用于输出缓冲器的放大器、信号处理设备和放大器电路的制造方法与工艺

技术特征：
1.一种用于输出缓冲器的放大器，所述放大器包括：运算放大器，包括第一输入端、第二输入端和输出端，运算放大器被构造为产生输入偏置电流，对施加到第一输入端和第二输入端的信号之间的电压差进行放大，并输出放大的电压差；和自偏置电路，连接到第一输入端和第二输入端，自偏置电路被构造为当施加到第一输入端和第二输入端的信号之间的电压差等于或大于预定电压时产生第一电流路径或第二电流路径，在第一电流路径或第二电流路径上产生尾电流，将产生的尾电流加入到运算放大器的输入偏置电流中，其中，第二输入端连接到输出端。2.根据权利要求1所述的放大器，其中，当施加到第一输入端和第二输入端的信号之间的电压差小于预定电压时，不产生第一电流路径和第二电流路径。3.根据权利要求1所述的放大器，其中，自偏置电路通过使用电流镜电路将在第一电流路径或第二电流路径上产生的尾电流加入到运算放大器的输入偏置电流中。4.根据权利要求1所述的放大器，其中，第一电流路径和第二电流路径中的每个包括以级联结构连接在电源轨和接地轨之间的多个晶体管，其中，所述多个晶体管包括至少一对串联连接的NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管和PMOS晶体管共享源极端。5.根据权利要求4所述的放大器，其中，NMOS晶体管的漏极端连接到第一节点，PMOS晶体管的漏极端连接到比第一节点更靠近接地轨的第二节点。6.根据权利要求4所述的放大器，其中，第二电流路径的NMOS晶体管的栅极端连接到第一输入端，第二电流路径的PMOS晶体管的栅极端连接到第二输入端，其中，第一电流路径的NMOS晶体管的栅极端连接到第二输入端，第一电流路径的PMOS晶体管的栅极端连接到第一输入端。7.根据权利要求1所述的放大器，其中，第一电流路径和第二电流路径中的每个包括四个晶体管的组，所述四个晶体管以级联结构连接在电源轨和接地轨之间，其中，所述四个晶体管的组包括：第一PMOS晶体管，第一PMOS晶体管的源极端连接到电源轨，第一PMOS晶体管的栅极端和漏极端连接到第一节点；第一NMOS晶体管，第一NMOS晶体管的漏极端连接到第一节点，第一NMOS晶体管的源极端连接到第三节点；第二PMOS晶体管，第二PMOS晶体管的源极端连接到第三节点，第二PMOS晶体管的漏极端连接到第二节点；第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管的栅极端和漏极端连接到第二节点，第二NMOS晶体管的源极端连接到接地轨，和其中，第一输入端连接到第一NMOS晶体管的栅极端或第二PMOS晶体管的栅极端。8.根据权利要求7所述的放大器，其中，第一电流路径的第一NMOS晶体管的栅极端连接到第二输入端，第一电流路径的第二PMOS晶体管的栅极端连接到第一输入端，和其中，第二电流路径的第一NMOS晶体管的栅极端连接到第一输入端，第二电流路径的第二PMOS晶体管的栅极端连接到第二输入端。9.根据权利要求7...