带有启动电路的完全互补的自偏置差分接收器的制造方法与工艺

技术特征：
1.一种操作差分接收器的方法，包括：通过虚拟负电源电压调制第一导电型的尾电流晶体管，其中，所述第一导电型的尾电流晶体管位于正电源电压和虚拟正电源电压之间；以及通过所述虚拟正电源电压调制第二导电型的尾电流晶体管，其中所述第二导电型的尾电流晶体管位于所述虚拟负电源电压和负电源电压之间。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在第一使能输入处接收第一使能信号，所述第一使能输入耦合到第一尾电流源使能晶体管，其中所述第一尾电流源使能晶体管实现尾电流总量中的第一部分的流动，其中所述第一尾电流源使能晶体管耦合到选自包括所述第一导电型的尾电流晶体管和所述第二导电型的尾电流晶体管的组中的元件；以及在第二使能输入处接收第二使能信号，所述第二使能输入耦合到第二尾电流源使能晶体管，其中所述第二尾电流源实现所述尾电流总量中的第二部分的流动。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：提供分别耦合到所述虚拟正电源电压和所述虚拟负电源电压以提供缺陷电流容限的启动电路。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：耦合所述虚拟正电源电压到金属氧化物半导体MOS晶体管的第一端子；耦合所述虚拟负电源电压到所述MOS晶体管的第二端子；以及耦合负电源电压到所述MOS晶体管的第三端子。5.一种操作完全差分互补布局的方法，包括：耦合选自于包括场效应晶体管FET的源极、漏极、栅极和体的组中的第一端子到虚拟正电源电压；耦合选自于包括所述FET的源极、漏极、栅极和体的组中的第二端子到虚拟负电源电压；耦合选自于包括所述FET的源极、漏极、栅极和体的组中的第三端子到正电源电压；耦合选自于包括所述FET的源极、漏极、栅极和体的组中的第四端子到负电源电压；引用正尾电流源到与负尾电流源相关联的虚拟负电源轨电压；以及引用所述负尾电流源到与所述正尾电流源相关...