Dcdc转换装置的制造方法_3

文档序号:8383251阅读:来源:国知局
相应地,如图9所示,为了有效控制输出级2中NMOS管22的导通和截止,可调节缓冲单元31还可以包括第二缓冲器312。采样单元32还可以包括第二采样器322,控制单元33还可以包括第二控制器332。
[0060]第二采样器322中可以包括第三导通控制管9,第三电流源8。第三导通控制管9的控制端耦接于第二缓冲器312的输出端,第三导通控制管9的第一电极接地,第三导通控制管9的第二电极分别耦接于第三电流源8和第二控制器332。
[0061]第二缓冲器312的控制端耦接于第二控制器332的输出端,第二缓冲器312的输出端耦接于输出级2中NMOS管22的栅极。
[0062]上述的第二缓冲器312,第二采样器322以及第二控制器332用于将D⑶C前级驱动电路I于B点输出到输出级2的NMOS管22的第一波形于NG点调整为第二波形,第二波形的上升沿和下降沿中至少其中之一包括斜率绝对值不同的至少两段,所述至少两段的斜率绝对值均不大于所述第一斜率绝对值,且至少其中一段的斜率绝对值小于所述第一斜率绝对值,以实现对输出级2输出波形跳变到下降沿的控制。其实现方法与斜率调整电路将DCDC前级驱动电路输出到PMOS管21的第一波形调制为第二波形的方法相同,且其结构为第一缓冲器311,第一采样器321以及第一控制器331的对称设置,因此此处不再赘述。
[0063]在具体实施中,还可以对上述方案作进一步的扩展。第二采样器322还可以包括第四导通控制管11,第四电流源10 ;第四导通控制管11的控制端耦接于第二缓冲器312的输出端,第四导通控制管11的第一电极接地,第四导通控制管11的第二电极分别耦接于第四电流源10和第二控制器332。上述的第四导通控制管11,第四电流源10可以增加斜率调整电路3输出的第二波形的分段数量,其实现方法与第二导通控制管6和第二电流源7的实现方法相同。
[0064]如图9,D⑶C转换装置中还可以包括与输出级2的输出端LX耦接的滤波电路。在具体实施中,上述的滤波电路可以是LC滤波电路,所述滤波电路包括电容和电感,其中,电感的一端耦接输出级2的输出端LX,另一端耦接电容,形成滤波电路的输出端;电容的另一端接地。DCDC转换装置通过上述的滤波电路对输出级2输出的波形信号进行滤波整流,在Vout端得到相应的输出。
[0065]在具体实施中,上述的D⑶C转换装置可以是BUCK型D⑶C转换装置、BOOST型D⑶C转换装置,也可以是BUCK-B00ST型转换装置。
[0066]虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种D⑶C转换装置,其特征在于,包括: DCDC输出级驱动电路,配置成适于输出第一波形,所述第一波形包括具有第一斜率绝对值的上升沿和下降沿; 斜率调整电路,配置成适于将所述第一波形调制为第二波形;所述第二波形的上升沿和下降沿中至少其中之一包括斜率绝对值不同的至少两段,所述至少两段的斜率绝对值均不大于所述第一斜率绝对值,且至少其中一段的斜率绝对值小于所述第一斜率绝对值; 输出级,配置成适于将所述第二波形反向输出。
2.如权利要求1所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述输出级包括:PMOS管以及漏极与所述PMOS管的漏极耦接的NMOS管;其中, 所述PMOS管的漏极形成所述输出级的输出端;所述PMOS管与所述NMOS管的栅极分别与所述斜率调整电路的输出端耦接;所述PMOS管的源极与电源连接,所述NMOS管的源极接地。
3.如权利要求2所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述斜率调整电路包括可调节缓冲单元、采样单元和控制单元;其中, 所述可调节缓冲单元耦接于所述DCDC输出级驱动电路输出端和所述输出级之间; 所述采样单元耦接于所述可调节缓冲单元的输出端和所述缓冲器的控制端之间,配置成适于对所述可调节缓冲单元输出到所述输出级的信号进行采样; 所述控制单元配置成适于根据所述采样单元的采样结果,控制所述可调节缓冲单元的输出功率。
4.如权利要求3所述的DCDC转换装置,其特征在于,所述可调节缓冲单元包括第一缓冲器;所述采样单元包括第一采样器,所述控制单元包括第一控制器;其中, 所述第一采样器包括第一导通控制管,第一电流源;所述第一导通控制管的控制端耦接于所述第一缓冲器的输出端,所述第一导通控制管的第一电极分别耦接于所述第一电流源和所述第一控制器,所述第一导通控制管的第二电极与电源连接,所述第一电流源另一端接地; 所述第一缓冲器的控制端耦接于所述第一控制器的输出端,所述第一缓冲器的输出端耦接于所述输出级中PMOS管的栅极。
5.如权利要求4所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述第一导通控制管为PMOS管。
6.如权利要求4所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述第一采样器还包括第二导通控制管,第二电流源;其中, 所述第二导通控制管的控制端耦接于所述第一缓冲器的输出端,所述第二导通控制管的第一电极耦接于所述第二电流源和所述第一控制器,所述第二导通控制管的第二电极与电源连接,所述第二电流源的另一端接地。
7.如权利要求6所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述第二导通控制管为PMOS管。
8.如权利要求4所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述可调节缓冲单元还包括第二缓冲器;所述采样单元还包括第二采样器,所述控制单元还包括第二控制器;其中, 所述第二采样器包括第三导通控制管,第三电流源;所述第三导通控制管的控制端耦接于所述第二缓冲器的输出端,所述第三导通控制管的第一电极接地,所述第三导通控制管的第二电极分别耦接于所述第三电流源和所述第二控制器; 所述第二缓冲器的控制端耦接于所述第二控制器的输出端,所述第二缓冲器的输出端耦接于所述输出级中NMOS管的栅极。
9.如权利要求8所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述第二采样器还包括第四导通控制管,第四电流源;其中, 所述第四导通控制管的控制端耦接于所述第二缓冲器的输出端,所述第四导通控制管的第一电极接地,所述第四导通控制管的第二电极分别与所述第四电流源和所述第二控制器耦接。
10.如权利要求2所述的DCDC转换装置,其特征在于,还包括与所述输出级的输出端耦接的滤波电路。
11.如权利要求10所述的DCDC转换装置,其特征在于,所述滤波电路包括电容和电感;其中, 所述电感的一端耦接于所述输出级的输出端,另一端耦接于所述电容,形成所述滤波电路的输出端;所述电容的另一端接地。
12.如权利要求1-11任一项所述的D⑶C转换装置,其特征在于,所述D⑶C转换装置为BUCK型DCDC转换装置、BOOST型DCDC转换装置或BUCK-B00ST型转换装置。
【专利摘要】一种DCDC转换装置,属于电子电路技术领域,包括:DCDC输出级驱动电路,配置成适于输出第一波形,所述第一波形包括具有第一斜率绝对值的上升沿和下降沿;斜率调整电路,配置成适于将所述第一波形调制为第二波形;所述第二波形的上升沿和下降沿中至少其中之一包括斜率绝对值不同的至少两段,所述至少两段的斜率绝对值均不大于所述第一斜率绝对值,且至少其中一段的斜率绝对值小于所述第一斜率绝对值;输出级,配置成适于将所述第二波形反向输出。本发明的有益效果是:减缓了输出波形的上升沿和下降沿的斜率,从而得以有效地降低DCDC转换装置产生的EMI干扰。
【IPC分类】H02M3-155, H02M1-44
【公开号】CN104702103
【申请号】CN201310670270
【发明人】王永进, 张洵, 樊茂, 李力游
【申请人】展讯通信(上海)有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年12月10日
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