线图是设计图，而印刷电路已经是印刷在 陶瓷基板上的实际导电电路，本实用新型案例用于印刷电路的导电材料为含银材料；在图 7所示中相关指定位置，用银胶将合适电阻值的R1 (标注为R1左边的实心长方块）和Res (标注为Res右边的实心长方块）固定在指定位置，进行烘烤固化；
[0077] 第二步，固晶工艺流程：
[0078] 在如图7所示相关位置，将设定数量的裸晶发光二极管（LED)用导热绝缘材料固 定在指定位置，并进行烘烤固化，本实用新型案例使用上述导热绝缘材料是导热硅胶，然 后，在如图7所示相关位置，用导热导电材料将四个裸晶整流二极管(标注为MB6S字母周 边四个实心小方块)、一个裸晶线性驱动1C芯片（标注为RC001B字母上方的一个实心小方 块)、一个裸晶MOSFET (标注为M0S字母上方的实心方块）固定在指定位置，并进行烘烤固 化，本实用新型案例中上述导热导电材料为银胶；
[0079] 第三步，焊线工艺流程：
[0080] 在上述已经完成对裸晶LED、裸晶线性驱动1C芯片及其它裸晶器件固晶的基板 上，如?图7所示，在各器件的指定位置上，焊接导电导线，以连接基板上的印刷电路线路， 完成基板上的全部电路接通，本实用新型案例中上述导电导线使用金线；
[0081] 第四步，测试工艺流程：
[0082] 在已经完成上述工艺流程的基板上，接通220V电压的电源线，确认已完成工艺流 程达到要求，同时，通过测试获取相关光学和电学参数，验证产品是否达到所设计的要求；
[0083] 第五步，围坝工艺流程：
[0084] 在完成上述所有工艺流程并测试合格后，如图7所示，在上述基板上使用导热绝 缘不透明材料注在设定位置上，制成直径为24mm的外圈层和直径为7mm的内圈层，圈层高 度大约为1mm，然后进行烘烤固化；本实用新型案例中所述导热绝缘不透明材料为导热不 透明硅胶；另外设定内圈层同时覆盖住裸晶线性驱动1C芯片表面也是解决裸晶1C芯片表 面需要覆盖的方法之一；
[0085] 第六步，点胶工艺流程：
[0086] 按设计要求和公知流程配制含相关比例荧光粉的导热绝缘透明材料，在上述已完 成围坝的基板上，使用所述含荧光粉的导热绝缘透明材料注入在内外圈层形成的空间内至 圈层高度，如图8所示，并进行烘烤固化，本实用新型实施案例中所述含荧光粉的导热绝缘 透明材料为含荧光粉的导热透明硅胶；
[0087] 第七步，分板和测试工艺流程：
[0088] 本实用新型案例中由四个单位基板连接成一片同时完成上述流程，再将上述四个 单位基板进行分板，即每个单位基板不再和其它单位基板相连接。对上述已经完成全部工 艺流程的基板，接通对应220V电压的电源线，测试获取相关光学和电学参数，确认已完成 全部工艺流程达到相应要求，并根据相关参数进行分检分类。
[0089] 上述第一至第三和第五至第六共五步工艺流程为基本工艺流程，是完成全裸晶封 装的必要工艺流程，而第四和第七步工艺流程则为辅助流程，主要是保证产品质量和最终 产品使用，不是全裸晶封装必须具有的工艺流程。
[0090] 在本实用新型实施案例中，有功率为6W的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组 件作为典型实施案例，具体器件来源和参数设定如下：
[0091] 27颗裸晶LED :来自三安光电股份有限公司产品型号为S-30BBHUP-B的裸晶高压 LED,；
[0092] R1阻值为820千欧姆，Res阻值为9. 1欧姆，均来自台湾R0YAL0HM厚生厂家；
[0093] 裸晶整流二极管产品型号为MB6S，购自深圳市斯达特来电子科技有限公司；
[0094] 裸晶M0SFET产品型号为2N60,购自华润华晶微电子有限公司；
[0095] 裸晶线性驱动1C芯片为自有产品，其详细参数已在本实用新型实施案例中披露。
[0096] 上述典型实施案例6W组件的产品测试结果：显色指数为84. 4,光通量为616. 1LM， 光效为102. 39LM/W，电压为220. 01V，电流为0. 03029A，功率为6. 017W，功率因素为0. 9029。 [0097] 本实用新型实施案例已完成对在多种功率情况下的试验和测试，具体参数和测试 结果不再 列举。
[0098] 上文参照附图描述了本实用新型的【具体实施方式】和典型实施案例，但本领域中的 普通技术人员能够理解，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以对具体实施 方式作各种变更和替换，这些变更和替换都落在本实用新型权利要求书所限定的范围内。
【主权项】
1. 一种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是，用特定电路和半导体封 装技术将裸晶LED和裸晶驱动电源器件作为一个整体封装在导热绝缘材料基板上； 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上交流电母线两端各连接两个裸晶整流二极管 的负极和正极，经过四个裸晶整流二极管形成的直流电正极连接串联裸晶发光二极管的正 极，同时连接一个电阻Rl再连接裸晶IC芯片的VCC焊盘；裸晶IC芯片的GATE焊盘连接裸 晶MOSFET的G焊盘；裸晶IC芯片的Sense焊盘连接裸晶MOSFET的S焊盘，同时连接电阻 Rcs再连接地线；裸晶IC芯片的GND焊盘连接地线；裸晶MOSFET的D焊盘，连接裸晶发光 二极管LED负极； 上述特定电路中裸晶IC芯片和裸晶MOSFET具有足够的物理距离以避免MOSFET的散 热影响裸晶IC芯片的正常工作，同时裸晶IC芯片表面需要有导热绝缘不透明材料覆盖以 免影响其正常工作。2. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是导热绝 缘材料基板为陶瓷基板。3. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是裸晶IC 芯片为线性驱动IC芯片，基本必要部分包括VCC端有内部钳位电路和UVLO;还包括接地线 端；还包括内部控制和驱动部分及驱动极GATE端和电流采样/设置SENSE端。4. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是裸晶 LED为裸晶高压LED。5. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是覆盖裸 晶IC芯片表面的导热绝缘不透明材料为导热不透明硅胶。
【专利摘要】一种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件，其特征是：在导热绝缘材料基板上交流电母线两端各连接两个整流二极管，形成直流电正极连接串联发光二极管(LED)正极，同时连接一个电阻R1再连接线性驱动IC芯片的VCC焊盘；IC芯片的GATE焊盘连接MOSFET的G焊盘(栅极)；IC芯片的Sense焊盘连接MOSFET的S焊盘(源极)，同时连接电阻Rcs再连接地线；IC芯片的GND焊盘连接地线；MOSFET的漏极连接LED负极。其中IC芯片和MOSFET的位置距离要足够大能及时散热和IC芯片表面要有导热绝缘非透明覆盖层以避免IC芯片功能受影响。
【IPC分类】H01L33/48, H05K7/20, H01L33/64
【公开号】CN204946925
【申请号】CN201520479179
【发明人】李克坚, 桑钧晟
【申请人】中山昂帕微电子技术有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年7月3日