导电图案的制造方法_3

文档序号:8367902阅读:来源:国知局
机系颜料,能够控制曝光工序中的光吸收和散射。
[0054]从控制曝光工序中的光散射的观点出发,玻璃粉末或填料的体积平均粒径优选为
0.05-5 μ m,更优选配混有 Bi203、S12, B203、ZrO2, A1203、1102或 ZnO、或者碱金属类、碱土金属类或铈等稀土金属、或者这些金属的氧化物。
[0055]作为增塑剂,可列举出例如邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇或甘油。
[0056]作为硅烷偶联剂,可列举出例如甲基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、或者乙烯基三甲氧基硅烷。
[0057]导电糊剂可以在混合必要的材料后用例如三辊磨进行混炼来制作。
[0058]供于本发明的曝光工序的膜或图案可以通过涂布工序来获得。此处,涂布工序是将导电糊剂涂布在基板上而得到涂布膜或涂布图案的工序。
[0059]作为涂布导电糊剂的基板,可列举出例如PET膜、聚酰亚胺膜、聚酯膜或芳纶膜等膜;环氧树脂基板、聚醚酰亚胺树脂基板、聚醚酮树脂基板、聚砜系树脂基板、碱玻璃基板、无碱玻璃基板或玻璃/环氧树脂复合基板的玻璃板、硅晶片、氧化铝基板、氮化铝基板或者碳化硅基板,优选为膜或玻璃板。另外,这些基板的表面用透明导电膜或图案、装饰膜或绝缘膜中的一种以上覆盖亦可。作为透明导电膜或图案,可列举出例如由锡掺杂氧化铟构成的IT0、由氟掺杂氧化锡构成的FT0、铜、氧化锌、氧化钛、纳米银线、碳纳米管、石墨烯、导电性高分子的膜或图案。
[0060]作为玻璃基板的玻璃,优选为实施了强化处理的强化玻璃。此处,作为强化玻璃,可列举出:例如,对玻璃表面层的分子进行离子交换而在玻璃表面形成大的分子,在玻璃表面层形成有压缩应力的化学强化玻璃;或者,将玻璃加热至残留应力残留的温度后,通过骤冷在玻璃表面层形成有压缩应力的物理强化玻璃。
[0061]形成导电图案的基板可以是连续的长条基板。在长条基板的情况下,可以使用例如卷对卷或辊对辊法来制造导电图案。使用辊对辊法等方式时,若使照射光位于中央并在其前面和背面并排放置基板,则一次能够获得多条线,是有效的。
[0062]作为将导电糊剂涂布在基板上而得到涂布膜或涂布图案的方法,可列举出例如使用了旋涂器的旋转涂布、喷雾涂布、辊涂、丝网印刷、胶版印刷、凹版印刷、活版印刷、柔性印刷、或者使用刮刀涂布机、模具涂布机、压延涂布机、弯月面涂布机、或者棒涂机的方法。所得涂布膜或涂布图案的厚度通常以将涂布膜或涂布图案干燥而得到的干燥膜或干燥图案的厚度达到1~20 μπι的范围内的方式进行调整。
[0063]通过涂布工序得到的膜或图案根据需要供于干燥工序即可。此处,干燥工序是将利用涂布工序得到的涂布膜或涂布图案干燥而得到干燥膜或干燥图案的工序。通过干燥工序中的干燥,从涂布膜中去除有机溶剂等。
[0064]作为干燥工序中的干燥方法,可列举出例如使用了烘箱或热板的热处理、红外线等光的照射或减压干燥、或者它们的组合。此处,热处理温度优选为50~180°C,热处理时间优选为I分钟~数小时。
[0065]通过涂布工序得到的涂布膜根据需要供于预曝光工序亦可。此处,预曝光工序是将涂布工序中得到的涂布膜用具有亮线的光进行曝光从而得到在导电膜上记录有图案形状的曝光膜的工序。
[0066]作为具有亮线的光,可列举出例如在紫外线区域具有线状谱的汞灯或者在近红外区域具有线状谱的氙气灯。亮线优选为i射线(365nm)、h射线(405nm)、或g射线(436nm),更优选与有机化合物、光聚合引发剂C的吸收光谱相符。
[0067]通过预曝光工序得到的曝光膜也可以根据需要供于预显影工序。此处,预显影工序是对预曝光工序中得到的曝光膜进行显影而得到图案的工序。通过显影、即使用显影液去除非曝光部,记录于曝光膜的图案形状露出而形成期望的图案。作为显影,可列举出例如使用碱性显影液的碱显影或者使用有机溶剂的有机显影,优选为碱显影。作为显影,可列举出例如使用碱性显影液的碱显影或者使用有机溶剂的有机显影,优选为碱显影。作为碱性显影液,可列举出例如四甲基氢氧化铵、二乙醇胺、二乙氨基乙醇、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、三乙基胺、二乙基胺、甲基胺、二甲基胺、醋酸二甲氨基乙酯、二甲氨基乙醇、二甲氨基乙基甲基丙烯酸酯、环己胺、乙二胺、或者六亚甲基二胺的水溶液。另外,这些水溶液中也可以添加有例如N-甲基-2-吡咯烷酮、N, N- 二甲基甲酰胺、N, N- 二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、或者γ-丁内酯等极性溶剂;甲醇、乙醇或异丙醇等醇类;乳酸乙酯或丙二醇单甲醚乙酸酯等酯类;环戊酮、环己酮、异丁酮或甲基异丁基酮等酮类、或者表面活性剂。
[0068]显影可以通过一边使基板静置或旋转一边用显影液对曝光膜进行喷淋或分曝光膜地将基板浸渍在显影液中等的方法来进行。
[0069]显影后,可以对所得图案实施基于润洗液的润洗处理。作为润洗液,可列举出例如将水或者乙醇或异丙醇等醇类或乳酸乙酯或丙二醇单甲醚乙酸酯等酯类等添加在水中而得到的液体。
[0070]本发明中的曝光工序是对经由涂布工序、预曝光工序、预显影工序或干燥工序而得到的膜或图案进行曝光而得到导电膜或导电图案的工序。例如,在膜或图案中包含的有机化合物B包含感光性有机化合物的情况下,通过曝光工序中的曝光和光聚合引发剂C的存在,感光性有机化合物发生光反应而使膜或图案收缩,因此导电性颗粒A彼此接触而表现出导电性。从提高膜或图案的收缩效果的观点出发,可以在曝光的前后或曝光的同时进行热处理。作为该热处理方法,可列举出例如使用了烘箱、惰性烘箱或热板的加热或红外线的照射。需要说明的是,可以通过隔着曝光掩膜对曝光光线遮光成期望的图案形状,从而在膜上记录图案形状。需要说明的是,为了散放基板因光吸收而产生的热,一边冷却基板一边进行曝光工序亦可。
[0071]为了获得适合的导电性,曝光工序中的曝光光线需要为具有广谱的光,其最小波长和最大波长均优选处于200~3000nm的范围内,其最小波长或最大波长均更优选处于400~1500nm的范围内。具有广谱的光的多余波长区域可以用光学过滤器或棱镜等进行遮光。例如,基板充分吸收不足400nm的光时,为了防止基板或基板表面的装饰膜、绝缘膜或ITO薄膜等的劣化,优选对不足400nm的光进行遮光。
[0072]作为具有广谱的光的光源,可列举出例如氙气灯、卤素灯、氘灯、LED、激光、等离子体、发光二极管、日光灯、或者灯丝使用铬铝钴耐热钢线、钨或碳等而成的光源,优选为能够照射包含近红外线区域的光的氙气灯或卤素灯,更优选为氙气灯。此处,氙气灯是指:利用在氙气、氖气、氩气、氦气或氪气等稀有气体中由放电导致的发光的灯。
[0073]氙气灯的光优选进行脉冲照射。此处,脉冲照射是指:瞬间重复进行连续照射和间歇照射的光的照射方法、即周期性地照射光的方法。连续照射和间歇照射的重复条件、脉冲照射中的光照射周期即脉冲照射条件可以通过平均I秒的脉冲重复数即频率来控制。另夕卜,要照射的光的能量量可以通过脉冲幅度和脉冲数来控制。脉冲照射与单纯的连续照射相比能够瞬间照射强光或弱光,因此在防止导电图案、基板的急剧改性的方面来说是优选的。需要说明的是,脉冲照射时间、次数根据导电图案的组成、基板的种类适当选择即可。脉冲照射在以提高生产效率、防止剩余的光散射、防止基材的劣化损伤等为目的的情况下成为有效的手段。关于脉冲照射时间,更具体而言,使用氙气闪光灯进行曝光时的合计脉冲照射时间优选为0.03msec~100msec。合计脉冲照射时间超过10msec时,膜基材有时产生形变。不足0.05msec时,所得导电膜或导电图案的导电性变得不充分。
[0074]另外,对于卤素灯而言,优选在l~60sec的合计脉冲照射时间内组合脉冲照射。
[0075]对于除了氙气灯或卤素灯之外的能够照射含近红外线区域的光的光源而言,合计脉冲照射时间优选为5分钟以内。照射时间过长时,基材的劣化变得显著。
[0076]可以与具有广谱的光一并照射具有亮线的光。此处,为了同时照射具有广谱的光和具有亮线的光,例如可以使用汞氙气灯,也可以同时照射氙气灯和汞灯的光。此时,可以同时进行预曝光工序和曝光工序。
[0077]曝光工序中的曝光光线可以从基板的前面或背面中的任意面进行照射。通过向前面和背面同时照射曝光光线,能够更致密地控制照射光,能够期待生产效率的提高、基板与导电图案的密合性的提高。前面和背面的曝光光线可以相同,也可以不同。
[0078]需要说明的是,通过光照射来进行上述干燥工序中的干燥时,如果该光与曝光工序中的曝光光线相一致,则能够一并进行干燥工序和曝光工序。
[0079]本发明的第一方式中的显影工序是对曝光工序中得到的导电膜进行显影而得到导电图案的工序。需要说明的是,本发明的第二方式的导电图案的制造方法中,在涂布工序或预曝光工序和预显影工序中已经形成有期望的图案,在结束曝光工序的时刻已经获得导电图案,故而不需要显影工序。
[0080]通过显影,在导电膜上记录的导电图案形状露出而形成期望的导电图案。作为显影,与预显影工序同样地优选为碱显影。
[0081]显影与预显影工序同样地可以通过一边使基板静置或旋转一边用显影液对导电膜进行喷淋或分导电膜地将基板浸渍在显影液中等的方法来进行。
[0082]显影后,与预显影工序同样地对所得导电图案实施基于润洗液的润洗处理。
[0083]所得导电糊剂的导电性不充分时,可以进行进一步用具有
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