技术总结
本实用新型公开了一种低压小信号驱动高压MOS的电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，稳压管D1。本实用新型的将低压小信号驱动高压MOS的电路结构简单，应用范围广，能满足较高的工作频率和驱动电流，适用于单片机驱动的MOS管和低驱动电压的IC，也可用于双电压应用，或用于3.3V或者5V的数字电压驱动，或用于12V或者24V的模拟功率部分，有效降低成本，调整方便灵活。
技术研发人员：邢宏印;张万龙
受保护的技术使用者：深圳市志和兴业电子有限公司
文档号码：201621190650
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.05.17