技术总结
以串联连接的P沟道MOS晶体管(P5)、P沟道MOS晶体管(P6)、以及N沟道MOS晶体管(N3)的电路作为电流路径(S3)。在恒流电路(100)启动后，使N沟道MOS晶体管(N3)导通，使动作电流(Ix)流入电流路径(S3)，从而使N沟道MOS晶体管(N4)截止，切断启动电流(Is)。在启动电流(Is)切断后，由节点(V5)的电压(恒流电路(100)动作时的偏压)控制P沟道MOS晶体管(P6)的栅极电压，减小P沟道MOS晶体管(P5)的漏极‑源极间的电压(Vds)，从而限制在电流路径(S3)流动的动作电流(Ix)。
技术研发人员：梶田徹矢
受保护的技术使用者：阿自倍尔株式会社
文档号码：201580051556
技术研发日：2015.08.31
技术公布日：2017.05.24