增加散热效能的功率元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体元件，具体地，涉及一种增加散热效能的功率元件。
【背景技术】
[0002]在功率元件模块封装应用中，电流通过整体元器件模块的阻抗便会产生热，此热能若不及时排除便会造成元件温度升高之现象。元件温度升高，会使其中的阻抗跟着上升，进而产生更多的热，如此周而复始，便容易使元件产生雪崩现象。一个好的功率元件模块封装必须能将元件运作时产生的热及时导出、排除。然而，现有功率元件模块封装系列皆存在散热效能不佳的情况。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种增加散热效能的功率元件，其增加其散热效能，进而避免元件产生雪崩现象。
[0004]根据本实用新型的一个方面，提供一种功率元件，其特征在于，包括芯片、焊料层、多个导电板、陶瓷层、第一焊接点、第一引线、第二引线、第二焊接点，焊料层位于芯片和导电板之间，导电板位于陶瓷层的上方，第一焊接点位于芯片上，第一引线与第一焊接点连接，第二焊接点位于导电板上，第二引线的一端与第一焊接点连接，第二引线的另一端与第二焊接点连接。
[0005]优选地，所述陶瓷层的材料为氧化铝或氮化铝。
[0006]优选地，所述导电板链接到漏极或/和源极。
[0007]优选地，所述导电板的材料为铜或金或银或铜或铁或不锈钢。
[0008]优选地，所述导电板为散热基板。
[0009]优选地，所述陶瓷层的宽度大于导电板的宽度。
[0010]与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果:本实用新型将原本的散热基板分为多块(块数不限)，大部分的散热基板链接到漏极维持其原有的散热功效。小部分的散热基板用于链接到源极使芯片表面金属及PN结(PN-junct1n)在功率元件运作时产生的热能经由此处快速有效的导出，以达到功率元件不升温的目标，维持功率元件阻抗不变，避免雪崩现象产生，进而提升整体模块的转换效率，及其产品验证可靠性。
【附图说明】
[0011]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0012]图1为本实用新型增加散热效能的功率元件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。
[0014]如图1所示，本实用新型增加散热效能的功率元件包括芯片1、焊料层2、多个导电板3、陶瓷层4、第一焊接点5、第一引线6、第二引线7、第二焊接点8，焊料层2位于芯片I和导电板3之间，导电板3位于陶瓷层4的上方，第一焊接点5位于芯片I上，第一引线6与第一焊接点5连接，第二焊接点8位于导电板3上，第二引线7的一端与第一焊接点5连接，第二引线7的另一端与第二焊接点8连接。陶瓷层的材料为氧化铝或氮化铝。导电板3链接到漏极或/和源极。导电板的材料为铜或金或银或铜或铁或不锈钢。导电板为散热基板。陶瓷层4的宽度大于导电板的宽度，这样稳定性。
[0015]本实用新型通过多个导电板可将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)模块中元件初始产生的热及时排除，避免IGBT模块整体温度上升，保持电源元件及其他元件在低温环境运行，维持其固定阻抗及较高的电源转换效率，同时避免因高温而损坏，维持电源元件在低温运行避免雪崩现象以达到保护元件之功效，延长整体模块的使用寿命。本实用新型可及时把热能排除，使产品能在较大温度范围的环境里进行操作。本实用新型的稳定的模块元件阻抗可以产生较好的可靠性。本实用新型能将元件运作时产生的热及时导出和排除。
[0016]以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。
【主权项】
1.一种增加散热效能的功率元件，其特征在于，包括芯片、焊料层、多个导电板、陶瓷层、第一焊接点、第一引线、第二引线、第二焊接点，焊料层位于芯片和导电板之间，导电板位于陶瓷层的上方，第一焊接点位于芯片上，第一引线与第一焊接点连接，第二焊接点位于导电板上，第二引线的一端与第一焊接点连接，第二引线的另一端与第二焊接点连接。2.根据权利要求1所述的增加散热效能的功率元件，其特征在于，所述陶瓷层的材料为氧化铝或氮化铝。3.根据权利要求1所述的增加散热效能的功率元件，其特征在于，所述导电板链接到漏极或/和源极。4.根据权利要求1所述的增加散热效能的功率元件，其特征在于，所述导电板的材料为铜或金或银或铜或铁或不锈钢。5.根据权利要求1所述的增加散热效能的功率元件，其特征在于，所述导电板为散热基板。6.根据权利要求1所述的增加散热效能的功率元件，其特征在于，所述陶瓷层的宽度大于导电板的宽度。
【专利摘要】本实用新型提供了一种增加散热效能的功率元件，包括芯片、焊料层、多个导电板、陶瓷层、第一焊接点、第一引线、第二引线、第二焊接点，焊料层位于芯片和导电板之间，导电板位于陶瓷层的上方，第一焊接点位于芯片上，第一引线与第一焊接点连接，第二焊接点位于导电板上，第二引线的一端与第一焊接点连接，第二引线的另一端与第二焊接点连接。本实用新型增加散热效能，进而避免元件产生雪崩现象。
【IPC分类】H01L23/367
【公开号】CN204885135
【申请号】CN201520564694
【发明人】廖奇泊, 周雯
【申请人】上海晶亮电子科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月30日