专利名称：铝基封装大功率双向可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种双向可控硅，尤其是一种微型封装的大功率双向可控硅。
背景技术：
双向可控硅是目前一种比较理想的交流开关器件，主要用于电源的调节等。目前 市场上这种封装的大功率双向可控硅都采用铜底板上焊接陶瓷片的结构形式，然后再引出 功能电极，虽然使用效果还可以，但生产工艺复杂，材料成本高，在市场竞争中优势越来越 小。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种工艺简单，成本低，体积小的铝基封装 大功率双向可控硅。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种铝基封装大功率双向可控 硅，具有铝基板，所述的铝基板上绝缘设置有覆铜板，所述的覆铜板上焊接有两个并联连接 的双向可控硅，两个双向可控硅通过本体引出第一外电极，通过上电极引出第二外电极，通 过门极跳线引出第三外电极，所述的铝基板上通过环氧树脂灌封有封装双向可控硅的PBT塑壳。具体的说，本实用新型所述的第一外电极、第二外电极和第三外电极作为功能端 引出设置在PBT塑壳的外部。进一步的说，为了便于安装，本实用新型在所述的铝基板的近两端设置有圆形安 装孔。本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，作为相同类型的大功 率双向可控硅来讲，本实用新型适用功率不低于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生产 工艺简单，周期短，生产成本显著降低。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图；图2是本实用新型的外形主视图；图3是图2的俯视图；图4是本实用新型双向可控硅的电路连接图；图中1、铝基板；2、双向可控硅；3、上电极；4、门极跳线；5、PBT塑壳；61、第一外 电极；62、第二外电极；63、第三外电极；7、安装孔。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关 的构成。如图1、2、3所示的一种铝基封装大功率双向可控硅，具有铝基板1，所述的铝基板1上绝缘设置有覆铜板，所述的覆铜板上焊接有两个并联连接的双向可控硅2，其电路连接 如图4所示，两个双向可控硅2通过本体引出第一外电极61，通过上电极3引出第二外电 极62，通过门极跳线4引出第三外电极63，所述的铝基板1上通过环氧树脂灌封有封装双 向可控硅3的PBT塑壳5。所述的第一外电极61、第二外电极62和第三外电极63作为功 能端引出设置在PBT塑壳5的外部。铝基板1的近两端设置有圆形安装孔7。本实用新型在使用时通过铝基板近两端的安装孔将此大功率双向可控硅紧固于 散热器上，将三个外电极分别与其他相应线路连接。其中一个电极作为可控硅的阳极，另一 个作为可控硅负极，还有一个作为可控硅控制极。以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式
，各种举例说明不对本实用 新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所 述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。
权利要求一种铝基封装大功率双向可控硅，其特征在于具有铝基板(1)，所述的铝基板(1)上绝缘设置有覆铜板，所述的覆铜板上焊接有两个并联连接的双向可控硅(2)，两个双向可控硅(2)通过本体引出第一外电极(61)，通过上电极(3)引出第二外电极(62)，通过门极跳线(4)引出第三外电极(63)，所述的铝基板(1)上通过环氧树脂灌封有封装双向可控硅(2)的PBT塑壳(5)。
2.如权利要求1所述的铝基封装大功率双向可控硅，其特征在于所述的第一外电极 (61)、第二外电极(62)和第三外电极(63)作为功能端引出设置在PBT塑壳(5)的外部。
3.如权利要求1所述的铝基封装大功率双向可控硅，其特征在于所述的铝基板(1) 的近两端设置有圆形安装孔(7)。
专利摘要本实用新型涉及一种铝基封装大功率双向可控硅，具有铝基板，所述的铝基板上绝缘设置有覆铜板，所述的覆铜板上焊接有两个并联连接的双向可控硅，两个双向可控硅通过本体引出第一外电极，通过上电极引出第二外电极，通过门极跳线引出第三外电极，所述的铝基板上通过环氧树脂灌封有封装双向可控硅的PBT塑壳。本实用新型适用功率不低于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生产工艺简单，周期短，生产成本显著降低。
文档编号H03K17/72GK201774511SQ201020269560
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月22日 优先权日2010年7月22日
发明者沈富德 申请人:江苏矽莱克电子科技有限公司