包括MuGFET的压控振荡器的制作方法

文档序号:11290479阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
描述了压控振荡(100)。在用于压控振荡的设备中,电感器(120)具有抽头以及具有或被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)。粗粒度电容器阵列(130)被耦接到所述正端输出节点(105)和所述负端输出节点(106),并且被耦接以分别接收选择信号(168)。变容二极管(140)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)并且被耦接以接收控制电压(143)。变容二极管(140)包括MuGFET(141,142)。跨导单元(150)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106),并且跨导单元(150)具有公共节点(107)。频率缩放的电阻网络(160)被耦接到公共节点(107),并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的选择信号(168)。

技术研发人员:A·M·贝克勒;P·乌帕德亚雅
受保护的技术使用者:赛灵思公司
技术研发日:2015.11.12
技术公布日:2017.09.26
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1