新型框架的制作方法

文档序号:9000472阅读:148来源:国知局
新型框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及对芯片框架的改进。
【背景技术】
[0002]随着清洁能源的需求量越来越大,世界各国需求急剧增加,所以开发利用太阳能就成为对此种需求的重要补充。光伏产品作为一种能将太阳能转化为电能的新兴产品,其特殊的应用环境要求其所配备的器件能够抵抗高压高温高湿的各种冲击(光伏组件较频繁地应用在高原、沙漠等各种恶劣的环境中)。随着产品的使用量增加,大家对成本的考量也要求越来越多,如何提升产品的性能,降低成本也成为需要解决的问题,由于模块产品体积较大,内部铜件较多,合理的设计和均衡的散热需要考虑和改进。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型针对以上问题,提供了一种结构简单,优化框架设计,提升散热能力的新型框架。
[0004]本实用新型的技术方案是:所述框架包括铜片一、铜片二、铜片三和铜片四,铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的中部为焊接区、且相互之间留有间隙;所述铜片一的焊接区设有容置区,所述铜片二的焊接区延伸至所述铜片一的容置区内;
[0005]所述铜片一的焊接区的外侧呈向上的折弯体。
[0006]所述折弯体垂直于所述框架的顶面。
[0007]所述铜片一和铜片二之间为间隙一,所述铜片二、铜片三和铜片四相邻之间为均匀的间隙二,所述间隙一的宽度小于间隙二的宽度。
[0008]所述折弯体的高度为0.
[0009]本实用新型在铜片一的一侧增加一个高度在0.之间的边缘加强筋(即折弯体),并将铜片二的焊接区往铜片一的容置区内延伸,增加焊接区域的面积,提升中间芯片散热时框架的散热能力。本实用新型在不增加成本的前提下,优化框架设计,提升能力。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的结构示意图,
[0011]图2是图1中A-A面的剖视图,
[0012]图3是现有技术的结构示意图;
[0013]图中I是框架,11是铜片一,110是容置区,12是铜片二,13是铜片三,14是铜片四,2是折弯体,3是间隙一,4是间隙二。
【具体实施方式】
[0014]本实用新型如图1-2所示,所述框架I包括铜片一 11、铜片二 12、铜片三13和铜片四14,铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的中部为焊接区、且相互之间留有间隙;所述铜片一 11的焊接区设有容置区110,所述铜片二 12的焊接区延伸至所述铜片一的容置区110内;
[0015]所述铜片一 11的焊接区的外侧呈向上的折弯体2。
[0016]所述折弯体2垂直于所述框架I的顶面。
[0017]所述铜片一 11和铜片二 12之间为间隙一 3,所述铜片二 12、铜片三13和铜片四14相邻之间为均匀的间隙二 4,所述间隙一 3的宽度小于间隙二 4的宽度。相较于现有技术(如图3所示,铜片一 ~四为均匀的间隙二 4),本实用新型提升了散热能力。
[0018]所述折弯体2的高度为0.
[0019]在工作中,目前产品全部为芯片P面向上采用跳线的连接方式与另一端的框架片相连,本实用新型调整的设计是减少连接端铜片的面积,采用边缘折弯筋的方式增加连接强度,避免框架的形变和铜材的断裂;然后放大芯片的焊接区域面积,将芯片产生的热量均衡分布到每一个脚位,提升整理的散热能力,大大提升中间铜件的散热面积,从而整理降低产品的温升。
【主权项】
1.新型框架,所述框架包括铜片一、铜片二、铜片三和铜片四,铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的中部为焊接区、且相互之间留有间隙;其特征在于,所述铜片一的焊接区设有容置区,所述铜片二的焊接区延伸至所述铜片一的容置区内; 所述铜片一的焊接区的外侧呈向上的折弯体。2.根据权利要求1所述的新型框架,其特征在于,所述折弯体垂直于所述框架的顶面。3.根据权利要求1所述的新型框架,其特征在于,所述铜片一和铜片二之间为间隙一,所述铜片二、铜片三和铜片四相邻之间为均匀的间隙二,所述间隙一的宽度小于间隙二的宽度。4.根据权利要求1所述的新型框架,其特征在于,所述折弯体的高度为0.
【专利摘要】新型框架。提供了一种结构简单,优化框架设计,提升散热能力的新型框架。所述框架包括铜片一、铜片二、铜片三和铜片四,铜片一、铜片二、铜片三和铜片四的中部为焊接区、且相互之间留有间隙;所述铜片一的焊接区设有容置区,所述铜片二的焊接区延伸至所述铜片一的容置区内;所述铜片一的焊接区的外侧呈向上的折弯体。本实用新型在铜片一的一侧增加一个高度在0.1mm~2mm之间的边缘加强筋(即折弯体),并将铜片二的焊接区往铜片一的容置区内延伸,增加焊接区域的面积,提升中间芯片散热时框架的散热能力。本实用新型在不增加成本的前提下,优化框架设计,提升能力。
【IPC分类】H02S30/10
【公开号】CN204652304
【申请号】CN201520378214
【发明人】陈晓华, 王欢, 王毅
【申请人】扬州扬杰电子科技股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年6月4日
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