提高晶体振荡器温度精度的方法、振荡器及其封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶体振荡器技术领域，尤其涉及一种提高晶体振荡器温度精度的方法、振荡器及其封装方法。
【背景技术】
[0002]晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，在通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
[0003]温度补偿型晶体振荡器作为一种性能非常优越的时钟源，深受高端电子产品的欢迎，其最大的优点是在任何温度下都可以保持输出频率的稳定，这样就可以保证电子产品不受工作环境温度的限制了。
[0004]如图1所示为现有技术中一种晶体振荡器的结构，这种结构大致可以分为四个部分，温度传感器15，微处理器16，时钟芯片17，石英晶体18。温度传感器感受环境温度，将信号反馈到微处理器16，时钟芯片17和石英晶体18结合产生时钟信号，微处理器控制时钟芯片17对时钟信号进行调整。当环境温度变化时，石英晶体18的特性会变化，这必然导致输出的时钟信号偏移，而此时温度传感器15将环境温度传给微处理器16，微处理器16进行处理输出控制信号给时钟芯片17，时钟芯片17再根据微处理器16输入的信号对时钟信号的偏移进行调整，这样时钟信号就会稳定不变。
[0005]然而此种方法也存在一些问题，首先它应用起来比较复杂，分立器件比较多，费用较高，其次就是占用PCB的面积比较大，最后就是温度感应的不一致性，由于是分立器件，必然导致石英晶体17所感受的温度和温度传感器15所感受的温度的差异，这一差异必然导致对偏移量所做修调的不准确性，输出的频率将不能达到高精度的要求。
[0006]中国专利文献CN 202818244 U公开一种高精度温度补偿型晶体振荡器封装结构，如图2所示，包括石英晶体30和控制所述石英晶体30振荡的集成电路芯片33，其特征在于，所述封装结构还包括基底31，所述石英晶体30、集成电路芯片33和基底31集成在同一腔体34内，所述石英晶体30紧贴在所述基底31的上方，所述集成电路芯片33紧贴在所述基底31的下方，三者形成立体夹心结构，对外界温度的变化感应相同。
[0007]该技术方案虽然解决了温度感应一致性的问题，但是其对各模块的设置位置具有较高的要求，不利于产品通用化，同时增加了晶体振荡器的厚度，会影响应用其的产品的薄型化。
【发明内容】
[0008]本发明的一个目的在于:提供一种提高晶体振荡器温度精度的方法，该方法能够保证振荡器中各模块受热均匀，温度趋于一致，提高温控精度。
[0009]本发明的另一个目的在于:提供一种晶体振荡器，其内部模块具有高度的的结构稳定性以及温度一致性，频率温度稳定度更高。
[0010]本发明的再一个目的在于:提供一种晶体振荡器的封装方法，该方法封装的晶体振荡器具有高度的温度一致性。
[0011]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0012]一方面，提供一种提高晶体振荡器温度精度的方法，在基板上至少离散布置有晶体、控温模块以及温度传感器，使用具有良好导热性能的填充材料对所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器之间的间隙进行填充，使所述温控模块与所述温度传感器的温度趋于一致。
[0013]作为提高晶体振荡器温度精度的方法的一种优选的技术方案，所述晶体振荡器还包括加热模块，所述加热模块与所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器之间填充具有良好导热性能的填充材料。
[0014]作为提高晶体振荡器温度精度的方法的一种优选的技术方案，所述填充材料采用具有良好导热性能的塑封胶。
[0015]作为提高晶体振荡器温度精度的方法的一种优选的技术方案，所述对所述控温模块以及所述温度传感器之间的间隙进行填充为:用所述填充材料将所述基板、所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器灌封在一起，并固化所述填充材料。
[0016]另一方面，提供一种晶体振荡器，包括基板以及呈离散状态设置在所述基板上的晶体、控温模块以及温度传感器，所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器之间设置有具有良好导热性能的填充材料。
[0017]作为晶体振荡器的一种优选技术方案，还包括加热模块，所述晶体、所述控温模块、所述温度传感器以及所述加热模块之间设置有具有良好导热性能的填充材料。
[0018]作为晶体振荡器的一种优选技术方案，所述加热模块与所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器周部的基板上设置有用于固定所述加热模块与所述晶体、所述控温模块以及所述温度传感器的固定装置。
[0019]在灌封过程中，由于灌封注胶口设置位置影响，灌封压力较大时可能会造成元件受力不均匀，导致元器件脱离安装位置造成电连接失效。设置固定装置能够平衡灌装压力对元器件的影响。
[0020]作为晶体振荡器的一种优选技术方案，所述晶体振荡器的外部设置有金属外壳，所述金属外壳的厚度为0.25 mm?0.5 mm。
[0021]优选的，所述金属外壳的厚度为0.3 mm?0.4 mm。
[0022]更加优选的，所述金属外壳的厚度为0.4 mm。
[0023]再一方面，提供一种如上所述的晶体振荡器的封装方法，包括以下步骤:
[0024]步骤S1、焊接元器件，采用焊接的方式将晶体、控温模块、温度传感器连接在基板上;
[0025]步骤S2、灌封，将焊接好的晶体振荡器置于模具中，向模腔内加压灌注190°C?220°C的热固性填充材料，灌注压力为2.5MPa?5Mpa ；
[0026]步骤S3、固化脱模，通过固化装置对灌封后的所述晶体振荡器进行固化，固化后脱模完成封装。
[0027]作为晶体振荡器的封装方法的优选技术方案，所述固化脱模为常温固化，固化时间为10s?150s。
[0028]本发明的有益效果为:将晶体、温度传感器、加热模块以及控温模块在同一平面离散设置，有利于降低晶体振荡器产品的厚度，各模块之间通过具有良好导热性能的填充材料进行填充能使各模块受热更均匀，温度趋于一致，提高了温控精度，使得补偿量输出更精确，提高了晶体振荡器的频率温度稳定度。
【附图说明】
[0029]下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
[0030]图1为现有技术中一种晶体振荡器结构示意图。
[0031]图2为现有技术中另一种晶体振荡器结构示意图。
[0032]图3为实施例所述晶体振荡器结构示意图。
[0033]图4为又一实施例所述晶体振荡器结构示意图。
[0034]图5为实施例所述晶体振荡器的封装方法流程图。
[0035]图1 中:
[0036]15、温度传感器；16、微处理器；17、时钟芯片；18、石英晶体；
[0037]图2 中:
[0038]30、石英晶体；31、基底；33、集成电路芯片；34、腔体；
[0039]图3 中:
[0040]