AlGaN/GaNHEMTs器件与一个Si基二极管并联封装为一个模块的结构示意图。
[0029]附图2是将两个AlGaN/GaNHEMTs器件与一个Si基二极管并联封装为一个模块的结构示意图。
[0030]附图3是将一个AlGaN/GaNHEMTs器件与一个垂直串联焊接的Si基二极管模块封装为一个模块的结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]本发明中通过将Si基二极管与AlGaN/GaNHEMTs器件并联并封装为模块，使AlGaN/GaN HEMTs具有了雪崩击穿特性。利用了Si基二极管雪崩击穿效应，固定漏端电压，形成雪崩电流反馈，从而保护了器件本身与电路系统。
[0032]为进一步说明本发明的特征和技术方案，以下结合附图通过具体实施例的描述，进一步详细说明本发明的结构、优点和性能。
[0033]实施实例一
[0034]如附图1所示，将AlGaN/GaNHEMTs器件2的衬底焊接到绝缘基板I上，通过金属焊接的方式将垂直结构的Si基二极管3的阴极焊接到AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极(Drain)4上，其中Si基二极管的反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件的额定阻断电压相同。通过金属引线10将AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极(Gate)5与Si基二极管9的阳极相连。通过金属引线分别引出整个封装模块的栅极(Gate)7、源极(Source)S以及漏极(Drain)9。
[0035]实施实例二
[0036]为了达到封装模块正向电流的需求，也可以将η个额定阻断电压相同的AlGaN/GaNHEMTs器件相互并联，并将其中一个的阴极焊接上Si基二极管，其中Si基二极管的反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件的额定阻断电压相同。
[0037]如附图2所示，将两个AlGaN/GaN HEMTs器件2的衬底焊接到绝缘基板I上，通过金属焊接的方式将垂直结构的Si基二极管3的阴极焊接到其中一个AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极(DrainM上。通过金属引线11、12、13将AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极(Gate)5、源极(Source)6以及漏极(Drain)4分别对应相连，开$成并联结构。通过金属引线10将AlGaN/GaNHEMTs器件的栅极5与Si基二极管3的阳极相连。通过金属引线分别引出整个封装模块的栅极(Gate)7、源极(Source)8 以及漏极(Drain)9。
[0038]实施实例三
[0039]若单个Si基二极管的反向额定电压不能达到与AlGaN/GaN HEMTs器件额定阻断电压相同等级，也可以将η个Si基二极管相互串联，并垂直焊接为模块，使其反向额定电压等于AlGaN/GaN HEMTs器件的额定阻断电压。将Si基二极管模块的阴极焊接到AlGaN/GaNHEMTs器件的漏极(Drain)上。
[0040]如附图3所示，将AlGaN/GaNHEMTs器件2的衬底焊接到绝缘基板I上，通过金属焊接的方式将垂直焊接形成的Si基二极管模块3的阴极焊接到AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极(Drain)4上。通过金属引线10将AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极5与Si基二极管模块3的阳极相连。通过金属引线分别引出整个封装模块的栅极(Gate)7、源极(Source)S以及漏极(Drain)90
[0041]上面结合附图对本发明的实施实例做了详细说明，但是本发明不限于上述实施实例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。
【主权项】
1.一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构， 其特征是， 阻断电压大于或者等于设计要求额定阻断电压的AlGaN/GaN HEMTs器件， 反向额定耐压等于设计要求额定阻断电压垂直结构的Si基二极管， 所述AlGaN/GaN HEMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝缘基板上， 所述Si基二极管的阴极焊接到AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极Drain上面， 所述Si基二极管的阳极通过金属引线与AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极Gate相连， 所述金属引线引出封装模块的栅极Gate、源极Source以及漏极Drain。2.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征是，所述的AlGaN/GaN HEMTs器件是肖特基栅、MIS栅以及PN结栅AlGaN/GaN HEMTs器件。3.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征是，所述的Si基二极管是肖特基结、PiN结。4.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征是，当单个Si基二极管器件不能达到要求的反向额定电压时，所述的Si基二极管由两个或者两个以上Si基二极管相互串联使用，以使其总的反向额定电压等于AlGaN/GaN HEMTs器件的额定阻断电压。5.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征是，为了达到设计器件所需电流的要求，可由两个或者两个以上额定阻断电压相同的AlGaN/GaN HEMTs器件相互并联，通过将AlGaN/GaN HEMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，将反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件阻断电压相同的Si基二极管或者垂直串联焊接形成的Si基二极管模块焊接到其中一个AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极Drain上，通过金属引线将AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极Gate、源极Source以及漏极Drain分别对应相连形成并联模块，然后通过引线将AlGaN/GaN HEMTs器件模块的栅极Gate与Si基二极管或者Si基二极管模块的阳极相连。
【专利摘要】本实用新型公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN？HEMTs器件的封装结构。器件包括AlGaN/GaN？HEMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN？HEMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联，使得AlGaN/GaN？HEMTs器件在阻断状态工作时，当漏端电压超过器件的额定阻断电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定漏端电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护器件本身以及整个电路系统，增强器件和系统的安全性与稳定性。该封装结构的特点包括直接将垂直结构的Si基二极管焊接到AlGaN/GaN？HEMTs器件的漏极（Drain）上形成并联结构。
【IPC分类】H01L23/538, H01L25/07
【公开号】CN205248266
【申请号】CN201520435743
【发明人】何志, 谢刚
【申请人】佛山芯光半导体有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年6月19日