一个多mosfet管的高效安装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排，所述连接铜排通过螺柱与PCB板固定连接，所述PCB板的底部设置散热器，所述散热器的表面设置陶瓷基片，所述陶瓷基片的表面设置MOSFET管，所述MOSFET管的管脚直接焊接在PCB板的底部，所述PCB板的内部通过布线将MOSFET管的管脚与螺柱相连，所述MOSFET管和陶瓷基片均通过第一三组合螺钉与散热器连接。所述一个多MOSFET管的高效安装结构，通过设置陶瓷基片，陶瓷基片有很高的绝缘耐压且有很高的导热系数，通过这个方法可以实现MOSFET管高绝缘耐压要求，将MOSFET管直接通过陶瓷基片与散热器相连，能将MOSFET管损耗产生的热量迅速传递到散热器上，通过将散热器设置为流苏型结构，能够加大散热面积，增强散热效果。
【专利说明】
一个多MOSFET管的高效安装结构
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种电源装置，特别涉及一个多MOSFET管的高效安装结构。
【背景技术】
[0002]在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中，大功率MOSFET管多使用T0-220封装的MOSFET管并联并排连接方式安装在PCB线路板上，随着开关电源大批量应用于各行各业中，作为开关电源主要开关管的MOSFE被大量使用，MOSFE管分为上、下桥臂管，电源线和电机线之间并联的MOSFET称做上桥臂管，电源地线和电机线之间并联的MOSFET称做下桥臂管，上下桥臂管串成一线焊接在PCB上，MOSFET管的散热片成一平面压紧贴在散热器上，并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极，MOSFET管的栅极连接驱动控制器的控制输出端，电源线连接上桥臂管的漏极，电源地线连接下桥臂管的源极，电机线连接上桥臂管的源极，在电源线和电源地线之间还并联多个电容，由于上、下桥臂管一般各由多个T0-220封装的MOSFET管并联而成，现有技术中一般来说，MOSFET管安装在PCB板一侧，把MOSFET管的散热片直接贴在PCB板侧面的铝散热器上，MOSFET管并联密植连接方式时，存在安全隐患和效果不佳灯问题，而且MOSFET管在散热、绝缘耐压、高效安装等方面无法兼顾，严重影响产品优化设计。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一个多MOSFET管的高效安装结构，可有效解决MOSFET在散热、绝缘耐压、高效安装等方面的问题。
[0004]本实用新型提供一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排，所述连接铜排通过螺柱与PCB板固定连接，所述PCB板的底部设置散热器，所述散热器的表面设置陶瓷基片，所述陶瓷基片的表面设置MOSFET管，所述MOSFET管的管脚直接焊接在PCB板的底部，所述PCB板的内部通过布线将MOSFET管的管脚与螺柱相连，所述MOSFET管和陶瓷基片均通过第一三组合螺钉与散热器连接。
[0005]优选的，所述散热器为流苏型结构。
[0006]优选的，所述MOSFET管成阵列形式均匀分布在散热器的表面且通过陶瓷基片与散热器隔开。
[0007]优选的，所述连接铜排通过第二三组合螺钉与PCB板固定连接。
[0008]优选的，所述PCB板通过支撑螺柱与散热器固定连接。
[0009]基于上述技术方案的公开，本实用新型提供的所述一个多MOSFET管的高效安装结构，通过设置陶瓷基片，陶瓷基片有很高的绝缘耐压且有很高的导热系数，通过这个方法可以实现MOSFET管高绝缘耐压要求，将MOSFET管直接通过陶瓷基片与散热器相连，能将MOSFET管损耗产生的热量迅速传递到散热器上，通过将散热器设置为流苏型结构，能够加大散热面积，增强散热效果，通过将MOSFET管直接焊接在PCB板的表面，在PCB板的表面各个MOSFET管脚焊接螺柱，再设计铜排通过螺柱进行MOSFET管的串并联，此方法不仅可以快速将多个MOSFET管进行连接，而且连接铜排同时保证多个MOSFET管很好的固定连接。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型提供的一种正视图；
[0011 ]图2为本实用新型提供的一种侧视图；
[0012]图3为本实用新型提供的一种俯视图。
[0013]图中:1PCB板、2第一三组合螺钉、3 MOSFET管、4陶瓷基片、5散热器、6连接铜排、7第二三组合螺钉、8螺柱。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型的实施例进行详述。
[0015]请参照图1-3，本实用新型提供一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排6，连接铜排6通过第二三组合螺钉7与PCB板I固定连接，PCB板I通过支撑螺柱与散热器5固定连接，连接铜排6通过螺柱8与PCB板I固定连接，PCB板I的底部设置散热器5，散热器5为流苏型结构，通过将散热器5设置为流苏型结构，能够加大散热面积，增强散热效果，散热器5的表面设置陶瓷基片4，通过设置陶瓷基片4，陶瓷基片4有很高的绝缘耐压且有很高的导热系数，通过这个方法可以实现MOSFET管3高绝缘耐压要求，将MOSFET管3直接通过陶瓷基片4与散热器5相连，能将MOSFET管3损耗产生的热量迅速传递到散热器5上，陶瓷基片4的表面设置MOSFET管3，M0SFET管3成阵列形式均匀分布在散热器5的表面且通过陶瓷基片4与散热器5隔开，MOSFET管3的管脚直接焊接在PCB板I的底部，PCB板I的内部通过布线将MOSFET管3的管脚与螺柱8相连，MOSFET管3和陶瓷基片4均通过第一三组合螺钉2与散热器5连接，通过将MOSFET管3直接焊接在PCB板I的表面，在PCB板I的表面各个MOSFET管3的管脚焊接螺柱8，再设计铜排通过螺柱8进行MOSFET管3的串并联，此方法不仅可以快速将多个MOSFET管3进行连接，而且连接铜排6同时保证多个MOSFET管3很好的固定连接。
[0016]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一个多MOSFET管的高效安装结构，包括连接铜排(6)，其特征在于:所述连接铜排(6)通过螺柱(8)与PCB板(I)固定连接，所述PCB板(I)的底部设置散热器(5)，所述散热器(5)的表面设置陶瓷基片(4)，所述陶瓷基片(4)的表面设置MOSFET管(3)，所述MOSFET管(3)的管脚直接焊接在PCB板(I)的底部，所述PCB板(I)的内部通过布线将MOSFET管(3)的管脚与螺柱(8)相连，所述MOSFET管(3)和陶瓷基片(4)均通过第一三组合螺钉(2)与散热器(5)连接。2.根据权利要求1所述的一个多MOSFET管的高效安装结构，其特征在于:所述散热器(5)为流苏型结构。3.根据权利要求1所述的一个多MOSFET管的高效安装结构，其特征在于:所述MOSFET管(3)成阵列形式均匀分布在散热器(5)的表面且通过陶瓷基片(4)与散热器(5)隔开。4.根据权利要求1所述的一个多MOSFET管的高效安装结构，其特征在于:所述连接铜排(6)通过第二三组合螺钉(7)与PCB板(I)固定连接。5.根据权利要求1所述的一个多MOSFET管的高效安装结构，其特征在于:所述PCB板(I)通过支撑螺柱与散热器(5)固定连接。
【文档编号】H01L23/40GK205621721SQ201520868071
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年11月3日
【发明人】吴兴川
【申请人】长沙丹芬瑞电气技术有限公司