技术领域本发明涉及一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。
背景技术：
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用，其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波，对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求，需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即空腔结构设计。现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内，基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高，而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高，容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。现有的表面声滤波器件的封装方法，流程较长，成本较高，且结构尺寸还是比较大，在目前电子设备越做越小的潮流趋势下，需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆，所述表面声滤波芯片晶圆表面包括电极区域和感应区域，所述表面声滤波芯片晶圆除电极区域和感应区域外的区域设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有贴合晶圆，所述贴合晶圆与感应区域之间形成空腔，所述贴合晶圆在电极区域位置处设置有第一开孔，所述贴合晶圆表面设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层表面和电极区域表面设置有第一金属层，所述第一金属层表面设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层表面设置有第二开孔，所述第二开孔内设置有金属球，所述金属球与第一金属层相接触。所述贴合晶圆通过粘合胶设置于第一绝缘层上。一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤三、贴合晶圆贴合取一片贴合晶圆，在贴合晶圆上涂上一层粘合胶，与步骤二制备好第一绝缘层的表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；步骤四、蚀刻在贴合晶圆面涂光刻胶，并进行曝光，显影，蚀刻，把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来，形成第一开孔；步骤五、制备第二绝缘层用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将表面声滤波芯片晶圆上的电极区域位置的绝缘胶去除；步骤六、电镀第一金属层在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；步骤七、制备第三绝缘层用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；步骤八、植球在植球位置进行植球；步骤九、切割切割分成单颗产品。所述步骤三与步骤四之间对贴合晶圆进行研磨、减薄。所述第一绝缘层采用B-stage胶，可不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。所述贴合晶圆采用硅晶圆或金属材料晶圆。与现有技术相比，本发明的优点在于：1、与传统的工艺相比，整体生产流程是晶圆级的，能形成小尺寸的封装结构，而且工艺简单，能保证芯片感应区的空腔结构，能形成可靠性较高的金属圆片级表面声滤波芯片封装结构；2、本发明的金属圆片级表面声滤波芯片封装结构可以直接使用，也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装，形成系统级封装。附图说明图1为本发明一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构的示意图。图2~图11为本发明一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例一的工艺流程图。其中：表面声滤波芯片晶圆1电极区域1.1感应区域1.2第一绝缘层2粘合胶3贴合晶圆4空腔5第一开孔6第二绝缘层7第一金属层8第三绝缘层9第二开孔10金属球11。具体实施方式以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。如图1所示，本实施例中的一种金属圆片级表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆1，所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2，所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有第一绝缘层2，所述第一绝缘层2上通过粘合胶3设置有贴合晶圆4，所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔5，所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有第一开孔6，所述贴合晶圆4表面设置有第二绝缘层7，所述第二绝缘层7表面和电极区域1.1表面设置有第一金属层8，所述第一金属层8表面设置有第三绝缘层9，所述第三绝缘层9表面设置有第二开孔10，所述第二开孔10内设置有金属球11，所述金属球11与第一金属层8相接触。其制造方法包括以下工艺步骤：步骤一、参见图2，取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层参见图3，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤三、贴合晶圆贴合参见图4，取一片贴合晶圆，在贴合晶圆上涂上一层粘合胶，与步骤二制备好第一绝缘层的表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；步骤四、减薄参见图5，将贴合晶圆进行研磨、减薄；步骤五、蚀刻参见图6，在贴合晶圆面涂光刻胶，并进行曝光，显影，蚀刻，把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来，形成第一开孔；步骤六、制备第二绝缘层参见图7，用涂胶工艺在贴合晶晶圆上涂一层绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；步骤七、电镀第一金属层参见图8，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；步骤八、制备第三绝缘层参见图9，用涂胶工艺在贴合晶晶圆上涂一层绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；步骤九、植球参见图10，在植球位置进行植球；步骤十、切割参见图11，切割分成单颗产品。上述步骤中，所述步骤四可省略；所述第一绝缘层可以是B-stage胶，胶体加热后熔融，此时可以不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合；所述贴合晶圆为硅晶圆或金属材料。除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。