具有发光二极管的光电子电路的制作方法

背景技术：

本发明涉及光电子电路(optoelectronic circuit)，特别是涉及包括发光二极管的光电子电路。

相关技术的讨论

期望能够以AC电压特别是正弦电压(例如，电源电压)给包括发光二极管的光电子电路供电。

图1示出了包括输入端IN₁和IN₂的光电子电路10的示例，输入端IN₁和IN₂之间施加有AC电压V_IN。光电子电路10还包括整流电路12，整流电路12包括二极管桥14，接收电压V_IN，并且提供对发光二极管16供电的整流电压V_ALIM，该发光二极管16例如与电阻器15串联组装。流过发光二极管16的电流叫作I_ALIM。

图2是对于其中AC电压V_IN对应于正弦电压的示例的电源电压V_ALIM和电源电流I_ALIM的时序图。当电压V_ALIM大于发光二极管16的阈值电压之和时，发光二极管16变为导通。电源电流I_ALIM然后遵循电源电压V_ALIM。因此，存在其中没有发光的关断(OFF)阶段和发光的开通(ON)阶段的交替。

缺点是，只要电压V_ALIM小于发光二极管16的阈值电压的和，光电子电路10就不发光。当没有发光的每个关断阶段的持续时间在两个发光的开通阶段之间太长时，观察者可能察觉到这种缺乏发光。增加每个开通阶段的持续时间的可能性是减少发光二极管16的数量。因此，缺点是在电阻器中损失的电功率是显着的。

公开US 2012/0056559描述了一种光电子电路，其中接收电源电压V_ALIM的发光二极管的数量在电源电压的上升阶段期间逐渐增加，并且在电源电压的下降阶段期间逐渐减小。这通过能够根据电压V_ALIM的变化使可变数量的发光二极管短路的开关电路来实现。这使得能够减少没有发光的每个阶段的持续时间。

在公开US 2012/0056559中描述的光电子电路的缺点是发光二极管电源电流不是连续变化的，即在电压变化期间存在电流流动的突然中断。这导致由发光二极管提供的光强度的时间变化，其可以被观察者感知。这进一步导致为光电子电路的发光二极管供电的电流的谐波因数的降低。

可以在整流电路和发光二极管之间插入限流电路，以将电源电流保持在基本恒定的电平。则光电子电路的结构可能相对复杂，并且光电子电路的体积可能是显着的。此外，可能难以至少部分地以与发光二极管集成的方式形成整流电路和限流电路来进一步减小光电子电路的体积。

技术实现要素：

实施例的目的是克服前述光电子电路的全部或部分缺点。

实施例的另一个目的是减少光电子电路没有发光的阶段的持续时间。

实施例的另一个目的是用于为发光二极管供电的电流基本上连续变化。

实施例的另一个目的是减小光电子电路的体积。

因此，实施例提供了一种光电子电路，旨在接收包含上升和下降阶段的交替的可变电压，所述光电子电路包括：

多个发光二极管组件，所述组件被串联组装；

对于每个组件，能够所述组件的一个端子处的电压和/或取决于所述组件的一个端子处的所述电压的电压与至少第一阈值以及可能第二阈值进行比较的比较单元；和

控制单元，其连接到所述比较单元，并且能够在每个上升阶段期间当所述组件的所述电压上升到所述第二阈值之上时或者当与所述组件邻近并且传导电流的组件的所述电压上升到所述第一阈值以上时中断来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动，并且能够在每个下降阶段期间，当邻近所述组件并且传导电流的组件的所述电压下降到第一阈值以下时控制来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动。

根据实施例，光电子电路包括：

电流源；

对于每个组件，将电流源连接到所述组件的所述端子的开关，

并且对于来自所述多个组件中的某些组件中的每个组件，所述控制单元能够在与所述组件邻近并且传导电流的组件的所述电压减小到第一阈值以下时，命令与所述组件相关联的开关导通。

根据实施例，对于来自多个组件的某些组件中的每个组件，控制单元能够在每个上升阶段当与所述组件邻近并导通电流的组件的所述电压上升到第二阈值以上时命令与所述组件相关联的开关导通。

根据实施例，控制单元能够在导通与所述组件相关联的开关之后命令与所述邻近组件相关联的开关断开。

根据实施例，对于来自多个组件的某些组件中的每个组件，当在每个上升阶段邻近所述组件的组件的所述电压上升到第一阈值以上时，控制单元能够命令与所述组件相关联的开关断开。

根据实施例，对于每个组件，光电子电路包括用于每个组件的电流源，对于每个组件，控制单元能够当邻近所述组件和传导电流的组件的所述电压在每个上升阶段上升到第二阈值以上并且在每个下降阶段下降到第一阈值以下时，命令与所述组件相关联的电流源激活。

根据实施例，控制单元还能够在与所述组件相关联的电流源激活之后，命令与所述邻近组件相关联的电流源停用。

根据实施例，光电子电路还包括能够提供所述电压的全波整流电路。

根据实施例，至少一个发光二极管是平面发光二极管，其包括位于在平坦表面上的层堆叠，其具有至少一个能够发光的有源层。

根据实施例，发光二极管的组件中的至少一个的发光二极管包括微线、纳米线或棱锥体形式的三维半导体元件，每个半导体元件被能够发光的有源层覆盖。

根据实施例，光电子电路包括第一集成电路，该第一集成电路包括控制单元、以及至少一个第二集成电路，该第二集成电路不同于第一集成电路并且附接到第一集成电路，并且包括发光二极管的组件中的至少一个。

根据实施例，第二集成电路包括发光二极管的组件中的所有。

根据实施例，光电子电路还包括第三集成电路，其不同于第一集成电路和第二集成电路并且附接到第一集成电路，并且包括发光二极管的组件中的至少一个。

实施例还旨在一种控制多个发光二极管组件的方法，所述组件被串联组装并且以包含上升阶段和下降阶段的交替的可变电压供电，所述方法包括：

对于每个组件，将所述组件的一个端子处的电压和/或取决于所述组件的一个端子处的所述电压的电压与至少第一阈值以及可能地第二阈值进行比较；和

在每个上升阶段期间，当所述组件的所述电压上升到第二阈值以上时或者当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压上升到第一阈值以上时，中断来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动，并且在每个下降阶段期间，当邻近所述组件并且传导电流的组件的所述电压降低到第一阈值以下时，控制来自多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动。

根据实施例，对于每个组件，通过开关将电流源连接到所述组件的所述端子，所述方法还包括对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件，在每个下降阶段当邻近所述组件的并传导电流的组件的所述电压减小到所述第一阈值以下时导通与所述组件相关联的开关。

根据实施例，该方法包括，对于来自多个组件中的某些组件中的每个组件，在每个上升阶段当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压上升到第二阈值以上时，导通与所述组件相关联的开关。

根据实施例，该方法还包括在导通与所述组件相关联的开关之后，断开与所述邻近组件相关联的开关。

根据实施例，该方法包括对于来自多个组件的某些组件中的每个组件，在每个上升阶段当与所述组件邻近的组件的所述电压上升到第一阈值以上时，断开与所述组件相关联的开关。

根据实施例，对于每个组件，电流源连接到所述组件，所述方法包括对于每个组件，当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压在每个上升阶段上升到第二阈值以上时，并且在每个下降阶段降低到第一阈值以下时激活与所述组件相关联的电流源。

根据实施例，该方法还包括在激活与所述组件相关联的电流源之后，停用与所述邻近组件相关联的电流源。

附图说明

前述和其它特征和优点将在下面结合附图的具体实施例的非限制性描述中详细讨论，其中：

图1在前面描述，是包括发光二极管的光电子电路的示例的电路图；

图2在前面描述，是图1的光电子电路的发光二极管的电源电压和电流的时序图；

图3示出包括发光二极管的光电子电路的实施例的电路图；

图4和图5示出了图3的光电子电路的发光二极管的两个布局；

图6和图7是图3的光电子电路的部分的实施例的更详细的电路图；

图8是图3的光电子电路的电压的时序图；

图9示出包括发光二极管的光电子电路的另一实施例的电路图；

图10和图11是分别类似于图6和图7的图，并且示出了图9的光电子电路的部分的更详细实施例的电路图；

图12示出包括发光二极管的光电子电路的另一实施例的电路图；和

图13和图14是包括发光二极管的光电子电路的两个实施例的部分简化截面图。

具体实施方式

为了清楚起见，在各个附图中相同的元件用相同的附图标记表示，并且各种附图不是按比例的。在以下描述中，除非另有说明，否则术语“基本上”、“大约”和“约”是指“在10％以内”。

图3示出了包括接收输入电压V_IN的两个输入端IN₁和IN₂的光电子电路20的实施例的电路图。作为示例，输入电压V_IN可以是具有例如在10Hz至1MHz范围内的频率的正弦电压。电压V_IN例如对应于主电压。

电路20可以包括全波整流电路22，例如包括由四个二极管14形成的二极管桥。整流电路22在端子IN₁和IN₂之间接收电源电压V_IN，并且在节点A₁和A₂之间提供整流电压V_ALIM。作为变型，电路20可以直接接收整流电压，然后可以不存在整流电路。

光电子电路20包括基本发光二极管的N个串联连接的组件，在下面的描述中称为普通发光二极管D_i，其中i是在从1到N的范围内的整数，并且其中N是从2到100的范围内的整数。每个普通发光二极管D₁至D_N包括至少一个基本发光二极管并且优选地由至少两个基本发光二极管的串联和/或并联组件形成。在本实施例中，N个普通发光二极管Di串联连接，普通发光二极管D_i的阴极连接到普通发光二极管D_i+1的阳极，i从1变化到N-1。普通发光二极管D₁的阳极连接到节点A₁。普通发光二极管D_i(其中i从1变化到N)可以包括相同数量的基本发光二极管或不同数量的基本发光二极管。

图4示出了普通发光二极管D₁的实施例，其中普通发光二极管D₁包括并联组装的R个分支26，每个分支包括在相同导电方向上串联组装的S个基本发光二极管27，R和S是大于或等于1的整数。

图5示出了普通发光二极管D₁的另一实施例，其中普通发光二极管D₁包括P个串联组装的块28，每个块包括并联组装的Q个基本发光二极管27，P和Q是大于或等于1的整数，并且Q可能从一个块到另一个块变化。

其他普通发光二极管D₂至D_N可以具有与图4或图5所示的普通发光二极管D₁类似的结构。

基本发光二极管27例如是平面发光二极管(planar light-emitting diode)，每个包括位于平坦表面上的具有至少一个能够发光的有源层的层堆叠。基本发光二极管27例如是平面发光二极管，由三维半导体元件，特别是微线、纳米线或棱锥体形成的发光二极管，例如包括基于化合物的半导体材料，所述化合物主要包括至少一种III族元素和一种V族元素(例如，氮化镓GaN)，下文普通称为III-V，或主要包括至少一种II族元素和一种VI族元素(例如，氧化锌ZnO)，下文中称为II-VI，每个三维半导体元件被能够发光的有源层覆盖。

参考图3，光电子电路20包括电流源30，其具有连接到节点A₂的端子，以及具有连接到节点A₃的另一端子。电流源30两端的电压叫做V_CS，并且电流源30提供的电流叫做I_CS。光电子电路20可以包括用于提供参考电压(可能从电压V_ALIM获得)以给电流源供电的电路(未示出)。

电路20包括N个可控开关SW₁至SW_N。每个开关SW_i(其中i从1变化到N)组装在节点A₃和普通发光二极管Di的阴极之间。每个开关SW_i(其中i从1变化到N)由信号S_i控制。作为示例，信号S_i是二进制信号，并且当信号Si处于第一状态(例如，低状态)时，开关SW_i断开，并且当信号S_i处于第二状态例如，高状态)时，开关SW_i导通。普通发光二极管D_i的阴极和节点A₂之间的电压叫做V_Ci。在下面的描述中，除非另有说明，否则电压以节点A₂为参考。开关SW₁例如是基于至少一个晶体管的开关，特别是基于场效应金属氧化物栅晶体管或富集(通常开)或耗尽(通常关)MOS晶体管的开关。

光电子电路20还包括N个比较单元COMP_i，i从1变化到N，能够各自接收电压V_Ci和提供信号H_i和信号L_i。光电子电路20还包括接收信号L₁至L_N和H₁至H_N并提供用于控制开关SW₁至SW_N的信号S₁至S_N的控制单元32。控制单元32优选地对应于专用电路。

控制单元32能够根据每个普通发光二极管D_i的阴极处的电压V_Ci的值来命令开关SW_i导通或断开，其中i从1变化到N。为了实现这一点，每个比较单元COMP_i(其中i从1变化到N)能够将普通发光二极管Di的阴极处的电压V_Ci与至少两个阈值V_highi和V_lowi进行比较。作为示例，信号L_i是二进制信号，其在电压V_Ci小于阈值V_lowi时处于第一状态，并且当电压V_Ci大于阈值V_lowi时处于第二状态。作为示例，信号H_i是二进制信号，其在电压V_Ci小于阈值V_highi时处于第一状态，并且当电压V_Ci大于阈值V_highi时处于第二状态。二进制信号H_i和L_i的第一状态可以相等或不同，并且二进制信号H_i和L_i的第二状态可以相等或不同。

图6示出了光电子电路20的一部分的更详细实施例的电路图。根据本实施例，每个比较器COMP₁包括作为比较器操作的第一运算放大器40，其具有连接到普通发光二极管Di的阴极的反相输入(-)，并且具有由单元42提供的接收电压阈值V_highi的非反相输入(+)。比较器40提供信号H_i。每个比较器COMP_i还包括作为比较器工作的第二运算放大器44，其具有连接到普通发光二极管D_i的阴极反相输入(-)，并具有由单元46提供的接收电压阈值V_lowi的非反相输入(+)。比较器44提供信号Li。

图7示出了电流源30和开关SW₁的更详细实施例的电路图。在本实施例中，电流源30包括理想电流源50，其具有连接到参考电压V_REF的第一源极的端子。电流源50的另一端连接到二极管组装的N沟道MOS晶体管52的漏极。MOS晶体管52的源极连接到节点A₂。MOS晶体管52的栅极连接到MOS晶体管52的漏极。参考电位V_REF可以从电压V_ALIM提供。它可以是恒定的或根据电压V_ALIM而变化。由电流源30供应的电流的强度可以是恒定的或可变的，例如根据电压V_ALIM而变化。

对于每个普通发光二极管D_i，电流源30包括N沟道MOS晶体管54，其栅极连接到晶体管52的栅极，并且具有连接到节点A₂的源极。MOS晶体管52和54形成电流镜，电流源50提供的电流I_CS(可能地使用乘法因子)被复制。

根据本实施例，开关SW_i包括N沟道MOS晶体管56，其漏极连接到普通发光二极管D_i的阴极，并且其源极连接到晶体管54的漏极。施加到晶体管的栅极的电压对应于先前描述的信号Si。

图8示出了电源电压V_ALIM和由每个比较器COMP_i(其中i从1变化到N)测量的电压V_Ci的时序图，示出了根据图3所示的实施例的光电子电路20的操作，其中N等于4并且处于每个普通发光二极管D_i包括以相同配置布置的相同数量的基本发光二极管并且因此具有相同的阈值电压V_led的情形中。连续时间叫做t₀到t₂₀。

作为示例，由整流桥100提供的电压V_ALIM是整流正弦电压，其包括连续周期，连续周期具有V_ALIM从零值增加，跨越最大值，并减小到零值的电压V_ALIM。作为示例，电压V_ALIM的两个连续周期在图8中示出。

在时间t₀，在周期开始时，开关SW₁被导通，并且所有开关SW_i(其中i从2变化到N)被关断。电压V_ALIM从零值上升并在普通发光二极管D₁、开关SW₁和电流源30之间分配。电压V_ALIM小于普通发光二极管D₁的阈值电压V_led，其中没有发光(阶段P0)，并且电压V_C1保持基本上等于零。

在时刻t₁，当普通发光二极管D₁两端的电压超过阈值电压V_led时，普通发光二极管D₁导通(阶段P1)。普通发光二极管D₁两端的电压然后保持基本恒定，并且电压V_C1随着电压V_ALIM保持增加。一旦电源电压V_C1足够高以允许激活电流源30，电流I_CS就流过普通发光二极管D₁，其发光。作为示例，当电流源30处于操作中时，电压V_CS优选地是基本上恒定的。

在时间t2，当电压V_C1超过阈值V_high1时，单元32连续地命令导通开关SW₂，然后断开开关SW₁。然后电压V_ALIM在普通发光二极管D₁和D₂、开关SW₂和电流源30之间分配。优选地，阈值V_high1基本上等于普通发光二极管D₂的阈值电压和电流源30的工作电压V_CS的和，使得在开关SW₂导通时，普通发光二极管D₂导通电流I_CS并发光。开关SW₂要在开关SW₁断开之前导通的事实确保了在普通发光二极管D₁中流动的电流不会中断。阶段P2对应于普通发光二极管D₁和D₂的发光阶段。

通常，在电源电压V_ALIM的上升阶段期间，对于从1变化到N-1的i，当开关SW_i导通并且其它开关断开时，单元32连续地命令导通开关SW_i+1，当电压V_Ci超过阈值V_highi时，断开开关SW_i。然后电压V_ALIM在普通发光二极管D₁至D_i+1、开关SW_i+1和电流源30之间分配。优选地，阈值V_highi基本上等于普通发光二极管D_i+1的阈值电压和电流源30的工作电压V_CS的和，使得在开关SW_i+1导通时，普通发光二极管D_i+1传导电流I_CS并发光。阶段P_i+1对应于普通发光二极管D₁至D_i+1的发光。开关SW_i+1要在开关SW_i断开之前导通的事实确保了在普通发光二极管D₁至D_i中没有电流流动的中断。

因此，在时间t₃，单元32命令开关SW₃导通和开关SW₂断开。阶段P₃对应于普通发光二极管D₁、D₂和D₃的发光。在时间t4，单元32命令开关SW₄导通和开关SW₃断开。阶段P4对应于普通发光二极管D₁、D₂、D₃和D₄的发光。

电源电压V_ALIM在图8的阶段P4期间在时间t₅达到其最大值，并开始下降阶段。

在时间t₆，当电压V_C4降低到低于阈值V_low4时，单元32连续地命令开关SW₃导通和开关SW₄关断。然后V_ALIM在普通发光二极管D₁、D₂和D₃、开关SW₃和电流源30之间分配。优选地，阈值V_low4被选择为基本上等于电流源30的工作电压V_CS和开关SW₄的最小工作电压的和，使得在开关SW₃导通时，不存在电流的中断。

通常，在电源电压V_ALIM的下降阶段期间，对于i从2变化到N，当电压V_Ci降低到低于阈值V_lowi时，单元32连续地命令开关SW_i-1导通和开关SW_i断开。然后电压V_ALIM在普通发光二极管D₁至D_i-1、开关SW_i-1和电流源30之间分配。优选地，阈值V_lowi被选择为基本上等于电流源30的工作电压V_CS和开关SW_i的最小工作电压的和，使得在开关SW_i-1导通时不存在电流的中断。

因此，在时间t₇，单元32命令开关SW₂导通和开关SW₃断开。在时间t₈，单元32命令开关SW₂导通和开关SW₁断开。在时间t₉，电压V_C1变为零，使得普通发光二极管D₁不再导通并且电流源30断开。在时间t₁₀，电压V_ALIM变为零，并且新的周期开始。时刻t₁₁至t₂₀分别与时刻t₁至t₁₀相同。在本实施例中，比较器COMP₁可以具有比比较器COMP_i更简单的结构(其中i从2变化到N)，因为不使用阈值V_low1。

根据光电子电路20的另一个实施例，光电子电路20的每个比较器COMP_i仅提供信号L_i。该实施例的优点是可以简化比较器COMP_i的结构。实际上，比较器COMP_i可以不包括运算放大器40。

然后根据该另一个实施例的光电子电路的操作与先前描述的相同，区别在于开关SW_i(其中i从1变化到N-1)最初导通，并且在电源电压V_ALIM的上升阶段，当电压V_Ci大于阈值V_lowi时，开关SW_i-1断开。实际上，这意味着电流开始流过开关SW₁。

更具体地，在电源电压V_ALIM的上升阶段中，对于从1变化到N-1的i，在发光二极管D₁至D_i-1导通并且发光二极管D_i至D_N阻断时，当电压V_Ci下降低于阈值V_low1时，单元32命令断开SW_i-1。实际上，电压V_Ci的升高意味着发光二极管D_i两端的电压变得大于发光二极管Di的阈值电压，并且后者变得导通。

根据该另一实施例的光电子电路在电源电压V_ALIM的下降阶段中的操作可以与先前对于光电子电路20描述的操作相同。

图9示出了光电子电路60的另一实施例的电路图。与光电子电路20共同的所有元件用相同的附图标记表示。与光电子电路20不同，光电子电路60不包括开关SW_N。此外，不同于光电子电路20，对于从1变化到N-1的i，光电子电路60包括设置在节点A₃和开关SW_i之间的电阻器62_i，并且光电子电路60包括设置在节点A₃和普通发光二极管D_N的阴极之间的电阻器62_N。在电阻器62_i和开关SW_i之间的节点叫做B_i，其中i从1变化到N-1，并且电阻器62_N和普通发光二极管D_N的阴极之间的节点是B_N。此外，每个比较器COMP_i(i从1变化到N)还接收节点B_i处的电压。然后信号H_i是当节点B_i处的电压小于阈值MIN_i时处于第一状态并且当节点B_i处的电压大于阈值MIN_i时处于第二状态的二进制信号。

图10示出了光电子电路60的一部分的更详细实施例的电路图。在本实施例中，比较器COMP_i包括图6所示的比较器COMP_i的所有元件，区别在于运算放大器40被磁滞比较器64替代，其接收跨电阻器62_i两端的电压并提供信号H_i。

图11示出了用于光电子电路60的电流源30和开关SW₁的更详细实施例的电路图。电流源30包括图7所示的电流源的所有元件。电阻器62_i插入在MOS晶体管54和节点B_i之间、其中电阻器62_i的一个端子连接到晶体管54的漏极并且电阻器62_i的另一端子连接到节点B_i。

光电子电路60的操作可以与先前描述的光电子电路20的操作相同，区别在于在电源电压V_ALIM的上升阶段，当电流开始流过电阻器62_i+1时，开关SW_i断开。

更具体地，开关SW_i(其中i从1变化到N-1)最初导通。在电源电压V_ALIM的上升阶段中，对于从1变化到N-1的i，当发光二极管D₁至D_i-1导通并且发光二极管D_i至D_N被阻断时，当跨发光二极管二极管D_i的电压变得大于发光二极管Di的阈值电压，后者变为导通并且电流开始流过电阻器62_i。这导致节点B_i处的电压升高。一旦节点B_i处的电压上升到高于阈值MIN_i，单元32命令开关SW_i-1导通。

光电子电路60在电源电压V_ALIM的下降阶段中的操作可以与先前对于光电子电路20描述的操作相同。

光电子电路60具有的优点是阈值MIN_i和V_lowi可以独立于发光二极管Di的特性。特别地，它们不取决于每个发光二极管Di的阈值电压。

图12示出了光电子电路70的另一实施例的电路图。与光电子电路20共同的所有元件用相同的附图标记表示。光电子电路70对于每个普通发光二极管D_i包括与普通发光二极管D_i相关联的电流源72_i，其中i从1变化到N。电流源72_i的端子(其中i从1变化到N)连接到节点A₂，而另一端子连接到普通发光二极管D_i的阴极。

每个电流源72_i(其中i从1变化到N)由控制单元32提供的信号S'_i控制。作为示例，信号S'_i是二进制信号，并且当信号S'i处于第一状态时电流源72_i被激活，并且当信号S'_i处于第二状态时电流源72_i被停用。

光电子电路70的操作可以与先前描述的光电子电路20的操作相同，区别在于光电子电路20的开关SW_i的断开和导通的步骤分别被电流源72_i的激活和停用步骤代替。

更具体地，在电源电压V_ALIM的上升阶段中，对于从1变化到N-1的i，在电流源72_i被激活并且其他电流源被停用时，单元32连续地命令电流源72_i+1激活，当电压V_Ci超过阈值V_highi时单元32连续地命令电流源72i停用。电压V_ALIM然后在普通发光二极管D₁至D_i+1和电流源72_i+1之间分配。优选地，阈值V_highi被选择为基本上等于普通发光二极管D_i+1的阈值电压，使得在电流源72_i+1激活时，普通发光二极管D_i+1传导电流I_CS并发光。电流源72_i+1要在电流源72_i被停用之前被激活的事实确保了在普通发光二极管D₁至D_i中的电流不会中断。

通常，在电源电压V_ALIM的下降阶段中，对于i从2变化到N，当电压V_Ci降低到低于阈值V_lowi时，单元32连续地命令电流源72_i-1激活和电流源72_i停用。电压V_ALIM然后在普通发光二极管D₁至D_i-1和电流源72_i+1之间分配。电流源72_i-1要在电流源72_i被停用之前被激活的事实确保了在普通发光二极管D₁至D_i-1中的电流流动不会中断。

图13是具有可对应于图3、9或12中所示的图中的一个的等效电路图的光电子电路80的另一实施例的部分简化截面图。在该实施例中，每个普通发光二极管D₁至D_N形成在不同的单片电路82上。光电子电路80的其它部件形成在另一集成电路84中。每个单片电路82例如通过倒装芯片型连接连接到集成电路84。每个普通发光二极管D₁至D_N可以对应于平面发光二极管或对应于由三维元件(特别是半导体微线或纳米线)形成的发光二极管。

根据变型，单片电路82中的至少一个可以包括多于一个的普通发光二极管。

图14是具有可对应于图3、9或12中所示的图中的一个的等效电路图的光电子电路90的另一实施例的部分简化截面图。在该实施例中，普通发光二极管D₁到D_N以集成方式形成在不同的电路92上。光电子电路90的其它部件形成在另一集成电路94中。集成电路92例如通过倒装芯片型连接到集成电路94。每个普通发光二极管D₁至D_N可以对应于平面发光二极管或对应于由三维元件(特别是半导体微线或纳米线)形成的发光二极管。

根据另一实施例，根据图3、9或12中所示的等效电路图之一的光电子电路的所有部件形成在同一集成电路上。每个普通发光二极管D₁至D_N可以对应于平面发光二极管或对应于由三维元件(特别是半导体微线或纳米线)形成的发光二极管。

根据另一实施例，每个普通发光二极管D₁至D_N可以对应于分立元件，特别是包括发光二极管保护封装。每个部件例如附接到支撑件，特别是印刷电路，其具有附接到其上的光电子电路的其它部件。

上文已经描述了具有不同变化的各种实施例。应当注意，本领域技术人员可以组合这些各种实施例和变型的各种元件，而不示出任何创造性的步骤。