专利名称：压电谐振板和压电谐振器的制作方法
技术领域：
本发明涉及压电谐振板和压电谐振器，更为具体的，涉及压电谐 振板的构造。
背景技术：
压电振荡装置包括，使用由基部和具有从该基部伸出的两个分叉 的振荡部构成的音叉晶体振荡极板的音叉晶体振荡器(例如，参见专 利文献l)。该音叉晶体谐振器用于电子装置、便携终端等以提供精 确的时钟频率。
上述音叉晶体谐振器具有由基座和盖子构成的外壳，在该外壳 内，气密地密封着由导电接合部件接合并支撑在基座上的音叉晶体谐 振板。导电接合部件使用例如导电粘合剂。通过使用导电粘合剂将音 叉晶体谐振板的基部与基座接合起来，从而使音叉晶体谐振器中的激 励电极与设在基座中的焊盘电极之间电导通。
专利文献1给出了一种结构，其中音叉晶体谐振板的基部设置有 开槽。该专利文献公开了该结构减弱了分叉部的振动向基部一侧泄
漏，并通过增强约束振荡能量效应降低了 CI值(晶体阻抗)。 专利文献l: JP2004-260718A。
但是，在专利文献l中所述的音叉晶体谐振器中，随着音叉晶体 谐振板的尺寸进一步缩小，其趋势为基部进一步缩小。特别是，当基 部区域进一步缩小(尤其是基部区域的长度缩短)时，不仅不能得到 良好地约束振荡能量的效果，而且在基部区域内难以获得导电接合部 件用的有效接合区域，因而存在对诸如音叉晶体谐振器基座的连接目 标的接合强度降低的问题。
为了解决上述问题，本发明的目的为提供一种压电谐振板和压电
谐振器，具有高度的可靠性并且由此可以在不降低压电谐振板的接合
强度的前提下减小压电谐振板的尺寸，以及CI值(晶体阻抗)可以
通过约束振荡能量效应的增强而得到降低。
发明内容
为了达到该目的，本发明的压电谐振板包括基部和振荡部，振荡
部具有从基部伸出的多个分叉部。每个分叉部设置有具有不同电势 的激励电极；和连接至激励电极的引线电极，以便将激励电极电连接 至外部电极。在基部中至少具有两个导电接合部件形成区域，用于将 引线电极的一部分通过导电接合部件接合至外部电极。基部以宽于振 荡部的方式形成，并且具有基部中央区域和基部拓宽区域，基部中央 区域具有与振荡部相同的宽度，振荡部从基部中央区域延伸；基部拓 宽区域沿振荡部的侧边延伸出来，并限定导电接合部件形成区域。从 位于基部中央区域和基部拓宽区域之间的基部的边界角部开始的伸 长的薄壁部分形成于基部内。
根据本发明，基部以宽于振荡部的方式形成并且具有基部中央区 域和基部拓宽区域，薄壁部分形成于基部内，从而产生于振荡部的振 荡能量的传输被基部拓宽区域减弱并由开始于位于基部中央区域和 基部拓宽区域之间的基部的边界角部的薄壁部分有效阻挡。因此，可 以在实现基部尺寸减小的同时减少从振荡部向每个导电接合部件形 成区域的振荡泄漏。另外，由于开始于位于基部中央区域和基部拓宽 区域之间的基部的边界角部的延长的薄壁部分得以形成，可以在不增 加压电谐振板的基部长度的同时有效在基部拓宽区域内有效布置导 电接合部件形成区域，同时不会降低压电谐振板的接合强度。此外， 由于薄壁部分得到延长，压电谐振板的基部的刚性不被降低，不会出 现压电谐振板破损或者类似情形。
另外，本发明的压电谐振板包括基部和具有从基部伸出的多个分 叉部的振荡部。每个分叉部设置有具有不同电势的激励电极；和连 接至激励电极的引线电极，以便将激励电极电连接至外部电极。在基
部内至少具有两个导电接合部件形成区域，用于将引线电极的一部分 通过导电接合部件接合至外部电极。基部以宽于振荡部的方式形成， 并且具有基部中央区域和基部拓宽区域，基部中央区域具有与振荡部
相同的宽度，振荡部从基部中央区域延伸；基部拓宽区域沿振荡部的 侧边延伸出来并限定导电接合部件形成区域。在基部中，形成从基部 拓宽区域的延伸出分叉部的一侧的角部开始的伸长的薄壁部分。
根据本发明，基部以宽于振荡部的方式形成并且具有基部中央区 域和基部拓宽区域，薄壁部分形成于基部内，从而产生于振荡部的振 荡能量的传输被基部拓宽区域减弱并由开始于位于基部拓宽区域一 侧的角部的、分叉部由此伸出的薄壁部分在靠近振荡部的位置有效阻 挡。因此，可以在实现基部尺寸减小的同时，抑制振荡泄漏向基部的 扩散，减少从振荡部向每个导电接合部件形成区域的振荡泄漏。另夕卜， 由于导电接合部件形成区域可以靠近振荡部放置，可以通过抑制基部 长度增加进一步减小基部的尺寸。导电接合部件形成区域可以在不增 加压电谐振板的基部长度的同时有效放置在基部拓展区域内，同时压 电谐振板的接合强度不被降低。此外，由于薄壁部分得到延长，压电 谐振板的基部的刚性不被降低，不会出现压电谐振器破损或者类似情 形。
在上述结构中，薄壁部分的终端部分可以配置于基部中比导电接 合部件形成区域更内侧。
在此情形下，除了上述功能和效果，由于薄壁部分的终端部分被 配置于基部中比导电接合部件形成区域更内侧处，可以抑制每个导电 接合部件形成区域和振荡部的线性连接，这样，进一步加强了阻挡产 生于振荡部内的振荡能量传输的效果。因此，还可以在实现基部尺寸 缩小的同时，进一步减少从振荡部向每个导电接合部件形成区域的振 荡泄漏。
在上述结构中，导电接合部件可以为导电粘合剂。 在上述结构中，导电接合部件可以为导电凸起。此种情况下，除 上述功能和效果外，导电接合部件形成区域可以做得比采用导电粘合剂时更小，可以进一步减小压电谐振板的尺寸。另外，根据本发明， 可以通过延长的薄壁部分吸收连接导电凸起时带来的冲击，从而可以 避免压电谐振板的损坏或者破碎，这一点尤为可取。
在上述结构中，分叉部可以在其主表面上具有凹槽，激励电极的 一部分可以形成于凹槽内。
在此情况下，除上述功能和效果外，由于分叉部在其主表面上具 有凹槽且激励电极的一部分形成于其中，即使当压电谐振板缩小时，
也能够抑制分叉部的振荡损失，且CI值(晶体阻抗)可以保持较低。
另外，为了达到目的，根据本发明的压电谐振器件的特征为，基 座和顶盖连接在一起形成内部气密密封的外壳，外壳内的基座设置构 成外部电极的电极焊盘，根据本发明的压电谐振板的接合部件形成区 域通过接合部件接合至该电极焊盘。
根据本发明，可以提供具有与根据本发明的上述压电谐振板相同 的功能和效果的压电谐振器件。另外，当由来自外部的冲击或者来自 外部的影响产生的应力、产生从压电谐振板的外壳到振荡部的变形应 力时，延长的薄壁部分可以阻止出现的应力传输至振荡部，从而可以
有效防止因来自外部的应力的出现而产生的CI值的变化或者频率变化。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种压电谐振板和压电谐振器件，具有高 度的可靠性并由此可以在不降低压电谐振板的接合强度的前提下缩
小压电谐振板的尺寸，并可以通过提高约束振荡能量效应降低CI值
(晶体阻抗)。
图1为用于说明根据本发明的第一实施方式构成的音叉式晶体 谐振器的基座和音叉晶体谐振板的分解斜视图。
图2给出了根据本发明的实施方式的音叉式晶体谐振器的沿图1 中的箭头所指方向的A-A线的截面图。
图3为根据本发明的第二实施方式的音叉式晶体谐振器的截面图。
图4 (a)至4(d)为根据其他变化例的音叉式晶体谐振器的斜视图。
图5 (a)至5 (c)为根据其他变化例的音叉式晶体谐振器的斜视图。
具体实施例方式
此后，将参考附图对本发明的第一实施方式进行说明。需注意在 下述实施方式中，本发明用于作为压电谐振器的音叉式晶体谐振器。
如图1和2所示，根据本发明的音叉式晶体谐振器1包括音叉晶 体谐振板2 (此处所称的压电谐振板)，用于支撑音叉晶体谐振板2 的基座3，以及用于气密地密封支撑在基座3上的音叉式晶体谐振板 2的顶盖4。在音叉式晶体谐振器1中，如图2所示，基座3和顶盖4 接合在一起形成外壳，音叉式晶体谐振板2固定至外壳内部11的基 座3上，外壳内部ll被气密密封。在此情况下，如图2所示，基座3 和音叉式晶体谐振板2通过导电接合部件5接合在一起。
接下来，说明该音叉式晶体谐振器1的每个元件。基座3由诸如 陶瓷材料制成，如图1所示，形成为盒状，包括底面部分31和从底 面部分31向上延伸的侧壁部分32。侧壁部分32沿底面部分31表面 的外围设置。在基座3的侧壁部分32的上端部分33上提供用于接合 顶盖4的金属化层34。另外，电连接至后述的音叉式晶体谐振板2的 引线电极65a和65b的电极焊盘35和36被设置于位于基座3的内部 (见外壳内部11)的底面部分31的一侧的两个端部，基座3由底面 部分31和侧壁部分32所限定。这些电极焊盘35和36电连接至形成 于基座3的背面的各个端子电极(未示出)，并通过这些端子电极连 接至外部装置。电极焊盘35和36以及端子电极通过在印刷金属化材 料如鴒、钼等后将这些部件和基座3焙烧来形成，例如在其上设置镍 镀层和金镀层。
如图2所示，顶盖4由金属化材料构成，以从顶部看呈矩形的矩 形实体(单板)的形状形成。在顶盖4的下表面形成未示出的蜡状材 料，并通过缝焊熔接(seam welding )或者束焊熔接(beam welding ) 法接合至基座3，这样就形成了由顶盖4和基座3构成的音叉式晶体 谐振器l的外壳。用于本发明的外壳内部11指的是由顶盖4和基座3 气密地密封的部分。顶盖4也可以由陶瓷材料构成，并可以通过玻璃 材料获得气密密封。
作为用于导电接合部件5的材料，例如采用包括多个银填充物的 硅树脂导电粘合剂。通过固化导电粘合剂，多个银填充物结合为导电 物质。尽管采用了包含多个银填充物的硅树脂，但本发明并不限于此。
音叉式晶体谐振板2，如图1和2所示，通过刻蚀由各向异性的 晶体构成的基板6形成。基板6包括由两个分叉部分61a和61b (第 一分叉部和第二分叉部)构成的振荡部、以及基部62,分叉部61a和 61b从基部62延伸，基部62以宽于振荡部(分叉部61和分叉部62) 的方式形成。在两个分叉部61a和61b的两个主面(前主面和后主面) 上形成凹槽63a和63b。用于本例的凹槽63a和63b具有如图1所示 的凹形截面。但是，本发明不仅限于此，凹槽63a和63b可以为通孔 或者凹坑。
在音叉式晶体谐振板2的表面上设置图中未示出的具有不同电 势的两个激励电极(第一激励电极和第二激励电极)，以及从激励电 极引出以将激励电极电连接至电极焊盘35和36 (此处所称的外部电 极)的引线电极65a和65b (此处所称的导电接合部件形成区域)。 在图1和图2中，部分地示出了引线电极65a和65b，用于本实施方 式中的引线电极指的是从两个激励电极引线的电极。
另外，两个激励电极(第一激励电极和第二激励电极)的一部分 形成于凹槽63a和63b内。这样，即便当音叉式晶体谐振板2的制造 尺寸较小时，在分叉部分61a和61b的振荡损失也会得到抑制，CI 值(晶体阻抗)可保持较低。两个激励电极中，第一激励电极由形成 于第一分叉部61a的两个主面(前主面和后主面)上和凹槽63a中的
第一主面电极(未示出)、以及形成于第二分叉部61b的两个侧面上 的第二侧面电极(未示出)构成。第一主面电极和第二侧面电极通过 连线电极(未示出)相互连接并引出至引线电极65a (或者引线电极 65b)。类似的，第二激励电极由形成于第二分叉部61b的两个主面 (前主面和后主面)上和凹槽63b中的第二主面电极(未示出)和形 成于第一分叉部61a的两个侧面上的第一侧面电极(未示出)构成。 第二主面电极和第一侧面电极通过连线电极(未示出)相互连接并引 出至引线电极65b (或者引线电极65a)。
上述激励电极各自为由例如铬制的下层电极层和金制的上层电 极层构成的多层薄膜。该薄膜通过诸如在利用真空蒸镀法形成于整个 表面上之后利用光刻技术进行金属刻蚀以形成期望的形状。同样，图 1和图2中所示的上述引线电极65a和65b各自为由铬制的底层电极 层和金制的中间电极层以及铬制的上层电极层构成的多层薄膜。该薄 膜通过诸如在利用真空蒸镀法形成于整个表面上之后利用光刻技术 进行金属刻蚀以形成期望的形状，只有铬制的上层电极层是利用诸如 部分掩模的真空蒸镀法形成的。尽管激励电极按铬和金的顺序形成， 激励电极还可以按诸如铬和银、或者铬、金、铬、或者铬、银、铬的 顺序形成。此外，尽管引线电极65a和65b按铬、金、铬的顺序形成， 引线电极65a和65b还可按例如铬、银、铬的顺序形成。
关于音叉式晶体谐振板2的基部62，如图1所示，该基部62以 宽于振荡部(分叉部61a和61b)的方式形成，并具有与振荡部具有 相同宽度且振荡部(分叉部61a和61b )由此延伸的基部中央区域621 、 以及沿振荡部的宽度方向延伸出的基部拓宽区域622和623。即，如 图1所示，基部62由基部拓宽区域622和623相邻着基部中央区域 621地构成。如图1所示，设计成较窄宽度并具有凹形截面的延长的 薄壁部分7a和7b在基部62的两个主面(前主面和后主面)上形成。 该薄壁部分7a和7b的形成从位于基部中央区域621和基部拓宽区域 622和623之间的边界69上的边界角部64a和64b (作为一个端部) 开始，该边角部位于基部62的、分叉部61a和62a由此延伸的一侧。
即，边角部64a和64b用作开始端部，是薄壁部7a和7b的一个端部。 此外，薄壁部7a和7b从基部拓宽区域622和623穿过基部中央区域 621上方，当图1中所示的基部62从上面看时，薄壁部7a和7b的终 端部71a和71b (另 一端部)位于基部62中比导电接合部件形成区域 (图1所示的引线电极65a和65b)更内侧处。这样，当图l所示的 基部62从上方看时，图1中所示的引线电极65a和65b形成于基部 62内的薄壁部的外侧上。这样，如图1所示，薄壁部7a和7b被形成 以阻止导电接合部件形成区域(图1所示的引线电极65a和65b)与 振荡部(分叉部61a和61b)之间的线性连接。即，薄壁部7a和7b 位于振荡部(分叉部61a和61b )和导电接合部件形成区域(图1所 示引线电极65a和65b)之间。另外，薄壁部7a和7b通过利用光刻 技术进行半刻蚀形成期望的形状，在本实施方式中，以相对置的方式 形成于基部62的上下表面(两主面)上。
音叉式晶体谐振板2的引线电极65a和65b与基座3的引线电极 65a和65b通过导电接合部件5接合在一起，这样，引线电极65a和 65b与电极板35和36相互电连接。
如上所述，根据本实施方式的音叉式晶体谐振板2，可以不增加 音叉式晶体谐振板2的基部62的长度地将形成了用于与底座3地电 极焊盘35、 36接合的如图1所述的引线电极65a、 65b的二个导电接 合部件形成区域相互隔离，同时在基部拓宽区域622和623内有效布 置导电接合部件形成区域(图1所示的引线电极65a和65b)，并且 音叉式晶体谐振板2与基座3的接合强度不会降低。此外，音叉式晶 体谐振板2的刚性不会降低，分叉部61a和61b内的振荡向导电接合 部件形成区域(图1所示引线电极65a和65b )的泄漏可以得到更加 有效的緩解。
就是说，根据本实施方式的音叉式晶体谐振板2，由振荡部(分 叉部61a和61b)发生的振荡能量的传输被基部拓宽区域622和623 减弱，并且被从位于基部中央区域621和基部拓宽区域622、 623之 间的边界角部64a和64b开始的薄壁部分7a和7b有效阻挡。因此，
可以减少振荡从振荡部(分叉部61a和61b)向每个导电接合部件形 成区域(图l所示引线电极65a和65b)的泄漏，而实现基部62尺寸 的缩减。另外，由于开始于位于基部中央区域621和基部拓宽区域622、 623之间的边角部64a、 64b的延长的薄壁部分7a和7b得以形成，可 以在不增加压电谐振板2的基部62长度的同时，在基部拓宽区域622、 623内有效布置导电接合部件形成区域(图1所示引线电极65a和 65b)，同时压电谐振板2的接合强度不被降低。此外，由于薄壁部 分7a和7b得到延长，压电谐振板2的基部62的刚性不被降低，不 会出现压电谐振板2破损或者类似情形。
接下来，将参考图3对本发明的第二实施方式进行说明。与第一 实施方式相同，根据第二实施方式本发明用于作为压电谐振器件的音 叉式晶体谐振器。这样，在第二实施方式中，将对与上述第一实施方 式的结构的不同之处进行说明，而相同的结构将被省略。因此，相同 结构的功能和效果与上述第一实施方式相同。
第二实施方式与上述第一实施方式不同之处在于，将诸如金属凸 起或者镀金属凸起之类的导电凸起用作导电接合部件5的材料。即， 例如，将诸如金凸起的金属凸起51置于音叉式晶体谐振板2的引线 电极65a、 65b与基座3的电极焊盘35、 36之间，引线电极65a、 65b 和电极焊盘35、 36通过从上方对音叉式晶体谐振板2施加超声波彼 此相接合。此时，与第一实施方式的导电粘合剂的情形相比，导电接 合部件形成区域(图3所示引线电极65a和65b)的面积会减小，这 将使得音叉式晶体谐振板2的尺寸进一步减小。另外，在本实施方式 中，可以利用薄壁部分7a、 7b吸收接合金凸起时因施加超声波而带 来的冲击，从而可以避免压电谐振板2的损坏或者破碎。
然后，参考图4 (图4(a)至图4(d))和图5 (图5(a)至图5(c))， 关于本发明的上述实施方式，对薄壁部分7a和7b的变化例以及音叉 式晶体谐振板2的导电接合部件形成区域(图l中所示的引线电极65a 和65b在基部62中形成的位置)的构造的变化例进行说明。在不同 示例中，将对区别于所示实施方式的结构进行说明，相同结构的说明将被省略。因此，相同结构的功能和效果与上述第一和第二实施方式 的相同。
图4(a)中的音叉式晶体谐振板2与上述实施方式的不同之处在 于，薄壁部分7a和7b是利用光刻技术仅在前面(对前主面)进行半 刻蚀而形成的。要注意的是，半刻蚀的表面可以位于接合部的一侧或 者另一侧。
在图4(b)的音叉式晶体谐振板2中，薄壁部分7a和7b的形成始 于位于基部中央区域621和基部拓宽区域622和623之间的边界69 上的边界角部64a和64b (作为一个端部)，64a和64b位于基部62 的、分叉部61a和61b延伸出的一侧。这些薄壁部分7a和7b沿边界 69形成，当从上方看图4(b)所示的基部62时，薄壁部分7a和7b的 端部71a和71b (另 一端部)位于基部62中比构成导电接合部件形成 区域的引线电极65a和65b更内侧的位置。另外，当从上方看图4(b) 所示的基部62时，导电接合部件形成区域(图4(b)中所示的引线电 极65a和65b)相邻于(平行于)基部62中的薄壁部分7a和7b的外 侧地放置。这样，即便当形成于导电接合部件形成区域中的引线电极 65a和65b靠近振荡部(分叉部61a和61b )放置，振荡泄漏的影响 也变小，从而可以通过抑制基部长度的增加实现基部尺寸的进一步减 小。
图4(c)中的音叉式晶体谐振板2与上述实施方式的不同在于，薄 壁部分7a和7b为利用光刻技术仅对前面的主面(前主面)进行半刻 蚀而形成，与图4(a)中所示的薄壁部分7a和7b的情形相同。要注意 的是，半刻蚀的表面可以位于接合部的一侧或者另一侧。此外，在图 4(c)中的音叉式晶体谐振板2中，薄壁部分7a和7b的形成始于位于 基部中央区域621和基部拓宽区域622和623之间的边界69上的边 界角部66a和66b (作为一个端部)，66a和66b位于基部62的分叉 部61a和61b延伸出的一侧的相反一侧。这些薄壁部分7a和7b沿边 界69形成，当从上方看图4(c)所示的基部62时，薄壁部分7a和7b 的终端部71a和71b (另 一端部)位于基部62内的比构成导电接合部
件形成区域的引线电极65a和65b更内侧的位置。此外，当从上方看 图4(c)所示的基部62时，导电接合部件形成区域(图4(c)中所示的引 线电极65a和65b )相邻于(平行于)薄壁部分7a和7b的基部62 的外侧放置。
在图4(d)的音叉式晶体谐振板2中，薄壁部分7a、 7b和8a、 8b 的形成始于位于基部62(在基部拓宽区域622和623内)内之边界区 域(边界69)外侧的角部67a、 67b、 68a、 68b (作为端部之一)， 而不是如上所述始于上述的位于基部中央区域621和基部拓宽区域 622和623之间的边界角部64a、 64b、 66a、 66b。尤其是，在图4(d) 的音叉式晶体谐振板2中，薄壁部分7a、 7b的形成始于位于基部拓 宽区域622、 623内、基部62的分叉部61a、 61b延伸出的一侧上的 角部67a和67b (作为端部之一)。这些薄壁部分7a和7b沿边界69 形成，当从上方看图4(d)所示的基部62时，薄壁部分7a和7b的端 部71a和71b (另 一端部)位于基部62内的比构成导电接合部件形成 区域的引线电极65a和65b更内侧的位置。同样，薄壁部分8a、 8b 的形成始于位于基部拓宽区域622、 623内、并在基部62的、分叉部 61a、61b延伸出的一侧的相反侧上的角部68a和68b(作为端部之一 )。 这些薄壁部分8a和8b沿边界69形成。这样，导电接合部件形成区 域(图4(d)所示的引线电极65a和65b)可以与振荡部(分叉部61a 和61b)相邻地放置，从而以通过抑制基部长度的增加实现基部尺寸 的进一步减小。此外，薄壁部分7a、 7b、 8a、 8b在基部62中的角部 67a、 67b、 68a、 68b相对置地放置。这样在不增加音叉式晶体谐振板 2的基部62的长度的前提下，可以更有效地緩解分叉部61a、 61b内 的振荡向基部62的泄漏。特别是，产生于振荡部(分叉部61a和61b) 的振荡能量的传输被基部拓宽区域622、 623减弱，并由开始于分叉 部由此延伸出的基部拓宽区域622、 623 —侧上的角部的薄壁部分7a 和7b在最靠近振荡部(分叉部61a和61b)的位置有效阻挡。由此， 可以在实现基部62尺寸减小的同时，抑制振荡泄漏向基部62的扩散， 减少从振荡部(分叉部61a和61b)向每个导电接合部件形成区域(图
4(d)所示的引线电极65a和65b)的振荡泄漏。
图5(a)中的音叉式晶体谐振板2与上述实施方式的不同在于，薄 壁部分7a和7b为利用光刻技术仅对前面的主面(前主面)进行半刻 蚀而成，与图4(a)中所示的薄壁部分7a和7b的情形相同。要注意的 是，半刻蚀的表面可以位于接合部的一侧或者另一侧。此外，图5(a) 中所示的薄壁部分7a和7b的形成始于位于基部中央区域621和基部 拓宽区域622和623之间的边界69上的边界角部64a和64b(作为一 个端部)，该边界角部64a和64b位于基部62的、分叉部61a和61b 延伸出的一侧。另外，当从上方看图5(a)所示的基部62时，薄壁部 7a和7b从基部拓宽区域622和623穿过基部中央区域621上方，并 向基部62的、分叉部61a和61b延伸出一侧的相反侧弯曲。即，当 从上方看图5(a)所示的基部62时，薄壁部分7a和7b弯曲使得薄壁 部分7a和7b在图中向下凸出。薄壁部分7a和7b的终端部71a和71b (另一端部)位于基部62内的比导电接合部件形成区域(图5(a)中 的引线电极65a和65b)更内侧的位置。即，图5(a)中的引线电极65a 和65b形成于图5(a)所示的基部62内的薄壁部分7a和7b的外侧。 另外，薄壁部分7a和7b的形状不仅限于如图5(a)所示的薄壁部分7a 和7b弯曲的形状，薄壁部分7a和7b还可以从一端部(边界角部64a 和64b )向终端部71a和71b (另 一端部)分段地形成，引线电极65a 和65b还可以在基部62中的薄壁部分7a和7b的外侧上形成。
图5(b)中的音叉式晶体谐振板2与上述实施方式的不同在于，薄 壁部分7a和7b为利用光刻技术仅对前主面进行半刻蚀而成，这与图 4(a)中所示的薄壁部分7a和7b的情形相同。要注意的是，半刻蚀的 表面可以位于接合部的一侧或者另一侧。但是，半刻蚀的表面优选为 基部62的前主面，以便得到对未示出的激励电极的良好的导电状态， 从而使激励电极电连接至电极焊盘35和36。在图5(b)中所示的音叉 式晶体谐振板2中，薄壁部分7a和7b沿位于基部中央区域621和基 部拓宽区域622和623之间的边界69并大致在其上形成，并从基部 62的、分叉部61a、 61b延伸出的一侧伸向另一侧。因此，当从上方
看图5(b)所示的基部62时，薄壁部7a和7b被置于基部62中比构成 导电接合部件形成区域的引线电极65a和65b更内侧的位置。
图5(c)中的音叉式晶体谐振板2与上述实施方式的不同在于，薄 壁部分7a和7b为利用光刻技术仅对前面的主面(前主面)进行半刻 蚀而成，这与图4(a)中所示的薄壁部分7a和7b的情形相同。要注意 的是，半刻蚀的表面可以位于接合部的一侧或者另一侧。但是，半刻 蚀的表面优选为基部62的前主面，以便得到对未示出的激励电极的 良好的导电状态，从而使激励电极电连接至电极焊盘35和36。另外， 在图5(c)中所示的音叉式晶体谐振板2中，薄壁部分7a和7b的形成 始于位于基部中央区域621和基部拓宽区域622和623之间的边界69 上的边界角部66a和66b (作为端部之一)，边界角部66a和66b位 于基部62的、分叉部61a和61b延伸出的一侧的反面。薄壁部分7a 和7b沿边界69形成，并在基部62的宽度方向弯曲到达基部拓宽区 域622、 623的侧表面，用作薄壁部分7a和7b的终端部71a和71b (另一端部)，以包围图5(c)中所示的引线电极65a和65b。
在不偏离本发明主旨及其基本特征的前提下，本发明可以其他不 同的形式得到实施。例如，尽管在上述实施方式中公开了薄壁部分的 终端部位于基部中比导电接合部件形成区域更内侧的位置的方式，但 该方式仅为优选例，本发明不仅限于此。此外，尽管公开了薄壁部分 抑制导电接合部件形成区域和振荡部的线性连接的方式，但该方式仅 为优选例，本发明不仅限于此。此外，尽管薄壁部分在基部的中间部 分具有终端部，薄壁部分还可以一直穿过基部。因此，上述实施方式 从所有方面考虑仅是说明性的而并不具有限制性。本发明的范围由后 附权利要求而不是前述说明给出。所有落入所附权利要求的等效范围 的改动和修正均包含于其中。
本申请对2005年6月30日提出的日本专利申请第2005-1卯822 号享有优先权，其所有内容通过参考包含于此。
工业应用性
作为根据本发明的压电谐振板的材料，尤其适用于晶体振荡器。
权利要求
1、一种压电谐振板，包括基部和具有从基部伸出的多个分叉部的振荡部，其特征在于每个分叉部设置有具有不同电势的激励电极；和连接至激励电极的引线电极，以便将激励电极电连接至外部电极；在基部中至少具有两个导电接合部件形成区域，用于将引线电极的一部分通过导电接合部件接合至外部电极；基部以宽于振荡部的方式形成，并且具有基部中央区域和基部拓宽区域，基部中央区域具有与振荡部相同的宽度，振荡部从基部中央区域延伸，基部拓宽区域从振荡部的侧边延伸出，导电接合部件形成区域位于基部拓宽区域内；从位于基部中央区域和基部拓宽区域之间的基部的边界角部开始的延长的薄壁部分形成于基部中。
2、 一种压电谐振板，包括基部和具有从基部伸出的多个分叉部 的振荡部，其特征在于每个分叉部设置有具有不同电势的激励电极；和连接至激励电 极的引线电极，以便将激励电极电连接至外部电极；在基部中至少具有两个导电接合部件形成区域，用于将引线电极 的一部分通过导电接合部件接合至外部电极；基部以宽于振荡部的方式形成，并且具有基部中央区域和基部拓 宽区域，基部中央区域具有与振荡部相同的宽度，振荡部从基部中央 区域延伸，基部拓宽区域从振荡部的侧边延伸出，导电接合部件形成 区域位于基部拓宽区域内；从基部拓宽区域的、分叉部延伸出的一侧的角部开始的延长的薄 壁部分被形成于基部中。
3、 根据权利要求1或2所述的压电谐振板，其特征在于 薄壁部分的终端部分配置于基部中比导电接合部件形成区域更内侧处。
4、 根据权利要求1~3中的任何一项所述的压电谐振板，其特征在于导电接合部件包括导电粘合剂。
5、 根据权利要求1~3中的任何一项所述的压电谐振板，其特征在于导电接合部件包括导电凸起。
6、 根据权利要求1 ~5中的任何一项所述的压电谐振板，其特征在于分叉部的主表面中具有凹槽，激励电极的一部分形成于该凹槽中。
7、 一种压电谐振器件，其特征在于 基座和顶盖接合在一起形成了内部被气密密封的外壳； 在外壳内的基座上设有构成外部电极的电极焊盘； 根据权利要求1~6的任一项所述的压电谐振板的导电接合部件形成区域通过导电接合部件接合至电极焊盘。
全文摘要
本发明提供一种压电谐振板，包括基部和具有从基部伸出的多个分叉部的振荡部。每个分叉部设置有激励电极和引线电极。在基部内至少具有两个导电接合部件形成的区域，用于将引线电极的一部分通过基部内的导电接合部件接合至外部电极。基部以宽于振荡部的方式形成，并且具有基部中央区域和基部拓宽区域，基部中央区域具有与振荡部相同的宽度，振荡部从基部中央区域伸出，基部拓宽区域沿振荡部的侧边延出，导电接合部件形成区域位于基部的拓宽区域内。从位于基部中央区域和基部拓宽区域之间的基部的边界角部开始的延长的薄壁部分形成于基部内。或者，从位于分叉部伸出的基部拓宽区域的一侧的角部开始的延长的薄壁部分形成于基部内。
文档编号H03H9/215GK101199114SQ20068002190
公开日2008年6月11日 申请日期2006年4月21日 优先权日2005年6月30日
发明者白井崇 申请人:株式会社大真空