1.一种低压小信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电源V1分别连接R1和R2；PWM输入端连接Q4基极；所述Q4集电极分别连接R1、Q2发射极、Q3发射极；所述Q4发射极连接地；所述Q2集电极连接Q1基极；所述Q2基极分别连接Q3基极、R2、R4、Q5集电极；所述Q3集电极连接Q6基极；所述Q1发射极连接电源V2；所述Q1集电极分别连接R3、Q6集电极；所述Q5基极分别连接R5、R6；所述R6、Q5发射极、Q6发射极、R4另一端分别连接地；所述D1正极连接R5，负极分别连接R3和电压输出端。
2.根据权利要求1所述的低压小信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。
3.根据权利要求1所述的低压小信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述三极管Q2、Q4、Q5、Q6均为NPN型的三极管。
4.根据权利要求1所述的低压小信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述三极管Q1、Q3均为PNP型的三极管。
5.根据权利要求1-4任一所述的低压小信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述Q1和Q6用以为MOS管提供驱动电流。