Dcdc转换装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种D⑶C转换装置。
【背景技术】
[0002]几乎每种电子设备在使用时都会产生电磁干扰信号(ElectromagneticInterference,EMI)。EMI会干扰电子设备中的器件在工作状态下的信号传输,可能造成电子设备的性能下降甚至失效、损毁等不利影响。
[0003]电源是电子设备中不可缺少的重要组成部分。在具体应用中，由于设备不同部分可能需要不同的输入电源，所以需要对输入电源做相应的调节设置。直流电源到直流电源(Direct Current-Direct Current, DO)C)转换装置是用于将输入电压改变为固定输出电压的电压转换装置，具有重量轻，体积小，转化效率高等优点，因此被广泛使用于各种电子设备中。然而DCDC转换装置在使用时会产生较高的EMI，影响电子设备的正常使用。例如，可能使电子设备的射频(Rad1 Frequency, RF)部件工作异常。
【发明内容】
[0004]本发明实施例解决的问题是如何降低D⑶C转换装置的EMI。
[0005]为解决上述问题，本发明实施例提供一种D⑶C转换装置，包括:D⑶C输出级驱动电路，配置成适于输出第一波形，所述第一波形包括具有第一斜率绝对值的上升沿和下降沿；斜率调整电路，配置成适于将所述第一波形调制为第二波形；所述第二波形的上升沿和下降沿中至少其中之一包括斜率绝对值不同的至少两段，所述至少两段的斜率绝对值均不大于所述第一斜率绝对值，且至少其中一段的斜率绝对值小于所述第一斜率绝对值；输出级，配置成适于将所述第二波形反向输出。
[0006]可选的，所述输出级包括:PM0S管以及漏极与所述PMOS管的漏极耦接的NMOS管；其中，所述PMOS管的漏极形成所述输出级的输出端；所述PMOS管与所述NMOS管的栅极分别与所述斜率调整电路的输出端耦接；所述PMOS管的源极与电源连接，所述NMOS管的源极接地。
[0007]可选的，所述斜率调整电路包括可调节缓冲单元、采样单元和控制单元；其中，所述可调节缓冲单元耦接于所述DCDC输出级驱动电路输出端和所述输出级之间；所述采样单元耦接于所述可调节缓冲单元的输出端和所述缓冲器的控制端之间，配置成适于对所述可调节缓冲单元输出到所述输出级的信号进行采样；所述控制单元配置成适于根据所述采样单元的采样结果，控制所述可调节缓冲单元的输出功率。
[0008]可选的，所述可调节缓冲单元包括第一缓冲器；所述采样单元包括第一采样器，所述控制单元包括第一控制器；其中，所述第一采样器包括第一导通控制管，第一电流源；所述第一导通控制管的控制端耦接于所述第一缓冲器的输出端，所述第一导通控制管的第一电极分别耦接于所述第一电流源和所述第一控制器，所述第一导通控制管的第二电极与电源连接，所述第一电流源另一端接地；所述第一缓冲器的控制端耦接于所述第一控制器的输出端，所述第一缓冲器的输出端耦接于所述输出级中PMOS管的栅极。
[0009]可选的，所述第一导通控制管为PMOS管。
[0010]可选的，所述第一采样器还包括第二导通控制管，第二电流源；其中，所述第二导通控制管的控制端耦接于所述第一缓冲器的输出端，所述第二导通控制管的第一电极耦接于所述第二电流源和所述第一控制器，所述第二导通控制管的第二电极与电源连接，所述第二电流源的另一端接地。
[0011]可选的，所述第二导通控制管为PMOS管。
[0012]可选的，所述可调节缓冲单元还包括第二缓冲器；所述采样单元还包括第二采样器，所述控制单元还包括第二控制器；其中，所述第二采样器包括第三导通控制管，第三电流源；所述第三导通控制管的控制端耦接于所述第二缓冲器的输出端，所述第三导通控制管的第一电极接地，所述第三导通控制管的第二电极分别耦接于所述第三电流源和所述第二控制器；所述第二缓冲器的控制端耦接于所述第二控制器的输出端，所述第二缓冲器的输出端耦接于所述输出级中NMOS管的栅极。
[0013]可选的，所述第二采样器还包括第四导通控制管，第四电流源；其中，所述第四导通控制管的控制端耦接于所述第二缓冲器的输出端，所述第四导通控制管的第一电极接地，所述第四导通控制管的第二电极分别与所述第四电流源和所述第二控制器耦接。
[0014]可选的，还包括与所述输出级的输出端耦接的滤波电路。
[0015]可选的，所述滤波电路包括电容和电感；其中，所述电感的一端耦接于所述输出级的输出端，另一端耦接于所述电容，形成所述滤波电路的输出端；所述电容的另一端接地。
[0016]可选的，所述D⑶C转换装置为BUCK型D⑶C转换装置、BOOST型D⑶C转换装置或BUCK-B00ST型转换装置。
[0017]与现有技术相比，本发明实施例的技术方案通过将DCDC输出级驱动电路的输出波形由具有唯一斜率绝对值的上升沿和下降沿的第一波形信号，通过斜率调整电路转换为具有多段斜率绝对值的上升沿和下降沿，减缓了输出波形的部分斜率，从而得以有效地降低D⑶C转换装置的由于大功率输出而产生的EMI。
[0018]进一步的，通过采样器采样缓冲器的输出信号，并触发控制器对所述缓冲器进行控制，适时降低所述缓冲器的输出功率，从而减缓输出波形中多段斜率中的部分斜率，可以在降低EMI干扰的同时，兼顾D⑶C转换装置的输出效率。
【附图说明】
[0019]图1为一种D⑶C转换装置的电路结构示意图；
[0020]图2为本发明实施例中一种D⑶C转换装置的结构示意图；
[0021]图3为本发明实施例中另一种D⑶C转换装置的结构示意图；
[0022]图4为本发明实施例中D⑶C转换装置的一种斜率调整电路的结构示意图；
[0023]图5为根据图4所示的斜率调整电路所得到的第一波形、第二波形以及输出波形的对照示意图；
[0024]图6为根据图4所示的斜率调整电路所得到的另一种第二波形与图5所示第二波形的对照示意图；
[0025]图7为本发明实施例中再一种D⑶C转换装置的结构示意图；
[0026]图8为根据图7所示的斜率调整电路所得到的一种第二波形与图5所示第二波形的对照示意图；
[0027]图9为本发明实施例中又一种D⑶C转换装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]经研究发现，D⑶C转换装置之所以会产生较高的电磁干扰，是因为D⑶C转换装置工作于开关状态。在使用时，开关会产生很多高次谐波，从而使DCDC转换装置成为一个电磁干扰源，产生较高的EMI，从而影响电子设备的正常工作。
[0029]图1为一种D⑶C转换装置的电路结构示意图。如图1所示，D⑶C输出级驱动电路I中在A点和B点输出信号，经由反相器输出驱动信号PG和NG，分别驱动输出级2中的MOS管导通或截止，进而在输出级2的输出端LX产生相应的输出波形，通常为矩形波，最后经LC滤波电路进行滤波整流，在Vout输出端直流输出。在实际应用中，DCDC输出级驱动电路I输出的驱动信号PG和NG，其上升沿和下降沿会存在一定的坡度，且上升沿和下降沿的坡度非常陡峭，导致输出级2的MOS管快速导通和截止，进而使D⑶C转换装置在LX端产生较大的EMI。
[0030]本发明实施例通过斜率调整电路将DCDC输出级驱动电路的输出波形转换为具有多段斜率绝对值的上升沿和下降沿，来减缓所述DCDC转换装置整体的输出波形上升沿和下降沿的部分斜率绝对值，从而得以有效地降低DCDC转换装置的由于开关快速地导通和截止而产生的EMI。
[0031]为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0032]如图2所示，本发明实施例中的一种D⑶C转换装置可以包括如下部分: