专利名称：片式石英晶体元件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种片式频率器件的结构， 一种表面安装用的片式石英晶体元件。
背景技术：
表面安装用的片式石英晶体元件.已有的结构是将石英晶体振子安装在带金属环的氧化铝基座内，再用电阻焊的方法把金属盖子封装上。这种结构制作比较复杂，而且要依靠专用设备进行装配，制造成本较高。
发明内容
本实用新型旨在提出一种片式石英晶体元件的新型结构，较易制作，所用设备也较简单。
这种片式石英晶体元件包括石英晶体振子、低介电常数低介质损耗的介质陶瓷上盖和低介电常数低介质损耗的介质陶瓷基座。介质陶覺基座的中部有一矩形的下凹部，此下凹部的两端各有一台阶，此台阶上有金属化电极，石英晶体振子用导电胶粘贴在上述介质陶瓷外壳的下凹部内的台阶上。
这种片式石英晶体元件采用介质陶瓷的基座，制作比较简单，可以采用制作成基座大片再切割成单个基座的方法，有利于成批生产。
附图1为片式石英晶体元件的结构；附图2为介质陶瓷基座的结构；附图3为介质陶瓷基座大片；附图4为图3的A—A剖视图。
具体实施方式
如图1所示，这种片式石英晶体元件包括石英晶体振子1、介质陶瓷上盖2和介质陶瓷基座3。如图2所示，介质陶资基座中部有一矩形的下凹部5，此下凹部的两端各有一个台阶6，此台阶上有金属化电极。所迷的石英晶体振子1用导电胶4粘贴在上述介质陶瓷基座的下凹部内的台阶上。下凹部两端的台阶使石英晶体有充足的振动空间。
这种片式石英晶体元件制作时，其中的介质陶瓷基座可以用二氧化钛、碳酸4丐、碱式碳酸镁、氧化镧等配制的陶瓷M,采用抽芯模具压制成型的方法，做成图3和图4所示的介质陶瓷基座大片。经成烧、研磨、进行电极金属化处理后切割成图2所示的单个基座，再进行侧电极金属化。然后，把石英晶体振子装入基座的下凹部内，用导电胶粘结住，调准频率后，再盖上介质陶乾上盖，用环氧初t脂进行密封封装。也可釆用大片组装,再切割成单个元件的工艺。
这种片式石英晶体元件制造过程中的介质陶t:基座大片也可用下述方法来制作先压制烧成平板介质陶瓷大片，磨平后贴上冲有空腔形状的保护膜，然后用喷砂工艺形成基座的下凹部和台阶。这种方法可以适用于制造小型的产品和要求更高精度的产品。
这种用介质陶瓷作封装外壳的片式石英晶体元件气密性好，制造成本低，而且制造方法简单，生产效率高，产品尺寸易于系列化。
权利要求1、一种片式石英晶体元件，包括石英晶体振子(1)、低介电常数低介质损耗的介质陶瓷上盖(2)和低介电常数低介质损耗的介质陶瓷基座(3)，其特征是所述的介质陶瓷基座的中部有一矩形的下凹部(5)，此下凹部的两端各有一个台阶(6)，此台阶上有金属化电极，所述的石英晶体振子用导电胶(4)粘贴在上述介质陶瓷外壳的下凹部内的台阶上。
专利摘要一种片式石英晶体元件，包括石英晶体振子(1)、低介电常数低介质损耗的介质陶瓷上盖(2)和低介电常数低介质损耗的介质陶瓷基座(3)。介质陶瓷基座的中部有一矩形的下凹部(5)，此下凹部的两端各有一个台阶(6)，此台阶上有金属化电极，所述的石英晶体振子用导电胶(4)粘贴在上述介质陶瓷外壳的下凹部内的台阶上。这种片式石英晶体元件采用介质陶瓷的基座，制作比较简单，可以采用制作成基座大片再切割成单个基座的方法，也可采用大片组装，再切割成单个元件的工艺，有利于成批生产。
文档编号H03H9/02GK201263137SQ20082016334
公开日2009年6月24日 申请日期2008年8月25日 优先权日2008年8月25日
发明者康 王, 王英强, 陈宏伟 申请人:浙江嘉康电子股份有限公司