专利名称：双可控硅触发电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种可控硅触发电路，尤其涉及一种双可控硅的触发
背景技术：
在由可控硅构成的双向导通电路中，可由两个单向可控硅以背靠背方 式反并联构成。传统的单向可控硅驱动电路如图l所示，通过微处理器输
出的信号控制三极管的通断形成脉冲电流，脉冲变压器Tl实现控制电路 与主电路的电气隔离，脉冲变压器的副边脉冲通过二极管整流驱动单向可 控硅。现有技术中，釆用双可控硅反并联电路中有如下两种驱动方法一 种方案是采用两套独立的电路分别驱动，这个方案的缺点是电路复杂， 两套独立的电路分别驱动增加了成本，同时需要两路微处理器控制信号， 占用较大的微处理器资源；另一种方案是两个可控硅的门极并接在一起， 共用一个驱动信号，'这种方案的缺点是瞬时驱动电流增大，电源的瞬时负 载增大，容易引起电源的瞬时波动，同时，电路中使用的脉冲变压器体积 比较大，成本比较高。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是克服现在技术中驱动电路复杂，电路成本高以及驱动电路易弓I起驱动电源波动的缺点，并增加驱动电路的可靠 性。
本实用新型采取的技术方案是包括方波发生电路、方波放大电路、 磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包 括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱 动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述第一可控硅和第 二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述第一隔离变压器 和第二隔离变压器采用共模电感。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述共模电感为
10 18mH。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述方波信号选通的
控制采用TTL电平。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述方波放大电路采
用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述方波放大电路中 由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述方波放大电路与
磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述隔直电容为 0. luF的独石电容。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述通过独石电容后 产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半波驱动第 一可控硅。
本实用新型技术解决技术问题的技术效果是通过所述第一可控硅和 第二可控硅反向并联，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控 硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅，简化了双可控 硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，縮小了 体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方 波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，使 触发更加可靠，同时极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误 动作；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电 路产生干扰。
图1为现在技术中单向可控硅驱动电路图。 图2为本实用新型双可控硅触发电路图。 图3为本实用新型方波发生电路中产生的方波。 图4为本实用新型M点产生的波形图5为本实用新型N点产生的波形。 图6为本实用新型可控硅触发脉冲波形。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本实用新型技术方案进行进一步说明 如图2所示，本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方
波放大电路、磁隔离电路，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器T1和第二 隔离变压器T2，还包括第一可控硅Q1和第二可控硅Q2，所述第一可控硅 Ql和第二可控硅Q2反向并联，所述第一隔离变压器Tl的副边串联电阻R5 后再与第一可控硅Ql的控制端连接，即所述第一隔离变压器Tl的副边脉 冲驱动所述第一可控硅Ql，所述第二隔离变压器T2的副边串联电阻R4后 再与第二可控硅Q2的控制端连接，即所述第二隔离变压器T2的副边脉冲 驱动所述第二可控硅Q2。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成 本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，縮小了体积，节约了成本；
如图2所示，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。所述第一 隔离变压器和第二隔离变压器采用10~18mH的共模电感，这样即可以获 得较好的脉冲传递效果，通过所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用 共模电感代替传统的成本高、体积大的脉冲变压器。图中，R3是偏置电阻， R4、 R5是限流电阻，C4是滤波电容。
如图2所示，所述方波放大电路包括达林顿管和NPN三极管和PNP三极管，所述NPN三极管与PNP三极管串联并且共基极，其共同的基极接在 达林顿管ULN2003的输出脚，达林顿管ULN2003控制所述NPN三极管与 PNP三极管的通断。
如图2所示，所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容C3连接， 方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容C3变为交流波驱动第一可 控硅Ql和第二可控硅Q2。所述隔直电容C3为0. luF的独石电容。
如图2所示，方波发生电路生成幅值为0~5V的方波，根据需要调整 R、 C值可以改变方波频率，采用如图2所示的参数所产生的方波频率在 70KHz左右，方波波形如图3所示。控制信号通过或门控制方波的选通， 方波信号通过达林顿管ULN2003控制所述共基极的NPN三极管与PNP三 极管的通断，从而实现方波的放大，在M点处产生幅值为0-12V的正方 波信号，波形如图4所示。该电压信号再通过所述0. luF的独石电容C3 在N点生成幅值为-6—6V的交流信号，波形如图5所示。所述通过独石 电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅Q2，所述交流信号的负半 波驱动第一可控硅Ql，可控硅门极触发脉冲波形如图6所示。
如图2所示，当不需要可控硅导通时，控制信号为高电平，或门输出 高电平，达林顿管ULN2003导通，三极管基极为O电平，三极管不导通， N点为0电平，可控硅不导通。当需要可控硅导通时，控制信号为低电平， 或门输出方波，经达林顿管ULN2003，三极管同频率的导通与截止，M点 得到放大的方波，经隔直电容C3隔直，在N点行到交流的可控硅驱动信号。
本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模 电感代替脉冲变压器，縮小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直 电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降 低了触发脉冲电流的大小，使触发更加可靠，同时极大的降低了电源负载 的波动，也避免了可控硅的误动作；而且控制信号采用TTL电平，触发延 时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细 说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新 型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下， 还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
2、 根据权利要求l所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一可控 硅和第二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。
3、 根据权利要求l所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一隔离 变压器和第二隔离变压器采用共模电感。
4、 根据权利要求3中任一所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述共 模电感为10 18mH。
5、 根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波信号 选通的控制采用TTL电平。
6、 根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大 电路采用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。
7、 根据权利要求6所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大 电路中由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
8、 根据权利要求l所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大 电路与磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号 经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。
9、 根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述隔直电容 为O. luF的独石电容。
10、根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述通过独 石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半 波驱动第一可控硅。
专利摘要本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路、第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作，使触发更加可靠；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。
文档编号H03K17/72GK201388190SQ20092013584
公开日2010年1月20日 申请日期2009年3月24日 优先权日2009年3月24日
发明者陈万燕 申请人:深圳市科陆变频器有限公司