另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0113](实施例7)
除了使用导电糊剂R来代替导电糊剂Y之外，与实施例3同样操作，得到条纹状的导电图案。最终得到的导电图案的膜厚6“111、175=25 4111/15 4111，比目标线宽20 4111略大。另夕卜，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为170 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0114](实施例8)
使用PET膜基板来代替玻璃基板，进而对光源使用光波长400nm的截止滤波器，除此之夕卜，与实施例3同样操作，得到导电图案。
[0115]最终得到的导电图案的膜厚6 μπκ L/S=20 μ m/20 μ m，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为70 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0116](实施例9)
除了使用PET膜基板来代替玻璃基板之外，与实施例3同样操作，得到曝光膜。将所得曝光膜与实施例1的导电膜同样地显影，其后，用水进行润洗处理而去除非曝光部分，得到条纹状的导电图案。
[0117]对所得导电图案进一步脉冲照射具备氙气闪光灯的曝光机U々只株式会社制)的光来曝光(施加电压400V ;照射时间0.2msec)。
[0118]最终得到的导电图案的膜厚6 μπκ L/S=20 μ m/20 μ m，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为130 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0119](实施例10)
与实施例3同样操作而得到曝光膜。将所得曝光膜与实施例1的导电膜同样地显影，其后，用水进行润洗处理而去除非曝光部分，得到条纹状的导电图案。
[0120]所得导电图案进一步照射短波长红外线发生装置(最大能量波长1.2 μπι ;?U夕只株式会社制)的光来进行曝光(能量密度20kW/m2;照射时间5分钟)。
[0121]最终得到的导电图案的膜厚6 ym、L/S=20 μπι/20 μπι，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为80 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0122](实施例11) 与实施例3同样操作而得到曝光膜。将所得曝光膜与实施例1的导电膜同样地显影，其后，用水进行润洗处理而去除非曝光部分，得到条纹状的导电图案。
[0123]对所得导电图案进一步照射短中波长红外线发生装置(碳型；最大能量波长
2.0 ym ;?U々只株式会社制)的光来进行曝光(能量密度20kW/m2;照射时间3分钟)。
[0124]最终得到的导电图案的膜厚6 μπκ L/S=20 μ m/20 μ m，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为80 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0125](实施例12)
与实施例3同样操作而得到曝光膜。将所得曝光膜与实施例1的导电膜同样地显影，其后，用水进行润洗处理而去除非曝光部分，得到条纹状的导电图案。
[0126]对所得导电图案进一步照射中波长红外线发生装置(最大能量波长2.6 μπι ;?U々只株式会社制)的光来进行曝光(能量密度25kW/m2;照射时间2分钟)。
[0127]最终得到的导电图案的膜厚6 μπκ L/S=20 μ m/20 μ m，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为80 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0128](实施例13)
除了使用PET膜基板来代替玻璃基板之外，与实施例3同样操作，得到曝光膜。将所得曝光膜与实施例1的导电膜同样地显影，其后，用水进行润洗处理而去除非曝光部分，得到条纹状的导电图案。
[0129]对所得导电图案进一步照射中波长红外线发生装置的光来进行曝光(能量密度25kW/m2;照射时间I分钟)。
[0130]最终得到的导电图案的膜厚6 μπκ L/S=20 μ m/20 μ m，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为50 Ω。另外，基板均未发生形变、颜色变化等，是良好的。
[0131](比较例I)
在玻璃基板上利用丝网印刷将导电糊剂X涂布成条纹状，得到条纹状的涂布图案。
[0132]将所得条纹状的涂布图案用100°C的通风烘箱热处理I小时并干燥，得到条纹状的干燥图案。
[0133]将所得条纹状的干燥图案用140°C的通风烘箱热处理10分钟，得到条纹状的导电图案。
[0134]所得导电图案的膜厚6 μπι、Ιν^=50 ym/50 μπι，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为500Ω以上，电阻值高、不实用。
[0135](比较例2)
除了将条纹状干燥图案的热处理时间变更为30分钟之外，与比较例I同样操作，得到条纹状的导电图案。所得导电图案的膜厚6μm、L/S=50μm/50μm，没有残渣、剥落，成为良好的微细布线。另外，线宽50 μπκ线长45mm的线电阻为200 Ω，电阻值高、不实用。
[0136](比较例3)
使用PET膜基板来代替玻璃基板，进一步将条纹状干燥图案的热处理时间变更为I小时，除此之外，与比较例I同样操作，得到条纹状的导电图案。所得导电图案的膜厚6 μπκ?νS=50 μπι/50 μπι，没有残渣、剥落，但在基板的一部分观察到形变、可视作产生气泡的斑点，
不实用。
[0137] 产业可利用性
本发明作为对触摸面板的电路基板等的导电图案的制造方法是有用的。
【主权项】
1.导电图案的制造方法，其具备如下曝光工序:用具有广谱的光对包含导电性颗粒A和有机化合物B的基板上的膜或图案进行曝光，从而得到导电膜或导电图案。
2.根据权利要求1所述的导电图案的制造方法，其具备对所述膜进行显影而得到导电图案的显影工序。
3.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其具备进一步用具有广谱的光对所述导电图案进行曝光的第二曝光工序。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述具有广谱的光的最小波长和最大波长在200nm~3000nm的范围内。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述具有广谱的光为选自氣气灯的光、氣气闪光灯的光、以及齒素灯的光中的光。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述曝光工序中，对波长不足400nm的光进行遮光。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电性颗粒A的体积平均粒径为0.05-5 μ m。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电性颗粒A的体积平均粒径为1~5 μπι。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述有机化合物B具有不饱和双键、缩水甘油基或羧基。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述膜或图案在400nm以上的波长区域具有吸收带。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述曝光工序中，脉冲照射具有广谱的光。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述基板为玻璃板或膜。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述基板的表面被选自透明导电膜装饰膜和绝缘膜中的膜所覆盖。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的膜厚为l~30ym。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的线宽为1-1OOymo
16.根据权利要求1~15中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的有机成分含量为5质量％以上且不足40质量％。
17.接触式传感器，其具备利用权利要求1~16中任一项所述的导电图案的制造方法制造得到的导电图案。
18.触摸面板，其具备权利要求17所述的接触式传感器。
19.显示面板，其具备权利要求18所述的接触式传感器。
【专利摘要】本发明的目的在于提供如下导电图案的制造方法，该方法能够获得导电性良好的导电图案、能够显著提高生产效率而无需伴随高温且长时间的加热处理。本发明提供导电图案的制造方法，其具备如下曝光工序：用具有广谱的光对包含导电性颗粒A和有机化合物B的基板上的膜或图案进行曝光，从而得到导电膜或导电图案。
【IPC分类】G06F3-041, H01B13-00, H05K3-12, G03F7-20, H05K3-06
【公开号】CN104685976
【申请号】CN201380051742
【发明人】田边美晴, 井口雄一朗, 草野一孝
【申请人】东丽株式会社
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年9月27日
【公告号】US20150248058, WO2014054530A1