1.一种长寿命智能降压转换装置，其特征在于，包括有一高频调制单元、一滤波电感滤波单元及一逆变倒相单元，其中：
所述高频调制单元包括有第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的漏极用于接入直流电压，所述第一开关管的源极与第二开关管的漏极相连，所述第二开关管的源极接地，所述第一开关管的栅极和第二开关管的栅极分别接入相位相反的两路PWM脉冲信号；
所述滤波电感滤波单元包括有滤波电感，所述滤波电感的前端连接于第一开关管的源极，当所述第一开关管导通而第二开关管截止时，所述第一开关管漏极接入的直流电压传输至滤波电感的后端，当所述第一开关管截止而第二开关管导通时，所述滤波电感的后端产生电动势，该电动势经由第二开关管向滤波电感的前端泄放，通过调整加载于第一开关管栅极和第二开关管栅极的两路PWM脉冲信号的占空比，以令滤波电感后端的电压降低至预设值；
所述逆变倒相单元的输入端连接于滤波电感的后端，所述逆变倒相单元用于将滤波电感后端输出的半波脉动电压逆变转换为正弦交流电压。
2.如权利要求1所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，还包括有：
一交流输入单元，其用于接入市电交流电压；
一整流滤波单元，其输入端连接交流输入单元的输出端，其输出端连接第一开关管的漏极，所述整流滤波单元用于将市电交流电压进行整流和滤波后，形成直流电压并加载于第一开关管的漏极。
3.如权利要求1所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为N沟道MOS管。
4.如权利要求2所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，还包括有一MCU控制单元，所述第一开关管的栅极、第二开关管的栅极和逆变倒相单元的控制端分别连接于MCU控制单元，藉由所述MCU控制单元而输出相位相反的两路PWM脉冲信号以及控制逆变倒相单元的转换频率。
5.如权利要求4所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，还包括有一交流采样单元，所述交流采样单元的输入端连接于交流输入单元，所述交流采样单元的输出端连接于MCU控制单元，所述交流采样单元用于采集市电交流电压的电压值和相位并传输至MCU控制单元，所述MCU控制单元用于：
根据交流采样单元采集的电压值判断市电交流电压是否超过预设值，若超过预设值，则向所述第一开关管的栅极和第二开关管的栅极分别加载相位相反的两路PWM脉冲信号，若未超过预设值，则令所述第一开关管保持导通；
根据交流采样单元采集的市电交流电压的相位而控制逆变倒相单元的转换频率，以令逆变倒相单元输出与市电交流电压相位相同的正弦交流电压。
6.如权利要求5所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，所述交流采样单元包括有运放和比较器，所述运放的两个输入端分别通过限流电阻而连接于交流输入单元的火线和零线，所述运放的输出端连接于MCU控制单元，所述MCU控制单元对运放输出的电压信号运算后得出市电交流电压的电压值。
7.如权利要求6所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，所述运放的输出端还连接于比较器的反相端，所述比较器的同相端用于接入基准电压，所述比较器的输出端连接于MCU控制单元，所述MCU控制单元根据比较器输出的电压信号而得出市电交流电压的相位。
8.如权利要求4所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，所述滤波电感的后端连接有一电压采样单元，所述电压采样单元的输出端连接于MCU控制单元，所述电压采样单元用于采集滤波电感后端输出的直流电压并传输至MCU控制单元。
9.如权利要求4所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，还包括有电流采样单元，所述电流采样单元包括有电流互感器，所述电流互感器的原边绕组串接于滤波电感的前端与第一开关管的源极之间，所述电流互感器副边绕组的电流信号经过整流后传输至MCU控制单元，当所述电流互感器副边绕组的电流超过预设值时，所述MCU控制单元控制第一开关管和第二开关管均截止。
10.如权利要求5所述的长寿命智能降压转换装置，其特征在于，所述逆变倒相单元包括由第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管组成的逆变桥，所述第三开关管的栅极、第四开关管的栅极、第五开关管的栅极和第六开关管的栅极分别连接于MCU控制单元，藉由所述MCU控制单元而控制第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管导通或截止，以令所述逆变倒相单元输出正弦交流电压。