与所述漏电极之另一与所述像素电极电连接；
[0011]所述栅绝缘层上还形成有第一电极、第二电极和电极引线，所述半导体层还具有第二区域，所述第一电极和所述第二电极相互间隔且均与所述半导体层的第二区域接触，所述第一电极、所述半导体层的第二区域与所述第二电极之间形成金属-半导体-金属结构的光探测器，所述栅绝缘层中形成有过孔，所述第一电极与所述第二电极之一与所述电极引线相连并通过所述电极引线引出，所述第一电极与所述第二电极之另一通过所述过孔与所述存储电容电极线电连接。
[0012]进一步地，所述光探测器的数量为多个，分布在所述衬底上。
[0013]进一步地，所述第一电极与所述电极引线相连并通过所述电极引线引出连接至第一公共电位，所述第二电极通过所述过孔与所述存储电容电极线电连接，所述第二电极通过所述存储电容电极线连接至第二公共电位。
[0014]进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构，两条相邻数据线之间设有两列像素电极，每条数据线与位于该条数据线两侧的两列像素电极相连，上下相邻两行的像素电极之间设有两条紧邻的扫描线，同一行的像素电极连接在位于该行像素电极上下两侧的两条扫描线上，所述光探测器设置在两条相邻数据线之间的两列像素电极之间。
[0015]进一步地，每个像素区域内均设置有一个所述光探测器，且所有光探测器均位于每两条相邻数据线之间的两列像素电极之间，位于同一列上的光探测器通过同一条电极引线引出。
[0016]进一步地，所述半导体层采用非晶硅层。
[0017]进一步地，所述半导体层还包括掺杂非晶硅层;所述半导体层的第一区域和所述半导体层的第二区域均形成有所述非晶硅层和所述掺杂非晶硅层，或者所述半导体层的第一区域形成有所述非晶硅层和所述掺杂非晶硅层，而所述半导体层的第二区域仅形成有所述非晶硅层。
[0018]本发明实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的薄膜晶体管阵列基板，并包括如下步骤:
[0019]在所述衬底上沉积第一金属层，并利用蚀刻工艺对所述第一金属层进行蚀刻图形化以制作形成所述扫描线、所述栅电极和所述存储电容电极线；
[0020]在所述衬底上沉积形成所述栅绝缘层，其中所述栅绝缘层覆盖所述扫描线、所述栅电极和所述存储电容电极线；
[0021]在所述栅绝缘层上沉积半导体材料薄膜，并利用蚀刻工艺对所述半导体材料薄膜进行蚀刻图形化以制作形成所述半导体层；
[0022]利用蚀刻工艺对所述栅绝缘层进行蚀刻图形化以在所述栅绝缘层中制作形成所述过孑L;
[0023]在所述栅绝缘层上沉积第二金属层，并利用蚀刻工艺对所述第二金属层进行蚀刻图形化以制作形成所述数据线、所述源电极、所述漏电极、所述第一电极、所述第二电极和所述电极引线，其中所述第一电极与所述第二电极之一与所述电极引线相连并通过所述电极引线引出，所述第一电极与所述第二电极之另一填入所述过孔中与所述存储电容电极线电连接；
[0024]在每个像素区域内制作形成所述像素电极。
[0025]本发明实施例还提供一种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板以及夹置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层，所述彩色滤光片基板上形成有遮光层，所述薄膜晶体管阵列基板为上述的薄膜晶体管阵列基板，所述遮光层与每个光探测器的沟道区相对应的位置形成缺口。
[0026]进一步地，所述液晶显示面板还包括背光控制器和背光源，所述背光控制器与所述光探测器及所述背光源连接，所述背光控制器根据所述光探测器的检测结果自动调整所述背光源的亮度。
[0027]本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，将金属-半导体-金属结构的光探测器直接集成设置在薄膜晶体管阵列基板上，利用光探测器检测环境光亮度，根据检测结果自动调整背光亮度，从而实现白天或晚上显示面板亮度的自动切换。本实施例利用普通的TFT制程，即可同步制作形成金属-半导体-金属结构的光探测器，实现显示和环境光检测一体化，无需增加额外器件，降低成本。
[0028]另外，薄膜晶体管阵列基板通过采用双扫描线像素阵列架构，光探测器以小尺寸的金属-半导体-金属(MSM)架构分散形成在显示区，光探测器的两个电极中，一个电极走线在未设置数据线的两列子像素之间，另一个电极走线通过存储电容电极线，虽然光探测器形成在显示区，但并未影响显示面板的开口率，本实施例将光探测器放置在显示区，不会影响周边非显示区的线路排布，有利于实现窄边框设计。
【附图说明】
[0029]图1为金属-半导体-金属结构(MSM)的结构示意图。
[°03°]图2为金属-半导体-金属结构(MSM)的光检测原理示意图。
[0031]图3为本发明第一实施例中薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。
[0032]图4为图3中沿IV-1V线的剖面示意图。
[0033]图5为图3中沿V-V线的剖面示意图。
[0034]图6为图3中的薄膜晶体管阵列基板的等效电路图。
[0035]图7为本发明第二实施例中薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。
[0036]图8为图7中沿VII1-VIII线的剖面示意图。
[0037]图9为本发明实施例中液晶显示面板的背光控制系统的模块示意图。
【具体实施方式】
[0038]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0039]金属-半导体-金属结构(Metal-Semiconductor-Metal，MSM)的光探测器，可以实现将光信号转换为电流信号。如图1与图2所示，在衬底11上形成半导体材料层12，在半导体材料层12上沉积形成一对电极13、14，即形成金属-半导体-金属结构的光探测器。图示中，两个电极13、14为金属叉指形状。当适当波长的光入射至该光探测器时，半导体材料