tor)〇
[0114] 第二切断开关基于第二MIT元件工作，而可包含基于与只在第二温度范畴内 因金属性质而发挥作用的第二CTS、第二CTS电阻串联而输入的电源电压，为决定作用 于第二CTS电阻的CTS电压而使用的第二参考电阻和第二CTS的两端分别与第二闸 极与第二电源相连，亦可包含比较第二CTS电压与临界电压进行on/off操作的第二 FET((fieIdefTecttransistor)〇
[0115] 第一切断开关，比较第一闸极与第一电源之间的电压，即第一FET电压与第一临 界电压的高低，第一FET电压高于第一临界电压时，第一FET被决定处于开启（on)状态，第 一FET电压低于第一临界电压时，第一FET被决定处于关闭（off)状态。
[0116] 同样第二切断开关，比较作为第二闸极与第二电源之间电压的第二FET电压与第 二临界电压的高低，第二FET电压高于第二临界电压时，第二FET被决定处于开启（on)状 态，第二FET电压低于第二临界电压时，第二FET被决定处于关闭（off)状态。
[0117] 作为CTS如使用V02材料，可在68度以下工作，但如未使用V02,而是使用其他材 料制作的MIT元件，温度范畴则分别可扩展至-193~-110度与20~150度。随之高温/ 过电流自动切断开关可使用于需测定和控制特定温度的所有场所，并根据需要设定温度控 制范围。
[0118] 以上说明虽参照了实施范例，但熟悉相应技术领域的人员可理解，在不超出下述 专利申请范畴内所记载的本发明的思想和领域的范畴内，可以针对本范明进行多种修改和 变更。
【主权项】
1?有关基于MlT(Metal-InsulatorTransition)元件的高温/过电流切断开关工作方 法， 可包含基于CTS(criticaltemperatureswitch)电阻和参考电阻而作用于FET(fielde ffecttransistor)的FET电压计算阶段； 比较上述FET电压和临界电压高低的阶段； 上述FET电压高于临界电压时，决定上述FET处于开启（on)状态的阶段；及 上述FET电压低于临界电压时，决定上述FET处于关闭（off)状态的阶段，但 上述CTS为基于上述MIT元件工作的开关，上述 MIT元件为只在特定温度范围内具备金属性质之元件的高温/过电流自动切断方法。2. 第一项中，上述FET电压 可利用下列数学方程式计算。 〈数学方程式〉以上Vgs为上述FET电压，上述Vstjurra为上述电源电压，上述Rcts为上述CTS电阻，上述Rref是作为上述参考电阻的高温/过电流自动的切断开关。3. 第一项中， 上诉FET为N型MOSFET， 上述CTS是基于温度上升时电阻变化走势不同于温度下降时电阻变化走势的高温/过 电流自动切断方法。 4?适用MlT(Metal-InsulatorTransition)技术的高温/过电流自动切断开关， 可包含基于上述MIT元件组成，只在特定温度范围内呈现金属性质而工作的CTS(crit icaltemperatureswitch)； 基于与上述CTS电阻串联而输入的电源电压，为决定作用于上述CTS电阻上的CTS电 压而使用的参照电阻；及 上述CTS两端分别连接于闸极与电源，比较上述CTS电压与临界电压，进而决定处于on/off状态的FET(fieldeffecttransistor)，但 上述高温切断开关比较作为上述闸极和电源间电压的FET电压与临界电压的高低，上 述FET电压高于临界电压时，使上述FET处于开启（on)状态，上述FET电压低于临界电压 时，使FET处于关闭（off)状态的高温/过电流自动切断开关。5. 第四项中，上述FET电压 可利用下列数学方程式计算。 〈数学方程式〉以上Vgs为上述FET电压，上述Vstjurra为上述电源电压，上述Rcts为上述CTS电阻，上述Rref是作为上述参考电阻的高温/过电流自动切断开关。6. 第五项中，上述高温/过电流自动切断开关， 是与保护电池的保护IC(integratedcircuit)输入/输出端相连， 根据上述FET电压，决定是否供应电源的高温/过电流自动切断开关。7.第五项中，上述高温/过电流自动切断开关， 是作用于控制电池保护IC(integratedcircuit)之FET的信号部位，进而根据FET电 压，决定是否供应电源的高温/过电流自动切断开关。 8?适用MlT(Metal-InsulatorTransition)技术的高温/过电流自动切断开关， 包含第一切断开关与第二切断开关， 上述第一切断开关， 基于第一MIT元件工作，可包含基于只在第一温度范围内呈现金属性质而工作的第一CTS(criticaltemperatureswitch)； 基于与上述第一CTS电阻串联而供应电源，为决定作用于上述第一CTS电阻的第一CTS电压而使用的第一参照电阻；及 上述第一CTS两端分别与第一闸极和第一电源相连，比较上述第一CTS电压与临界电 压，进而决定 〇n/off动作的第一FET(fieldeffecttransistor)， 上述第二切断开关， 基于第二MIT元件工作，可包含只在第二温度范围内呈现金属性质而工作的第二CTS(criticaltemperatureswitch)； 基于与上述第二CTS电阻串联而供应的电源电压，为决定作用于第二CTS电阻的第二CTS电压而使用的第二参照电阻；及 上述第二CTS两端分别与第二闸极和第二电源相连，比较上述第二CTS电压与临界电 压，进而决定 〇n/off动作的第二FET(fieldeffecttransistor)，但 上述第一切断开关比较作为上述第一闸极和上述第一电源之间电压的第一FET电压 与第一临界电压的高低，上述第一FET电压高于第一临界电压时，使上述第一FET处于开启 (on)状态，上述第一FET电压低于第一临界电压时，使上述第一FET处于关闭（off)状态； 上述第二切断开关比较作为上述第二闸极和上述第二电源间电压的第二FET电压与 第二临界电压的高低，上述第二FET电压高于第二临界电压时，使上述第二FET处于开启 (on)状态，上述第二FET电压低于第二临界电压时，使上述第二FET处于关闭（off)状态的 高温/过电流自动切断开关。9. 第八项中， 上述第一CTS为防止过放电而工作， 上述第二CTS则为防止过充电而工作的 高温/过电流自动切断开关。10. 第九项中，上述第一MIT元件与上述第二MIT元件是作为基于上述金属性质而变化 的第一温度范围与上述第二温度范围互不相同的元件的高温/过电流自动切断开关。11. 第十项中，上述第一FET电压， 可利用下列数学方程式1计算。 〈数学方程式1>以上Vgs为上述第一FET电压，上述V__为上述第一电源电压，上述RCTS为上述第一 CTS电阻，上述Rref是作为上述第一参考电阻的高温/过电流自动切断开关。12.第11项中，上述第二FET电压， 可利用数学方程式2计算。 〈数学方程式2>以上Vgs为上述第二FET电压，上述V__为上述第二电源电压，上述RCTS是上述第二CTS电阻，上述Rref是作为上述第二参考电阻的高温/过电流自动切断开关。
【专利摘要】出示了适用MIT(Metal-InsulatorTransition)技术的高温/过电流自动切断方法及应用该技术的开关。基于MIT(Metal-InsulatorTransition)元件的高温/过电流自动切断开关工作方法可包括：计算基于CTS(criticaltemperatureswitch)电阻及参考电阻作用于FET(fieldeffecttransistor)上电压的阶段、比较FET电压与临界电压高低的阶段、FET电压高于临界电压时，决定FET处于开启(on)状态的阶段和FET电压低于临界电压时，使FET处于关闭(off)状态的阶段。CTS是基于MIT元件的开关，MIT元件可以是只在特定温度范围内呈现金属性质的元件。
【IPC分类】H02H3/08, H02H5/04
【公开号】CN104969432
【申请号】CN201480007133
【发明人】李东彩, 李英九, 崔忠铉
【申请人】莫布里克株式会社
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2014年5月13日
【公告号】EP2937960A1, WO2015088111A1