、57各自的两端的电位差，所以即使可变电容元件16、17、56、57的耐压较小，也能够降低损坏的可能性。因此，根据本实施方式，能够实现可靠性更高的振荡器。
[0125]1-3.第3实施方式
[0126]图7是第3实施方式的振荡器的功能框图。在图7中，对与图3的各构成要素对应的构成要素附加与图3相同的标号。
[0127]如图7所示，相对于第I实施方式，第3实施方式的振荡器I中的振荡电路2还设置有开关71和开关72。
[0128]开关71 (第I切换部的一例)连接在XI端子与VSS端子之间，例如，一端(一个端子)与VSS端子连接，另一端(另一个端子)与XI端子连接，以便能够限制从XI端子向VSS端子(第3端子的一例)供给的信号的大小。该开关71控制VSS端子与XI端子之间的电连接。
[0129]开关72(第2切换部的一例)连接在XO端子与VC端子之间，例如，一端(一个端子)与VC端子连接，另一端(另一个端子)与XO端子连接，以便能够限制从XO端子向VC端子(第4端子的一例)供给的信号的大小。该开关72控制VC端子与XO端子之间的电连接。
[0130]在本实施方式中，开关71、72根据来自接口电路40的控制信号(切换信号的一例)而被进行开闭控制。在振荡电路2已被设定为通常模式时，开关71、72都断开，在振荡电路2已被设定为过驱动模式时，开关71、72都闭合。
[0131]另外，在本实施方式中，当振荡电路2已被设定为过驱动模式时，恒流源18成为无效，能够利用与VCl端子的电压相应的电流使振子3进行振荡。
[0132]因为第3实施方式中的振荡器I的其它结构与第I实施方式相同，所以省略其说明。另外，因为第3实施方式的振荡器I的立体图、剖视图、仰视图及其制造方法与第I实施方式相同，所以省略其图示以及说明。根据第3实施方式的振荡器，可获得与第I实施方式的振荡器I同样的效果。
[0133]此外，根据第3实施方式的振荡器，在振荡电路2设定为过驱动模式并使外部端子VSSl接地的状态下，例如，可通过采用信号发生器或外置的振荡电路等对外部端子VCl输入高电压的AC信号来进行过驱动检查。或者在振荡电路2设定为过驱动模式并使外部端子VSSl接地的状态下，一边改变振幅一边对外部端子VCl输入AC信号，由此进行驱动等级检查。
[0134]另外，根据第3实施方式的振荡器，在振荡电路2的通常动作时和振子3的检查时，可共用外部端子VCl以及VSS1，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路2侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以能够实现提高了振子3的检查可靠性的振荡电路2。另外，能够不经由振荡部10，而是经由外部端子VCl以及VSSl对振子3的两端施加电压，所以与经由振荡部10对振子3施加电压的情况相比，施加的电压范围的限制变少。
[0135]另外，在第3实施方式的振荡器中，当振荡电路2已被设定为过驱动模式时，开关71闭合，所以，振荡部10的输入端子即NPN型的双极晶体管11的基极端子与外部端子VSSl (VSS端子)连接。因此，在进行过驱动检查或驱动等级检查时，双极晶体管11的基极端子接地，振荡部10不再进行动作，所以能够保护振荡电路2。结果，振荡电路的设计自由度变大。
[0136]1-4.第4实施方式
[0137]图8是第4实施方式的振荡器的功能框图。在图8中，对与图7的各构成要素对应的构成要素标注与图7相同的标号。
[0138]如图8所示，关于第4实施方式的振荡器I中的振荡电路2，开关72的连接与第3实施方式不同。
[0139]开关72(第2切换部的一例)连接在XO端子与VDD端子之间，例如，一端(一个端子)与VDD端子电连接，另一端(另一个端子)与XO端子电连接，以便限制从XO端子向VDD端子(第4端子的一例)供给的信号的大小。该开关72控制VDD端子与XO端子之间的电连接。
[0140]另外，在本实施方式中，当振荡电路2已被设定为过驱动模式时使恒流源18成为无效，使NPN型的双极晶体管11的动作停止，利用与对外部端子VDDl (VDD端子)输入的AC电压相应的电流振幅，使振子3直接进行振荡，由此可进行过驱动检查。
[0141]因为第4实施方式的振荡器I的其它结构与第3实施方式相同，所以省略其说明。另外，因为第4实施方式的振荡器I的立体图、剖视图、仰视图及其制造方法与第I实施方式相同，所以省略其图示以及说明。根据第4实施方式的振荡器，可获得与第I实施方式的振荡器I同样的效果。
[0142]此外，根据第4实施方式的振荡器，在振荡电路设定为过驱动模式并使外部端子VSSl接地的状态下，例如，可通过采用信号发生器或外置的振荡电路等对外部端子VDDl输入高电压的AC信号来进行过驱动检查。或者，在振荡电路2设定为过驱动模式并使外部端子VSSl接地的状态下，一边改变振幅一边对外部端子VDDl输入AC信号，由此进行驱动等级检查。
[0143]另外，根据第4实施方式的振荡器，在振荡电路2的通常动作时和振子3的检查时，可共用外部端子VDDl以及VSS1，所以与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少用于检查的端子数。因此，例如能够降低产生用于输入检查用信号的探针与振荡电路2侧的端子之间的电连接不良导致的检查问题的可能性，所以能够实现提高了振子3的检查可靠性的振荡电路2。另外，能够不经由振荡部10，而是经由外部端子VDDl以及VSSl对振子3的两端施加电压，因此与经由振荡部10对振子3施加电压的情况相比，施加的电压范围的限制变少。
[0144]另外，在第4实施方式的振荡器中，当振荡电路2已经设定为过驱动模式时，开关71闭合，所以振荡部10的输入端子即NPN型的双极晶体管11的基极端子与外部端子VSSl (VSS端子)连接。因此，在进行过驱动检查或驱动等级检查时，双极晶体管11的基极端子接地，振荡部10不再进行动作，所以能够保护振荡电路2。结果，振荡电路的设计自由度变大。
[0145]1-5.第5实施方式
[0146]图9是第5实施方式的振荡器的仰视图。另外，图10是第5实施方式的振荡器的功能框图。在图10中，对与图3的各构成要素对应的构成要素标注与图3相同的标号。
[0147]如图9以及图10所示，相对于第I实施方式，第5实施方式的振荡器I还设置有两个外部端子X01、XII。外部端子XOl与振荡电路2的XO端子连接，外部端子XIl与振荡电路2的XI端子连接。
[0148]另外，在本实施方式中，当振荡电路2已经设定为过驱动模式时，恒流源18成为无效，可利用与XOl端子的电压相应的电流使振子3进行振荡。
[0149]第5实施方式的振荡器I的其它结构与第I实施方式相同，所以省略其说明。另夕卜，第5实施方式的振荡器I的立体图、剖视图及其制造方法与第I实施方式相同，所以省略其图示以及说明。根据第5实施方式的振荡器，可获得与第I实施方式的振荡器I相同的效果。
[0150]此外，根据第5实施方式的振荡器，在振荡电路2设定为过驱动模式并使外部端子XII接地的状态下，例如，可通过采用信号发生器或外置的振荡电路等对外部端子XOi输入高电压的AC信号，对振子3直接进行过驱动检查。或者，在振荡电路2设定为过驱动模式并使外部端子VSSl接地的状态下，一边改变振幅一边对外部端子XOl输入AC信号，由此对振子3直接进行驱动等级检查。
[0151]另外，在第5实施方式的振荡器中，当振荡电路2进行过驱动试验时，因为外部端子XIl接地，所以振荡部10的输入端子即NPN型的双极晶体管11的基极端子与外部端子VSSl (VSS端子)连接。因此，当进行过驱动检查或驱动等级检查时，双极晶体管11的基极端子接地，振荡部10不再进行动作，所以能够保护振荡电路2。结果，振荡电路的设计自由度变大。此外，即便在外部端子XIl不接地的状态下，也能够通过对外部端子XIl与外部端子XOl之间施加高电压的AC信号、或一边改变振幅一边对外部端子XIl与外部端子XOl之间施加AC信号，来进行过驱动检查或驱动等级检查。
[0152]1-6.第6实施方式
[0153]图11是第6实施方式的振荡器的功能框图。在图11中，对与图3的各构成要素对应的构成要素标注与图3相同的标号。
[0154]如图11所不,相对于第I实施方式，第6实施方式的振荡器I中的振荡电路2取代双极晶体管11而采用NMOS晶体管21作为振荡部10的放大元件。NMOS晶体管21的栅极端子、源极端子以及漏极端子分别与XI端子、VSS端子以及XO端子连接。该NMOS晶体管21的漏极端子的信号成为对经由XI端子向栅极端子输入的振子3的输出信号进行放大后的信号，经由XO端子输入到振子3。
[0155]第6实施方式的振荡器I的其它结构与第I实施方式相同，所以省略其说明。另夕卜，第6实施方式的振荡器I的立体图、剖视图及其制造方法与第I实施方式相同，所以省略其图示以及说明。根据第6实施方式的振荡器，可获得与第I实施方式的振荡器I相同的效果。
[0156]1-7.第7实施方式
[0157]图12是第7实施方式的振荡器的功能框图。在图12中，对与图3的各构成要素对应的构成要素标注与图3相同的标号。
[0158]如图12所示，相对于第I实施方式，第7实施方式的振荡器I中的振荡电路2取代双极晶体管11而采用CMOS反相器31作为振荡部10的放大元件。CMOS反相器31的输入端子以及输出端子分别与XI端子以及XO端子连接。该CMOS反相器31将VDD端子与VSS端子之间的电位差作为电源电压，使经由XI端子输入的振子3的输出信号放大且极性反转而输出，CMOS反相器31的输出信号经由XO端子输入到振子3。
[0159]第7实施方式的振荡器I的其它结构与第I实施方式相同，所以省略其说明。另夕卜，因为第7实施方式的振荡器I的立体图、剖视图及其制造方法与第I实施方式相同，所以省略其图示以及说明。根据第7实施方式的振荡器，可获得与第I实施方式的振荡器I相同的效果。
[0160]2.电子设备
[0161]图13是本实施方式的电子设备的功能框图。另外，图14是示出作为本实施方式的电子设备的一例的智能手机的外观的一例的图。
[0162]本实施方式的电子设备300构成为包含振荡器310、CPU(Central ProcessingUnit) 320、操作部 330、R0M (Read Only Memory) 340>RAM (Random Access Memory) 350、通信部360、显示部370。此外，本实施方式的电子设备可构成为省略或变更图13的构成要素(各个部)的一部分或者附加其它构成要素后的结构。
[0163]振荡器310具备振荡电路312和振子313