技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种位准移位电路与使用此位准移位电路的整合电路。相对于传统位准移位电路，此位准移位电路还具有另一对PMOS晶体管与另一对NMOS晶体管，其中另一对PMOS晶体管连接一对PMOS晶体管，且另一对NMOS晶体管连接一对NMOS晶体管。位准移位电路中的多个PMOS晶体管与多个NMOS晶体管可被保护，使得位准移位电路的使用寿命增加，以及使得位准移位电路的毁损机率降低。被打开的另一对NMOS晶体管可以操作于饱和区而非线性区，如此，可以增加位准移位电路的操作速度。
技术研发人员：周敏忠
受保护的技术使用者：晶豪科技股份有限公司
技术研发日：2017.02.06
技术公布日：2018.08.14