技术特征：
技术总结
课题在于提供能够避免电平移位动作造成的耐压破坏的电平移位电路。解决方案在于具备：浮动电源，一端与输出端子连接；第1及第2电阻，与浮动电源的另一端连接；第1及第2NMOS晶体管，漏极分别与第1及第2电阻的各自另一端连接，栅极接受低电平电源的电压；第3及第4NMOS晶体管，栅极接受来自脉冲发生电路的第1及第2脉冲信号；第3及第4电阻，分别连接在第1及第2NMOS晶体管的源极与第3及第4NMOS晶体管的漏极之间；以及逻辑电路，接受在第1及第2电阻的各自另一端生成的信号，将输入脉冲发生电路的信号转换为在浮动电源的一端的电压与另一端的电压之间变动的信号并加以输出。
技术研发人员：高田幸辅
受保护的技术使用者：精工半导体有限公司
技术研发日：2017.03.22
技术公布日：2017.10.03