专利名称：微型机器和其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种微型机器及其制造方法，具体地说，本发明涉及一种微型机器，其中一振动电极设置成跨过输出电极，在输出电极和振动电极之间存在一定空间，以及涉及这种机器的制造方法。
背景技术：
随着在基片上的显微制造技术的进步，微型机器技术正在引起人们的注意，该技术形成微型结构、电极、半导体电路等，用于控制在诸如硅基片、玻璃基片等基片上的微型结构的驱动。
其中一种微型机器是在无线电通讯中用作高频滤波器的微型振动器。如图11所示，微型振动器100通过将振动电极103设置在被配置于基片101上的输出电极102a的上方而形成，在输出电极102a和振动电极103之间形成空间A。振动电极103的一端与由和输出电极102a相同的导电层所形成的输入电极102b相连。当向输入电极102b施加特定频率的电压时，设置在输出电极102a上方、具有输出电极102a和振动电极103之间所形成空间A的振动电极103的梁(振动部分)103a振动，从而，由输出电极102a和梁(振动部分)103a之间空间A所形成的电容量改变，并从输出电极102a输出。与使用表面声波和薄膜弹性波的高频滤波器相比，包括由此形成的微型振动器100的高频滤波器可以获得更高的Q值。
这种微型振动器如下述那样制造。首先如图12A所示，由多晶硅制造的输出电极102a、输入电极102b和支持电极102c形成在其表面由绝缘层覆盖的基片101上。这些电极102a～102c的形成使得输入电极102b和支持电极102c设置在输出电极102a的两侧。然后由氧化硅组成的牺牲层105形成在基片101上，其覆盖电极102a～102c。
下文如图12B所示，抵达输入电极102b和支持电极102c的连接孔105b和105c形成在牺牲层105上。然后在包括连接孔105b和105c内部的牺牲层105上形成多晶硅层106。
以下如图12C所示，通过对多晶硅层106进行图案蚀刻，形成横跨输出电极102a的带形振动电极103。此时，为了避免对由多晶硅组成的输入电极102b和支持电极102c进行蚀刻，执行所述多晶硅层106的图案蚀刻，从而连接孔105b和105c被完全覆盖。
然后有选择地清除牺牲层105，从而在输出电极102a和振动电极103之间形成如图11所示的空间部分A。由此获得微型振动器100。
但是，在由此获得的微型振动器100中，没有固定在输入电极102b或支持电极102c上的屋檐部分B形成在梁103a两端处的锚(支撑部分)103b的边缘部分上。当振动电极103进一步减少时，这种屋檐部分B极大地影响梁103a的振动。
图13是示出具有上述结构的微型振动器100的梁的长度L和振动固有频率之间关系的图表。如图所示，根据下述等式(1)的理论振动固有频率与(1/L2)成比例。
fR=0.162hL2EKρ---(1)]]>h膜厚度E杨氏模量K电磁性耦合系数ρ膜密度但是，在具有上述结构的微型振动器100内，从使用有限元方法进行模拟的结果可以看到，由于屋檐部分B在梁长度L减少到小于10微米且梁103a和支撑所述梁103a的锚103b的长度大致相同范围(100MHz和更高)内的效果，难以按与(1/L2)成比例地增加振动的固有频率。
发明内容
本发明的目的是提供一种微型机器，其具有即使在100MHz和更高频率范围内能够实现与(1/L2)成正比的更高的振动固有频率的振动电极。
为了实现上述目的，根据本发明，提供一种微型机器，其特征是包括设置在基片上的输入电极和输出电极；带状振动电极，通过将振动部分铺设在所述输出电极的上方，在所述输出电极和所述振动电极之间设置一空间部分，所述振动电极的两个端部支撑在所述输入电极和所述基片上，形成所述振动电极；其特征在于从每个端部至所述振动部分的所述振动电极的每个端部的整个表面完全固定在所述输入电极和所述基片上。
在这种微型机器中，由于从端部边缘至振动部分的所述振动电极的两个端部的整个表面完全固定在基座上，仅仅振动部分设置带有配置在所述振动部分和所述基座之间的空间部分。当通过输入电极向振动电极施加预定频率的电压时，振动电极振动，仅所述振动部分涉及振动并振动。因而，振动的固有频率更接近理论值(一个与振动部分长度L的平方成反比的数值)，通过显微制造，容易实现更高的频率。
本发明也涉及一种制造所述微型机器的方法，该方法按下述步骤执行。
在第一制造方法中，通过对基片上的第一导电层进行制作布线图案，形成一输入电极和一输出电极；然后在所述输入电极的上表面上以及在与所述输入电极相反侧的所述基片上形成绝缘保护膜，所述输出电极位于所述输入电极和所述相反侧之间。然后，在覆盖所述输入电极和由所述保护膜的表面暴露的所述输出电极的状态下，能够不影响在所述基片上形成的保护膜来有选择地蚀刻牺牲层。在所述保护膜上形成抵达所述输入电极和所述基片的连接孔。通过对在包括所述连接孔内部的牺牲层上的第二导电层进行制作布线图案，形成具有两端部分和中央部分的带状振动电极，所述两端部分完全覆盖所述连接孔的内部，所述端部部分的每端边缘位于所述保护膜上，所述中央部分跨过所述输出电极的上方。通过有选择地清除所述牺牲层，在所述振动电极和所述输出电极之间形成空间部分。
根据第一种制造方法，振动电极的图案形成使得振动电极覆盖连接孔内部，在牺牲层位于所述基片上的状态下，振动电极的每个端部部分的边缘位于保护膜上，从而曝露出其中形成有连接孔的保护膜。因此，在振动电极两端的整个表面设置在连接孔内和保护膜上的状态下，仅振动电极的中央部分设置在牺牲层上。在此状态下，不影响保护膜，可有选择地清除牺牲层。因此，形成具有下述形状的振动电极，也就是仅在中央部分的下方设置空间部分，并且振动电极两端部分的边缘不延伸到保护膜的表面之外，振动电极两端部分的整个表面固定在保护膜上和连接孔上。由于振动电极的图案形成得覆盖连接孔，即使当设置在连接孔底部的输入电极由与振动电极相同的材料制造，连接孔内的输入电极也不受振动电极的图案形成的影响。
在第二制造方法中，通过对基片上的第一导电层进行制作布线图案，形成一输入电极和一输出电极，然后形成覆盖所述基片上的输入电极和输出电极的牺牲层。以下，在所述牺牲层上形成一抵达所述输入电极的连接孔和形成一抵达在所述输入电极相反侧上的基片表面的连接孔，其中所述输出电极位于所述输入电极和所述相反侧之间。在不影响包括所述连接孔内部的牺牲层上的所述第一导电层的前提下，能够有选择地蚀刻第二导电层。通过不影响第一导电层对第二导电层进行有选择地图案蚀刻，形成具有两端部分和中央部分的带状振动电极，所述两端部分的边缘位于每个连接孔内，所述中央部分跨过所述输出电极的上方。以下，通过有选择地清除所述牺牲层，在所述振动电极和所述输出电极之间形成空间部分。
根据第二种制造方法，在具有分别抵达输入电极和基片的连接孔的牺牲层上形成振动电极的图案，从而两端部分的边缘设置在连接孔内。因而在振动电极两端的整个表面设置在连接孔内的状态下，仅振动电极的中央部分设置在牺牲层上。由于在振动电极图案形成时，能够不影响形成输入电极的第一导电层而可以对形成振动电极的第二导电层进行有选择地蚀刻，所以暴露在连接孔底部的一部分输入电极不受振动电极图案形成的影响。然后，在此状态下，有选择地清除牺牲层。因此形成具有某一形状的振动电极，从而仅在中央部分的下方设置空间部分，振动电极两端部分的整个表面固定在输入电极和基片上。
图1A～1I是根据第一实施例的制造方法的工序的剖视图；图2是与图1D对应的平面视图；图3是与图1G对应的平面视图；图4是与图1I对应的平面视图；图5是第一实施例的另一种结构的平面视图；图6A～6G是根据第二实施例的制造方法的工序的剖视图；图7是与图6D对应的平面视图；图8是与图6E对应的平面视图；图9是与图6G对应的平面视图；图10是第二实施例的另一种结构的平面视图；
图11是示出传统微型机器的结构的视图(微型振动器)；图12A～12C是传统制造方法的工序的剖视图；图13是一个辅助解释传统微型机器的问题的图表。
具体实施例方式
下文将结合附图详细介绍本发明的实施例。在每个实施例中，将首先介绍制造方法，然后介绍由该制造方法获得的微型机器的结构。
图1A～1I是根据第一实施例的制造方法的工序的剖视图，图2～4是辅助解释根据第一实施例的制造方法的平面视图。下文将在图1A～1I的基础上并参考图2～4对根据第一实施例的微型机器制造方法进行说明。附带地，图1A～1I对应于图2～4平面视图中的A-A断面。
首先如图1A所示，通过以绝缘层3覆盖诸如单晶硅或类似物的半导体基片1而形成基片4。绝缘层3的顶表面由对以后进行的蚀刻清除牺牲层(氧化硅)具有蚀刻阻力的材料形成。因而，通过堆叠一用于减轻绝缘层3和半导体基片1之间应力的氧化硅膜3a以及具有上述蚀刻阻力的氮化硅膜3b而形成绝缘层3，其中氧化硅膜3a位于半导体基片1和氮化硅膜3b之间。
然后如图1B所示，通过在基片4上对第一导电层制作布线图案而形成输出电极7a、输入电极7b和支持电极7c。形成电极7a～7c的第一导电层是诸如包含黄磷(P)的多晶硅的硅层。电极7a～7c设置在基片4上，从而使输出电极7a设置在输入电极7b和支持电极7c之间。
然后如图1C所示，从电极7a～7c暴露的基片4的表面由氧化硅膜9覆盖。此时，例如通过在氮化硅膜3b上形成氧化硅膜而将氧化硅膜9仅形成在基片4的表面上，从而覆盖电极7a～7c，然后对氧化硅膜9进行研磨，直到露出电极7a～7c为止。
然后如图1D所示，对随后将进行的牺牲层的蚀刻清除具有蚀刻阻力的绝缘材料的保护层11在基片4上形成一种图案，从而输入电极7b和支持电极7c设置在基片4和保护层11之间。此时，当由氧化硅形成牺牲层时，例如保护层11由氮化硅形成(见图2)。
顺便提及，例如通过使用抗蚀图(未示出)作为掩模对形成在基片4上的氮化硅膜进行蚀刻而形成保护层11。在进行这种蚀刻时，氧化硅膜9保护基片4表面上的氮化硅膜3b。因此，当氮化硅膜3b具有足够的膜厚用于蚀刻从而形成保护层11时，就不必在上述工序中形成氮化硅膜9。当没有形成氮化硅膜9时，可以将保护层11a形成为从输入电极7b和支持电极7c的表面延伸到基片4的表面上，如图2双点化线所示。还有，当基片4的表面由对保护层形成材料进行图案蚀刻具有阻力的材料形成时，可以形成由双点化线所示的类似的保护层11a。
然后如图1E所示，在仅暴露出保护层11的情况下，牺牲层1 3铺设在绝缘层3上。牺牲层13通过不影响基片4的表面层(在此情况下为氮化硅膜3b)、保护层(在此情况下为氮化硅)11、电极(在此情况下为多晶硅)7a～7c的有选择地蚀刻而清除的材料制成。这种牺牲层13是在覆盖电极7a～7c的情况下，通过制成牺牲层薄膜并对牺牲层薄膜进行研磨，直到曝露出保护层11为止而形成的。
随后如图1F所示，在保护层11中形成到达输入电极7b的连接孔11b以及通过支持电极7c而到达基片4的连接孔11c。
如图1G和图3所示，形成通过连接孔11b和11c与输入电极7b和支持电极7c相连并跨过输出电极7a的带形振动电极15。通过对形成在牺牲层13上以及形成在连接孔11b和11c内的第二导电层(例如多晶硅膜)进行图案蚀刻，形成振动电极15。在此时，执行图案蚀刻从而使振动电极15的两端部分完全覆盖连接孔11b和11c内部，每端的边缘位于保护层11上，振动电极15的中心部分横跨输出电极7a。
下面，如图1H所示，牺牲层13被部分地清除，从而暴露出用于形成与输入电极7b相连的导线的部分，此时在振动电极15下方还保留有牺牲层。此时具有这种形状从而覆盖振动电极15和周边并暴露用于形成与输入电极7b相连的导线的部分的抗蚀图(未示)形成在基片4上。然后使用所述抗蚀图作为掩膜，通过蚀刻有选择地清除牺牲层13(氧化硅)，同时不影响保护层(氮化硅)11、电极(多晶硅)7a～7c和15以及基片4的表面层(所述氮化硅薄膜3a)。从而，导线形成部分上的牺牲层13被部分清除，牺牲层13仅保留在振动电极15和输出电极7a之间。然后移走抗蚀图。
然后形成与输入电极7b的曝露表面相连的导线17。在形成导线17中，在基片4的整个表面上形成金(Au)晶种层(seed layer)，然后形成曝露所述导线形成部分并覆盖其它部分的抗蚀图(未示出)。然后利用电镀方法，在抗蚀图的开口内的晶种层上形成电镀层而形成导线17。形成导线17后，对整个表面进行蚀刻以清除所述晶种层。
然后，通过有选择地蚀刻清除牺牲层13(氧化硅)，同时不影响保护层11、电极7a～7c和15、基片4的表面层。此时通过使用缓冲HF的湿法刻蚀，可靠地将由氧化硅形成在振动电极15下方的牺牲层13清除。从而如图1I所示在振动电极15下方形成空间部分(间隙)A。
如上所述，如图1I和图4所示，获得具有带状振动电极15的微型机器20，通过将梁(振动部分)16铺设在输出电极7a上方且在输出电极7a和振动电极15之间设置有空间部分，以及振动电极15两端部分支撑在输入电极7b和基片4上，支持电极7c设置在基片4和振动电极15之间，而形成振动电极15。
参考图1G和图3所述，具体地说，根据第一实施例的上述制造方法形成振动电极15的图案，从而在牺牲层13形成在基片4上的状态下，覆盖连接孔11b和11c并在保护层11上设置振动电极15的两端部分的边缘，从而曝露具有形成在其中的连接孔11b和11c的保护层11。因此，在振动电极15两端的整个表面设置在保护层11和连接孔11b和11c上的状态下，振动电极15具有设置在牺牲层13上的中心部分。
然后，在此状态下，参考图1I和图4所述，在不影响保护层11的状态下，有选择地清除牺牲层13。因而可以获得具有下述形状的振动电极15，即使空间部分A仅设置在中心梁(振动部分)16以下，从而振动电极15两端部分的边缘不会延伸在保护层11的表面上，从端部的边缘至梁(振动部分)16的整个表面通过保护层11和连接孔11b和11c固定在输入电极7和支持电极7c。
在具有这种形状的振动电极15的微型机器20中，当经由输入电极7b施加预定频率的电压时，振动电极15振动，仅仅梁(振动部分)16涉及到振动，并且振动。因此，振动的固有频率更接近满足上述等式(1)的理论值(一个与振动部分长度L的平方成反比的数值)，通过显微制造，容易获得更高的频率。结果，可以获得具有高Q值和更高频带的高频滤波器。
顺便提及，当将保护层11a设置得如结合图2所述那样从输入电极7b和支持电极7c的表面延伸到基片4的表面上时，形成在保护层11a上的连接孔11b和11c也可以具有下述形状，如图5所示，从输入电极7b和支持电极7c的表面延伸到基片4的表面上。在此情况下，在形成振动电极15a中，进行图案蚀刻，从而使振动电极15a的两端部分完全覆盖连接孔11b和11c的内部，每个端部的边缘位于保护层11a上，振动电极15a的中心部分横跨输出电极7a。因此，振动电极15a的两端部分的边缘不延伸到保护层11a的表面之外，从端部的边缘至梁(振动部分)16a的整个表面通过保护层11a和连接孔11b和11c固定在输入电极7和支持电极7c上。
具有由此形成的振动电极15a的微型机器20a可以使振动电极15’的线宽独立于输入电极7b的线宽。顺便说，具有图5所示结构的微型机器20内的振动电极15a可以形成具有恒定线宽。此外，由于端部可以设置为比梁(振动部分)16a足够宽，从而可以可靠地支撑梁(振动部分)16a，并且因此可以获得更接近理论值的高频振动。
(第二实施例)图6A～6G是根据第二实施例的制造方法的工序的剖视图。图7～9是用于解释根据第二实施例的制造方法的平面视图。下文将在图6A～6G基础上结合图7～9对根据第二实施例的微型机器的制造方法进行说明。顺便说一下，图6A～6G对应于图7～9平面视图中的A-A断面。
首先，在图6A中，采用第一实施例中与图1A所示相同的方式执行工序，从而形成基片4，即用将氮化硅膜3b叠置在氧化硅膜3a上而形成的绝缘层3覆盖诸如单晶硅等半导体基片1的表面。
然后如图6B所示，通过对基片4上的第一导电层制作布线图案，形成输出电极7a1、输入电极7b1和支持电极7c1。第二实施例的特征是，使用在以后进行的振动电极的制作布线图案成形时具有抗蚀阻力的材料作为形成电极7a1～7c1的第一导电层的材料。因此，当由诸如多晶硅的硅层形成振动电极时，使用例如对硅蚀刻具有抗蚀阻力的导电材料形成电极7a1～7c1，例如钛和钛合金、钨和钨合金、包含硼(B)的多晶硅、类似碳的金刚石(DLC)、或包含硼(B)或氮(N)的金刚石。顺便的说，采用与第一实施例的电极7a～7c相同的方式设置电极7a1～7c1。
然后如图6C所示，在覆盖电极7a1～7c1的状态下将牺牲层13铺设在基片4上。牺牲层13通过在不影响基片4的表面层(在此情况下为氮化硅膜3a)和电极7a1～7c1的情况下有选择地清除材料(例如氧化硅)形成。
然后如图6D和7所示，抵达输入电极7b1的连接孔13b和通过支持电极7c1而抵达基片4表面的连接孔13c形成在牺牲层13上。这些连接孔13b和13c可以形成在输入电极7b1和支持电极7c1的表面区域内，或可以作为从输入电极7b1和支持电极7c1的表面延伸到基片4表面的连接孔13b1和13c1而设置，如图7双点划线所示。
如图6E和图8所示，形成通过连接孔13b和13c与输入电极7b1和支持电极7c1相连并跨过输出电极7a1的带状振动电极15。通过在包括连接孔13b和13c内部的牺牲层13上制造第二导电层(例如多晶硅膜)而形成振动电极15，可以在不影响输出电极7a1、输入电极7b1和支持电极7c1的状态下，对所述第二导电层进行蚀刻，并且对第二导电层进行有选择地图案蚀刻。
采用下述图案形成振动电极15，从而使振动电极15的两端不从连接孔13b和13c内部延伸。因此，在连接孔13b和13c具有从输入电极7b1和支持电极7c1的表面延伸到基片4表面上的情况下，振动电极15的两端部分也可以形成为延伸到基片4的表面上。
然后如图6F所示，在导线形成部分上的牺牲层13被部分地清除，在振动电极15下方空间内留有牺牲层13，从而形成与输入电极7b1相连的导线17。采用与第一实施例中图1H所述的相同方式执行上述工序。
然后在不影响电极7a1～7c1和15、基片4的表面以及导线1 7的情况下，通过选择地蚀刻对牺牲层13进行清除。因此，如图6G和图9所示，在振动电极15下形成空间部分(间隙)A。采用与结合图1I所述的第一实施例相同的方式执行上述工序。
如上所述，获得具有带状振动电极15的微型机器21，采用下述方式形成振动电极15，也就是将梁(振动部分)16铺设在输出电极7a1上，同时在输出电极7a1和振动电极15之间存在空间部分A，振动电极15的两端部分支撑在输入电极7b1和基片4上，同时支持电极7c1位于基片4和振动电极15之间。
参考图6E和图8所述，具体地说，根据第二实施例的上述制造方法形成振动电极15的图案，从而使振动电极15两端部分的边缘设置在被布置于牺牲层13中的连接孔13b和13c内。在此时，由于在不影响形成输入电极7b1和支持电极7c1的第一导电层的前提下，形成振动电极15的第二导电层可以有选择地被蚀刻，所以在形成振动电极图案时，在不影响处在连接孔13b和13c的底部暴露的输入电极7b1和支持电极7c1的前提下，可以形成振动电极15的蚀刻图案。作为图案形成的结果，振动电极15仅具有设置在牺牲层13上的中央部分，振动电极15的两端部分的整个表面设置在连接孔13b和13c内。
然后，在此状态下，如结合图6G所述，有选择地清除牺牲层13。因此，可以获得具有下述形状的振动电极15，即空间部分A仅设置在中心梁(振动部分)16的下方，从而振动电极15两端部分的整个表面固定在基片4上的输入电极7b1和支持电极7c1上。
在具有这种形状的振动电极15的微型机器21中，如根据第一实施例的微型机器20和20a那样，当振动电极15通过输入电极7b施加预定频率的电压而振动时，仅仅梁(振动部分)涉及振动，并且振动。因而振动的固有频率更接近理论值(一个与振动部分长度L的平方成反比的数值)，通过显微制造，容易获得较高的频率。因而，可以获得具有高Q值和更高频带的高频滤波器。
顺便提及，当将连接孔13b1和13c1设置成如结合图7所述那样从输入电极7b和支持电极7c的表面延伸到基片4的表面上时，如图10所示，振动电极15a的两端部分可以形成为延伸到基片4上。因此，有可能对振动电极15a的线宽独立于输入电极7b1线宽进行设置。这种振动电极15a可以形成为具有恒定线宽或形成为仅端部具有更大的线宽。此外，由于端部可以设置成比梁(振动部分)16a宽的多，所以可以可靠地支撑梁(振动部分)16a。因此，可以获得能够实现更接近理论值的高频振动的微型机器21a。
当在上述第二实施例中没有形成支撑电极7c1时，在上述结合图6D所述那样加工时，连接孔13c形成为抵达基片4。因此，获得可以提供类似效果的微型机器。
工业利用性如上所述，根据本发明的微型机器及其制造方法，形成一振动电极，其中仅在梁(振动部分)下方设置空间部分，支撑所述梁的两端部分的整个表面固定在输入电极上和诸如基片等的基座上。因此，当通过所述输入电极施加预定频率电压时，仅仅梁(振动部分)涉及振动，并且因此可以获得一更接近理论值的振动固有频率。由此，通过显微制造振动电极，能够实现更高频率，从而可以获得具有高Q值和更高频带的高频滤波器。
权利要求
1.一种微型机器包括设置在基片上的一输入电极和一输出电极；通过将振动部分铺设在所述输出电极的上，在所述输出电极和所述振动电极之间设置一空间部分，所述振动电极的两端部分支撑在所述输入电极和所述基片上所形成的振动电极；其特征在于，从每个端部的边缘至所述振动部分的所述振动电极的每个端部部分的整个表面完全固定在所述输入电极和所述基片上。
2.如权利要求1所述的微型机器，其特征在于，所述振动电极由不会影响形成所述输入电极的材料、可以被有选择蚀刻的材料所形成。
3.如权利要求1所述的微型机器，其特征在于，端部固定在所述输入电极的所述振动电极的端部宽度大于所述输入电极的宽度。
4.一种制造微型机器的方法包括如下步骤通过对基片上的第一导电层进行制作布线图案，形成一输入电极和一输出电极；在所述输入电极的上表面上以及在与所述输入电极相反侧上的所述基片上形成绝缘保护膜，所述输出电极位于所述输入电极和所述相反侧之间；在覆盖所述输入电极和由所述保护膜的表面曝露的所述输出电极的情况下，不影响所述基片上的保护膜，形成能够被有选择蚀刻的牺牲层；在所述保护膜中形成抵达所述输入电极和所述基片的连接孔；通过对形成在包括所述连接孔内部的牺牲层上的第二导电层进行制作布线图案，形成具有两端部分和中央部分的带状振动电极，所述两端部分完全覆盖所述连接孔的内部，每一所述端部部分的边缘位于所述保护膜上，所述中央部分跨过所述输出电极的上方；通过有选择地清除所述牺牲层，在所述振动电极和所述输出电极之间形成空间部分。
5.一种制造微型机器的方法包括如下步骤通过对基片上的第一导电层进行制作布线图案，形成一输入电极和一输出电极；形成覆盖所述基片上的输入电极和输出电极的牺牲层；在所述牺牲层中形成一抵达所述输入电极的连接孔以及形成一抵达在所述输入电极相反侧上的基片表面的连接孔，其中所述输出电极位于所述输入电极和所述相反侧之间；在不影响包括所述连接孔的所述牺牲层上的所述第一导电层的前提下，形成能够被有选择蚀刻的第二导电层；通过不影响第一导电层地的所述第二导电层的有选择图案蚀刻，形成具有两端部分和中央部分的带状振动电极，所述两端部分的边缘位于每个连接孔内，所述中央部分跨过所述输出电极的上方；以及通过有选择地清除所述牺牲层，在所述振动电极和所述输出电极之间形成空间部分。
全文摘要
本发明公开一种用于具有高Q值和高频带的高频滤波器的微型机器(20)。在微型机器(20)中包括设置在基片(4)上的输入电极(7b)、输出电极(7a)和支持电极(7c)；以及带状振动电极(15)，在穿过支持电极(7c)将振动电极(15)的两端部分支撑在输入电极(7b)和基片(4)上的状态下，通过穿过间隙部分(A)将梁(振动部分)16铺设在输出电极(7a)的上部形成振动电极(15)，其中在从端部至梁(16)的整个表面范围上，振动电极(15)的两端部分被完全地固定于所述输入电极(7b)和支持电极(7c)。
文档编号H03H3/007GK1681733SQ0382187
公开日2005年10月12日 申请日期2003年7月14日 优先权日2002年7月30日
发明者多田正裕, 木下隆, 谷口武士, 池田浩一 申请人:索尼株式会社