专利名称：薄膜压电谐振器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜压电谐振器及其制造方法，更具体而言，涉及一种利用沿薄压电膜的厚度方向的轴向振动的薄膜压电谐振器，以及制造这种薄膜压电谐振器的方法。
背景技术：
随着在无线通信领域取得的显著突破，已经进行多种改进以加速信息传输。利用无线通信，广泛采用大约2GHz的频带来应对PHS系统、第三代便携式电话、无线LAN等等的引入。而且，用户和无线终端的数量在大范围增长。信息传输速度越快，则载波频率越高。现在商用领域采用的是在5GHz频带运行的无线LAN系统。
对于在高频带运行的通信装置，人们迫切希望能够减小其尺寸。特别是，对于个人电脑(PC)，通过PC卡来实现通信装置，这种PC卡可以薄至大约数毫米。
通常，采用PC卡形状的无线通信装置包括处理射频的RF前端以及处理数字信号的基带(BB)单元。该基带单元优选为由硅(Si)基底制成的LSI芯片，并且其可以薄至1毫米以下。
该RF前端放大和变换高频为模拟信号，并且包括多个无源元件，例如振荡器和滤波器。从技术角度讲，难以仅通过LSI芯片来构建该RF前端，这是因为该RF前端具有非常复杂的结构。该滤波器可以是介质或者LC滤波器。该滤波器能够利用腔谐振器或者LC电路的带通特性来滤去高频信号，并且基本上也难以将其微型化以及薄型化至数毫米以下。换言之，对那些在高频带运行的通信装置进行微型化时会受到诸多限制。
为了克服前述问题，例如日本专利申请早期公开No.2000-069,594提出一种引人注意的膜体声波谐振器(FBAR)。在该FBAR中，由氮化铝(AlN)或者氧化锌制成的压电膜夹在上下电极之间。该薄压电膜置于基底中的腔的上面。该谐振器使得频率沿接触到空气层的上下电极以及该压电膜的厚度方向谐振。能够由制膜工艺实现的前述0.5微米至数微米的厚度适于数GHz的频率。因此，易于制造和GHz频带的高频相适应的谐振器。
例如，两个薄膜压电谐振器串联连接，其中一个薄膜压电谐振器并联连接到两个薄膜压电谐振器，从而制得梯形滤波器。利用带通滤波器，串联连接的该薄膜压电谐振器的中心频率和并联连接的薄膜压电谐振器的中心频率略有不同。因此，例如，将并联连接的薄膜压电谐振器的谐振频率调节为和串联连接的薄膜压电谐振器的谐振频率相同。
可以利用用于在基底上形成薄膜的制膜工艺来制造前述薄膜压电谐振器，并且可以将其微型化。特别是，可以容易地将通用的滤波器制造成薄至1毫米以下，而这通常是非常困难的。而且，基底可以由Si制成，从而可以通过半导体制造工艺来制造该薄膜压电谐振器。进而，该薄膜压电谐振器可以可靠地和晶体管、IC、LSI等等相适应，并且可以将这些部件安装到其上。
然而，当利用其上安装有晶体管、IC、LSI等等部件的薄膜压电谐振器来制造高频模块时，出现了下列新问题。
该薄膜压电谐振器在体驻波上运行并且产生谐振，该体驻波沿压电膜厚度方向产生。然而，侧向模式驻波产生在电极的边缘以及压电膜的边缘。这些侧向模式驻波具有特定值。从而，产生侧向模式驻波。侧向模式驻波的波长不同于体波波长。当与体波结合时，侧向模式驻波导致产生多种寄生振动模式(寄生振动)。如果产生寄生振动，则产生波纹，其使高频信号特征起伏(史密斯图)。该现象大大恶化了薄膜压电谐振器的谐振性能，或者会使得谐振性能不稳定。
为了克服前述问题，已经提出，通过将薄膜压电谐振器的上电极轮廓形成为不规则的多边形，如附图14所示，从而抑制该侧向模式驻波。然而，由于这种上电极104变得更大，从而不可能微型化包括薄膜压电谐振器的滤波器。
参考图15和图16，薄膜压电谐振器100包括上电极104、具有腔101H的基底101、在腔101H上面延伸的下电极102以及位于下电极102上的压电膜103。该上电极104设置在压电膜103的上面，并且在其一端具有阻尼层105。该阻尼层105阻尼该侧向模式驻波。然而，需要在薄膜压电谐振器100的制造工艺中新增加阻尼层105的制造工艺。这不仅增加了制造工艺数，而且还减小了薄膜压电谐振器100的产量。而且，该阻尼层105应当和上电极104的边缘对准。然而，不能保证足够的处理裕度。
发明内容
本发明旨在提供一种薄膜压电谐振器，该薄膜压电谐振器能够克服现有技术中的前述问题，改进其谐振性能，并且可以得以微型化。
进而，本发明旨在提供一种制造薄膜压电谐振器的方法，该方法能够减少制造步骤数，改进产量，以及保证足够的处理裕度。
本发明的实施例的第一个方面涉及一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上的第二电极。该第二电极的外周的部分覆盖在该腔上，且被锥角化，以具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定。
本发明的实施例的第二个方面涉及一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上且其外周的部分覆盖在该腔上的第二电极；以及位于第二电极和无第二电极的压电膜上的绝缘体，该绝缘体在第二电极的中心较薄，而在第二电极的外周较厚。
本发明的实施例的第三个方面涉及一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上且其外周的部分覆盖在该腔上的第二电极，该第二电极被锥角化，并且具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定；以及位于第二电极和无第二电极的压电膜上的绝缘体，该绝缘体在第二电极的中心较薄，而在第二电极的外周较厚。
本发明的实施例的第四个方面涉及一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上且其外周的部分覆盖在该腔上的第二电极，以及位于第二电极和无第二电极的压电膜上的绝缘体，该绝缘体的厚度在压电膜上以及第二电极的外周上变化。
本发明的实施例的第五个方面涉及一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上且外周覆盖在该腔上的第二电极；以及位于第二电极和无第二电极的压电膜上的绝缘体，该绝缘体的厚度在压电膜上以及第二电极的外周上逐渐变化。
本发明的实施例的最后一个方面涉及一种薄膜压电谐振器的制造方法。该方法包括在基底中形成腔；在该腔的上面形成第一电极；在该第一电极上形成压电膜；在该压电膜上形成电极形成层；在该电极形成层上形成光致抗蚀层，该光致抗蚀层覆盖在该腔上；锥角化该光致抗蚀层的边缘，该锥角化的光致抗蚀层具有锐角并且用作掩模；以及利用该掩模构图该电极层，从而形成第二电极，然后将该锥角化掩模边缘的形状转印到第二电极的端部，该锥角化第二电极的边缘具有锐角内角。
图1是沿图2所示的F1-F1线的根据本发明的第一实施例的薄膜压电谐振器的截面图；图2是图1的薄膜压电谐振器的俯视图；图3是图1的薄膜压电谐振器的基本部件的放大截面图；图4示出图3的薄膜压电谐振器中的第二电极的边缘的角度和反谐振点之间的关系；
图5示出图3的薄膜压电谐振器的高频特征；图6是示出在第一制造工艺中如何制造图1和图2的薄膜压电谐振器的截面图；图7是示出如何在第二制造工艺中制造薄膜压电谐振器的截面图；图8是示出如何在第三制造工艺中制造薄膜压电谐振器的截面图；图9是示出如何在第四制造工艺中制造薄膜压电谐振器的截面图；图10是根据第二实施例的薄膜压电谐振器的基本部件的放大截面图；图11是根据第三实施例的薄膜压电谐振器的基本部件的放大截面图；图12示出第二电极的边缘和绝缘体的阶梯部分之间的距离和图13的薄膜压电谐振器的反谐振点之间的关系；图13是根据第四实施例的薄膜压电谐振器的基本部件的放大截面图；图14示出现有技术的薄膜压电谐振器的上电极的轮廓；图15是沿图16的F14-F14线的图14的薄膜压电谐振器的截面图；以及图16是图15的薄膜压电谐振器的俯视图。
具体实施例方式
(第一实施例)薄膜压电谐振器的结构参考图1至图3，该实施例中的薄膜压电谐振器1(称为“压电谐振器1”)包括具有腔2H的基底2；在腔2H上面延伸的第一电极(下电极)5；在第一电极5上延伸的压电膜6；以及在压电膜6上部分延伸的第二电极7。第二电极7的外周71覆盖在腔2H上，并且经锥角化之后具有小于等于30度的内角θ，该内角由其外周的一部分和其底部来限定，例如，在第一实施例中该内角θ被设置为15度至30度之间。
在该实施例中，基底2由硅制成。腔2H例如是矩形。当使用声反射器时，将其置于腔2H中，其中该腔通过凹挖基底2的一部分而制得。
第一电极5在腔2H上面以及在基底2上延伸。第一电极5的不在腔2H上面延伸以及设置在基底2上的那一部分用作引出线。第一电极5主要由例如铝(Al)膜或者铝合金膜制成，并且具有双重结构，也就是，第一电极5的下部具有无定形结构从而改进压电膜6的取向。
压电膜6位于第一电极5上，并且在腔2H上面延伸。压电膜6优选由例如氮化铝(AlN)制成。
第二电极7在压电膜6上以及腔2H上面延伸。第二电极7的不在腔2H上面延伸的那一部分用作压电膜6上的引出线。第二电极7优选由钼(Mo)制成。
在压电谐振器1中，第一电极5、压电膜6以及桥接在腔2H上面的第二电极7用作激励器。通过对第一和第二电极5和7施加电压来振动该激励器，从而该压电谐振器1能够具备谐振特性。
第一布线8A在基底2上面而不是在腔2H上面延伸，其经假焊垫3而电连接到第一电极5，并且优选由例如Mo制成。第二布线在基底2上面而不是腔2H上面延伸，并且电连接到第二电极7。
该假焊垫3具有导电性，其对第一和第二电极5和6具有蚀刻选择性，并且位于设置第一电极5的引线(与第一电极5齐平的引线)和压电膜6的外周的位置。假焊垫3形成为连接布线，使得能够对压电膜6构图，防止引线(第一电极5)和第一布线8A断连，以及确保在引线和第一布线8A之间的电连接。假焊垫3优选由例如Mo制成。假焊垫3优选具有30度至60度之间的内角，从而改善第一布线8A对假焊垫3的阶梯覆盖。
图3是图1的薄膜压电谐振器的基本部件的放大截面图，而图4示出图3的薄膜压电谐振器中的第二电极的边缘的角度和反谐振点之间的关系。
在第一实施例中，通过将第二电极7的边缘控制为固定端以及有效分散驻波的频率以抑制寄生振动，从而压电谐振器1缓和了环境条件。虽然不可能完全去除驻波，但是可以大大减小史密斯图(Smith chart)中的寄生振动。
参考图3，第二电极7的适当锥角化边缘71的长度非常重要，并且应当长达压电膜6的体波波长。为此，考虑到处理裕度，第二电极7的边缘的内角θ应当为小于等于30度。
而且，当内角θ为小于等于30度以及在30以下逐渐下降时，该反谐振点急剧上升。参考图4，该反谐振点越高，则寄生振动越少。另一方面，由于在制造过程中第二电极7的边缘71的处理精度误差增大，所以内角θ小于等于5度是不优选的。因此，内角θ为15度以上，这从处理精度的角度考虑在实施中没有问题。
压电谐振器1的频率特征如图5所示。在图5中，横坐标代表频率，而纵坐标代表阻抗。字母“B”表示当将第二电极7的边缘加工为垂直边缘(θ＝90度)时的频率特征。在这种情况下，高频特征包括显著寄生振动。另一方面，字母“A”表示当将第二电极7的边缘加工为内角θ为小于等于30度时的频率特征。该频率特征不包括寄生振动。
如图6至图9所示来制造压电谐振器1。首先，制备基底。优选采用Si物质。
参考图6，在基底2上第一电极5的引线与压电膜6的外周覆盖的位置(图6中的上表面)形成假焊垫3。假焊垫3由经溅射工艺制备的Mo膜形成。该Mo膜利用经光刻工艺制备的掩模进行构图。
之后，在高真空系统中，在包括假焊垫3的基底2上连续形成第一电极形成层和压电膜形成层(参考图7)。根据W-CDMA规格的频率，采用250纳米厚的Al合金膜用作第一电极形成层。采用1700纳米厚的AlN膜用作压电膜形成层。
参考图7，对该压电膜形成层构图，从而制成该压电膜6。然后，对第一电极形成层进行构图处理，从而制成第一电极5。通过利用氯(Cl)的反应性干蚀刻工艺，以及通过利用由光刻工艺制备的掩模，来进行构图。
接着，在包括压电膜6的整个基底2上形成第二电极形成层(参考图8)。将250纳米厚的溅射的Mo膜用作第二电极形成层。之后，在第二电极形成层上的第二电极7和引线的建议位置形成光致抗蚀膜。在这种情况下采用光刻工艺。在150℃的温度下对该光致抗蚀膜烘烤大约10分钟到20分钟。利用该光致抗蚀膜制得图8中虚线所示的掩模(蚀刻掩模)75。掩模75的边缘由于被烘烤而类似于第二电极7的边缘71锥角化。简言之，内角θ优选为15度至30度之间。
利用掩模75对第二电极形成层进行构图，从而制成第二电极7。将掩模75的锥角化边缘复制到第二电极7的边缘71，从而边缘71的内角θ也处于前述范围内。然后去除掩模75。
在同一个制造步骤中(参考图9)，连续形成第一布线8A(其经假焊垫3电连接到第一电极5)和第二布线8B(其连接到第二电极7)。
之后，对基底2的后表面向前表面蚀刻，从而形成腔2H。在这种状态下，制成第一实施例的压电谐振器1。
实例下面将参考图1至图3来描述第一实施例的压电谐振器1的具体实例。
在压电谐振器1中，第一电极5具有双重结构，其中它的下部是无定形的，从而改进压电膜6的取向，也就是AlN的取向。可以通过控制AlN的取向来改进谐振特性。可以相对于X射线的摇摆曲线，将溅射的AlN膜的取向控制为小于等于1.5度。而且，还可以控制AlN的应力，从而稳定桥接腔2H的部件。特别是，对基底2从后表面进行高速RIE，从而制得腔2H。第一和第二布线8A和8B由金(Au)或铝制成。
压电谐振器1在2GHz频带运行，具有6.7％的机电耦合常数以及800的谐振Q值。在制造过程中，Si晶片的面内分布形式是优越的形式，并且能够在6英寸晶片上可靠再现前述特性。
如上所述，在压电谐振器1中，第二电极7的边缘71经锥角化处理，从而具有15度至30度之间的内角θ，这避免了第二电极7具有不规则多边形形状，改进谐振特性，以及实现尺寸减小。
而且，利用压电谐振器1的制造方法，制得的光致抗蚀膜位于第二电极7上并且覆盖在腔2H上，从而通过对该光致抗蚀膜的边缘进行锥角化处理形成掩模75，从而使得内角为锐角。利用掩模75对第二电极形成层进行构图，从而形成第二电极7。将掩模75的锥角化边缘复制到第二电极7的边缘上。第二电极7的边缘的内角θ为15度至30度之间。在构图该光致抗蚀膜之后，仅烘烤掩模75的边缘。因此，不必形成新的阻尼层，这对于减少制造步骤数以及改进生产产量而言是有效的。
(第二实施例)第二实施例将进一步抑制第一实施例的压电谐振器的寄生振动，以及提供能够长时间保持可靠性的压电谐振器。
参考图10，该实施例的压电谐振器1包括绝缘体(钝化膜)9，该绝缘体的介电常数不同于第二电极7的介电常数，并且具有均匀厚度。绝缘体9在包括边缘71的第二电极7和压电膜6的上面延伸。简言之，绝缘体9直接接触第二电极7。绝缘体9优选由氮化硅膜(Si3N4)制成，该氮化硅膜通过CVD工艺制备并且大约为2纳米至50纳米厚。此外，绝缘体9还可以由氧化硅膜(SiO2)、AlN膜等等制成，这些材料的介电常数都不同于第二电极7的介电常数。而且，绝缘体9可以利用溅射工艺或者通过利用电子枪(E枪)来制备，只要充分覆盖该阶梯部分并且膜应力处于容许范围内即可。
绝缘体9保护压电谐振器1的第二电极7、压电膜6以及其他部件免受氧化导致的老化。特别是，绝缘体9在第二电极7和压电膜6的上面延伸，并且防止它们暴露到空气。因此，可以有效分散驻波的频率，这就进一步大大抑制寄生振动。绝缘体9形成在第二电极7和压电膜6上，并且不需要诸如溅射的任何工艺，从而改进制造过程中的处理裕度。
(第三实施例)在第三实施例中，修改第二实施例的第二电极7的边缘71的截面形状和绝缘体9的形状。绝缘体9在第二电极7上面延伸。
参考图11，压电谐振器1包括具有腔2H的基底2；在该腔2H上面延伸的第一电极5；第二电极7，其边缘71覆盖在该腔2H上；压电膜6；以及绝缘体9。该绝缘体9在第二电极7和压电膜6的部分上延伸。该绝缘体9在第二电极7的中心上较薄，而在第二电极7的外周上较厚。
该实施例的第二电极7的边缘71的截面形状不同于第一和第二实施例中的第二电极7的边缘71的截面形状。在该实施例中，边缘71的内角θ大约为90度。
绝缘体9包括第一绝缘元件9A和第二绝缘元件9B。第一绝缘元件9A在压电膜6和第二电极7的外周上延伸，并且在第二电极7的边缘上较厚。第二绝缘元件9B在第二电极7的中心上延伸，并且在其上较薄。第一和第二绝缘元件9A和9B在同一个制造步骤中通过部分蚀刻绝缘膜(也就是，在第二电极7的中心上)而形成。
在压电膜6上(点9a)[在腔2H上面延伸]、在压电膜6和第二电极7之间的边界(点9b)以及在第二电极7的外周(点9c)上，第一绝缘元件9A的厚度有所变化。换言之，在点9a、9b和9c上，第一绝缘元件9A的有效厚度ta、tb和tc增加。绝缘体9看上去加厚了，这是因为在点9b和9c上第二电极7的厚度有所增加。通过准确定位第二电极7的边缘71以及确定第二绝缘元件9A改变其厚度的位置，可以有效分散驻波的频率并且抑制寄生振动。抑制寄生振动很大程度上依赖于第一和第二绝缘元件9A和9B之间的边界。
图12示出反谐振点和距离L之间的关系，其中距离L是从第二电极7的边缘71到第一和第二绝缘元件9A和9B的边界之间的距离。在图12中，横坐标代表距离L，而纵坐标代表反谐振点。当第二绝缘元件9A位于1微米至10微米之间的范围内(在距离L内)时，该反谐振点增加，同时寄生振动得以抑制。特别是，当距离L为2微米至5微米时，抑制寄生振动的效果最好。本发明的发明人已经进行若干试验，已经注意到当距离L为3微米时寄生振动得到最大程度的抑制。
(第四实施例)在该实施例中，薄膜压电谐振器1是第二和第三实施例的薄膜压电谐振器1的结合。
参考图13，压电谐振器1包括具有腔2H的基底2；跨接在腔2H上面的第一电极5；第一电极5上的压电膜6、第二电极7以及绝缘体9。第二电极7的外周71覆盖在腔2H上面，并且其锥角化角度θ小于等于30度。绝缘体9在第二电极7和压电膜6上延伸，并且在压电膜6和第二电极的外周71上的部分比在第二电极7上的部分要更厚。特别是，绝缘体9的厚度在压电膜6和第二电极7上逐渐变化。
该实施例的压电谐振器1和第二和第三实施例中的压电谐振器结合得到的压电谐振器同样有利和有效。
(其他实施例)虽然已经参考若干实施例来描述本发明，但是本领域技术人员将会理解可以实现多种其他变型。在前述实施例中，薄膜压电谐振器描述为应用到2GHz的频带。此外，本发明还可以应用到在800MHz至5GHz的频带上运行的压电谐振器。
前述说明涉及用于构成滤波器的薄膜压电谐振器。可选的是，本发明还可以应用于构成压控振荡器。
另外，假设该压电谐振器具有FBAR结构。可选的是，该压电谐振器还可以具有SMR(表面安装型谐振器)结构，该结构具有声反射层。
如上所述，本发明提供的薄膜压电谐振器不仅能够改进谐振特性还可以减小尺寸。
而且，本发明提供制造薄膜压电谐振器的方法。该方法改进产量，确保足够的处理裕度，同时减小制造步骤数。
相关申请的交叉引用本发明基于并要求2005年8月8日提交的在前日本专利申请No.2005-229,815的优先权，该在前申请的整体内容在此引用作为参考。
权利要求
1.一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；第一电极，其在所述腔的上面延伸；压电膜，其位于所述第一电极上；以及第二电极，其位于所述压电膜上，所述第二电极的外周的部分覆盖在所述腔上并被锥角化，并且所述第二电极具有小于等于30度的内角，所述内角由其外周的部分以及其底部来限定。
2.如权利要求1所述的薄膜压电谐振器，其中所述第二电极的外周的部分被锥角化，并且具有大于等于15度的内角。
3.如权利要求1所述的薄膜压电谐振器，其中所述腔穿过所述基底。
4.如权利要求1所述的薄膜压电谐振器，其中所述腔包括嵌入其中的声反射层。
5.如权利要求1所述的薄膜压电谐振器，还包括绝缘体，所述绝缘体在包括其所述外周的所述第二电极和无第二电极的所述压电膜的上面延伸，并且其介电常数不同于所述第二电极的介电常数。
6.如权利要求1所述的薄膜压电谐振器，其中所述绝缘体由氧化硅膜、氮化硅膜或者氮化铝膜制成。
7.如权利要求2所述的薄膜压电谐振器，还包括绝缘体，所述绝缘体在包括其所述外周的所述第二电极和无第二电极的所述压电膜的上面延伸，并且其介电常数不同于所述第二电极的介电常数。
8.如权利要求2所述的薄膜压电谐振器，其中所述绝缘体由氧化硅膜、氮化硅膜或者氮化铝膜制成。
9.一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；第一电极，其在所述腔的上面延伸；压电膜，其位于所述第一电极上；第二电极，其位于所述压电膜上且其外周的部分覆盖在所述腔上，以及绝缘体，其位于所述第二电极和无第二电极的所述压电膜上的，所述绝缘体在所述第二电极的中心较薄，而在所述第二电极的外周较厚。
10.如权利要求9所述的薄膜压电谐振器，其中所述绝缘体在所述第二电极的外周上的厚度为1微米至10微米的范围，在所述第二电极的剩余部分上厚度较薄。
11.如权利要求9所述的薄膜压电谐振器，其中所述绝缘体在所述第二电极的外周上的厚度为2微米至5微米的范围，在所述第二电极的剩余部分上厚度较薄。
12.如权利要求9所述的薄膜压电谐振器，其中所述绝缘体由氧化硅膜、氮化硅膜或者氮化铝膜制成。
13.如权利要求9所述的薄膜压电谐振器，其中所述腔中嵌入有声反射层。
14.一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；第一电极，其在所述腔的上面延伸；压电膜，其位于所述第一电极上；第二电极，其位于所述压电膜上且其外周的部分覆盖在所述腔上，所述第二电极被锥角化，并且具有小于等于30度的内角，所述内角由其外周的部分以及其底部来限定；以及绝缘体，其位于所述第二电极和无第二电极的所述压电膜上，所述绝缘体在所述第二电极的中心较薄，而在所述第二电极的外周较厚。
15.如权利要求14所述的薄膜压电谐振器，其中所述第二电极的外周被锥角化，并且具有大于等于15度的内角。
16.一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；第一电极，其在所述腔的上面延伸；压电膜，其位于所述第一电极上；第二电极，其位于所述压电膜上且其外周覆盖在所述腔上，以及绝缘体，其位于所述第二电极和无第二电极的所述压电膜上，所述绝缘体的厚度在所述压电膜上以及第二电极的外周上变化。
17.一种制造薄膜压电谐振器的方法，该方法包括在基底中形成腔；在所述腔的上面形成第一电极；在所述第一电极上形成压电膜；在所述压电膜上形成电极形成层；在所述电极形成层上形成光致抗蚀层，所述光致抗蚀层覆盖在所述腔上；锥角化所述光致抗蚀层的边缘，所述被锥角化的光致抗蚀层具有锐角并且用作掩模；以及利用所述掩模构图所述电极层，从而形成第二电极，然后将所述锥角化的掩模边缘的形状转印到所述第二电极的端部，所述锥角化的第二电极的边缘具有锐角内角。
18.如权利要求17所述的制造薄膜压电谐振器的方法，其中在掩模形成过程中，烘烤所述光致抗蚀层以锥角化所述抗蚀层的边缘。
19.如权利要求17所述的制造薄膜压电谐振器的方法，其中利用所述掩模来干蚀刻所述电极层，从而形成并锥角化所述第二电极的外周。
20.如权利要求19所述的制造薄膜压电谐振器的方法，其中所述电极层被锥角化，并且具有大于等于15度且小于等于30度的内角，其中所述内角由其外周的部分以及其底部来限定。
全文摘要
一种薄膜压电谐振器，包括具有腔的基底；在该腔的上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上的第二电极。该第二电极的外周部分覆盖在该腔上，且被锥角化，以具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定。
文档编号H03H3/00GK101061634SQ20068000032
公开日2007年10月24日 申请日期2006年3月29日 优先权日2005年8月8日
发明者板谷和彦, 尾原亮一, 佐野贤也, 安本恭章, 梁濑直子 申请人:株式会社东芝