一种InGaN太阳能电池组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是一种太阳能电池组件，具体涉及一种InGaN太阳能电池组件。
【背景技术】
[0002]太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池” “，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。
[0003]传统的硅基太阳能电池受禁带宽度等原因导致其转换效率不高，成本比较高，使用效果不佳，实用性不强。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种InGaN太阳能电池组件，结构简单，重量轻，成本低，转换效率高，体积小。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种InGaN太阳能电池组件，包括基板 1、LT-GaN 层、n-GaN 层、n-1nGaN 层、1-1nGaN 层、p-1nGaN 层、p-GaN层、抗反射膜、Ni/Au电极9和Ti/Al/Au电极，基板上右下至上依次设置有LT-GaN层、n_GaN层、n-1nGaN层、i_InGaN层、p-1nGaN层、p-GaN层、抗反射膜8，所述的抗反射膜上设置有Ni/Au电极，所述的n-GaN层上设置有Ti/Al/Au电极。
[0006]作为优选，所述的n-GaN层3为2 μ m。
[0007]作为优选，所述的n-1nGaN层4为200nm。
[0008]作为优选，所述的1-1nGaN层5为150nm。
[0009]作为优选，所述的p-1nGaN层6为50nm。
[0010]作为优选，所述的p-GaN层7为20nm。
[0011]本实用新型的有益效果:降低了表面复合，在一定程度上提高了电池的短路电流和开路电压；并减少了 InGaN层的厚度，在一定程度上提高了 InGaN层的质量。
【附图说明】
[0012]下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本实用新型；
[0013]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0015]参照图1，本【具体实施方式】采用以下技术方案:一种InGaN太阳能电池组件，包括基板 1、LT-GaN 层 2、n-GaN 层 3、n-1nGaN 层 4、1-1nGaN 层 5、p-1nGaN 层 6、p-GaN 层 7、抗反射膜8、Ni/Au电极9和Ti/Al/Au电极10，基板I上右下至上依次设置有LT-GaN层2、n-GaN 层 3、n-1nGaN 层 4、1-1nGaN 层 5、p-1nGaN 层 6、p-GaN 层 7、抗反射膜 8，所述的抗反射膜8上设置有Ni/Au电极9，所述的n-GaN层3上设置有Ti/Al/Au电极10。
[0016]值得注意的是，所述的n-GaN层3为2 μ m。
[0017]值得注意的是，所述的n-1nGaN层4为200nm。
[0018]值得注意的是，所述的1-1nGaN层5为150nm。
[0019]值得注意的是，所述的p-1nGaN层6为50nm。
[0020]此外，所述的p-GaN层7为20nm。
[0021]本【具体实施方式】由于量子阱中InGaN层薄，所以量子阱中InGaN的质量比薄膜单晶InGaN的质量要好；这样量子阱中InGaN的In组分就可以高一些，降低InGaN合金的禁带宽度，进而增加InGaN层对光的吸收。
[0022]本【具体实施方式】结构简单，重量轻，成本低，转换效率高，体积小。
[0023]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，包括基板(I)、LT-GaN层(2)、n-GaN层(3)>n-1nGaN 层(4)、i_InGaN 层(5)、p_InGaN 层(6)、p_GaN 层(7)、抗反射膜(8)、Ni/Au 电极(9)和Ti/Al/Au电极(10)，基板I上右下至上依次设置有LT-GaN层(2)、n_GaN层(3)、n-1nGaN 层(4)、1-1nGaN 层(5)、p-1nGaN 层(6)、p-GaN 层(7)、抗反射膜(8)，所述的抗反射膜(8)上设置有Ni/Au电极(9)，所述的n-GaN层(3)上设置有Ti/Al/Au电极(10)。
2.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，所述的n_GaN层(3)为2 μπ?ο
3.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，所述的n-1nGaN层(4)为200nm。
4.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，所述的i_InGaN层(5)为150nm。
5.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，所述的p-1nGaN层(6)为50nm。
6.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，所述的p-GaN层(7)为20nm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种InGaN太阳能电池组件，它涉及一种太阳能电池组件。它包括基板1、LT-GaN层、n-GaN层、n-InGaN层、i-InGaN层、p-InGaN层、p-GaN层、抗反射膜、Ni/Au电极9和Ti/Al/Au电极，基板上右下至上依次设置有LT-GaN层、n-GaN层、n-InGaN层、i-InGaN层、p-InGaN层、p-GaN层、抗反射膜8，所述的抗反射膜上设置有Ni/Au电极，所述的n-GaN层上设置有Ti/Al/Au电极。本实用新型的有益效果：降低了表面复合，在一定程度上提高了电池的短路电流和开路电压；并减少了InGaN层的厚度，在一定程度上提高了InGaN层的质量。
【IPC分类】H01L31-0352
【公开号】CN204391128
【申请号】CN201520104013
【发明人】张富春, 崔红卫, 张威虎
【申请人】延安大学
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年2月11日