实施例。所述揭示内容中的参考的 论述并不是承认其为现有技术，尤其是具有在本申请案的在先申请优先权日期之后的公开 日期的任何参考。本发明中所引用的所有专利、专利申请案和公开案的揭示内容特此以引 用的方式并入本文本中，其提供补充本发明的示例性、程序性或其它细节。
[0056] 虽然本发明多个具体实施例，但应当理解，所公开的系统和方法也可通过其它多 种具体形式体现，而不会脱离本发明的精神或范围。本发明的实例应被视为说明性而非限 制性的，且本发明并不限于本文本所给出的细节。例如，各种元件或部件可以在另一系统中 组合或合并，或者某些特征可以省略或不实施。
[0057] 此外，在不脱离本发明的范围的情况下，各种实施例中描述和说明为离散或单独 的技术、系统、子系统和方法可以与其它系统、模块、技术或方法进行组合或合并。展示或论 述为彼此耦合或直接耦合或通信的其它项也可以采用电方式、机械方式或其它方式通过某 一接口、设备或中间部件间接地耦合或通信。其它变更、替换、更替示例对本领域技术人员 而言是显而易见的，均不脱离此处公开的精神和范围。
【主权项】
1. 一种功率检测器电路，其特征在于，包括： 用于接收射频（RF)输入信号并生成第一电压的第一部分，其中所述第一电压包括与 所述RF输入信号的均方成正比的电压和所述第一部分的电压特性的总和，以及所述第一 电压是第三部分的输入； 用于生成第二电压的第二部分，其中所述第二电压包括输出电压和与所述第一部分的 所述电压特性成正比的电压的组合，所述输出电压与所述RF输入信号的均方根成正比； 用于通过组合所述第一电压和所述第二电压生成所述输出电压的所述第三部分， 其中所述第二部分为所述第三部分产生负反馈回路，以及所述第三部分生成的所述输 出电压是所述功率检测器电路的输出。
2. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一部分包括： 具有栅极和漏极的第一晶体管，其中所述栅极用于接收所述RF输入信号； 耦合到所述第一晶体管的所述栅极的偏置电压源； 耦合到所述第一晶体管的所述漏极和所述源极电压的第一电阻器；以及 其中所述第一电压在所述第一晶体管的所述漏极处生成。
3. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二部分包括： 电阻器网络； 具有栅极和漏极的第二晶体管； 具有栅极和漏极的第三晶体管； 其中所述电阻器网络耦合到所述第二晶体管和第三晶体管的所述栅极，使得所述第一 晶体管的所述栅极上的电压等于所述偏置电压加上所述输出电压，所述第三晶体管的所述 栅极上的电压等于所述偏置电压减去所述输出电压；以及 所述第一晶体管和第二晶体管的所述漏极通过第二电阻器耦合到所述源极电压，并且 还耦合到所述运算放大器的第二输入。
4. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三部分包括： 所述运算放大器； 跨导体；以及 其中所述运算放大器的输出通过所述跨导体耦合到所述电阻器网络。
5. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电阻器网络包括具有相等电阻值的 第三电阻器和第四电阻器。
6. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻器和所述第二电阻器具有 相等的电阻值。
7. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述 第三晶体管均具有包括宽度和长度的沟道，并且所述第二晶体管的所述沟道宽度和所述第 三晶体管的所述沟道宽度等于所述第一晶体管的所述沟道宽度的一半。
8. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，第一晶体管、第二晶体管、和第三晶体管 的所述信道长度均相等。
9. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述运算放大器的所述输出通过所述跨 导体与所述电阻器网络的所述连接产生负反馈回路。
10. 根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三部分生成的所述输出电压是所 述RF输入信号的与温度无关的均方根。
11. 一种射频（RF)功率检测器，其特征在于，包括： 第一电路，用于： 接收输入RF信号；以及 在所述第一电路的输出处生成与所述输入RF信号的均方成正比的直流（DC)电压和所 述第一电路工作的电压特性； 第二电路，用于在所述第二电路的输出处生成输出电压和与所述第一电压相等的电 压；以及 第一运算放大器，具有耦合到所述第一电路的所述输出的第一输入、耦合到所述第二 电路的所述输出的第二输入，以及通过跨导体耦合到所述第二电路的所述第一运算放大器 的输出，其中所述第一运算放大器的所述输出与所述输出电压成正比，所述输出电压是所 述输入RF信号的均方根。
12. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述输出电压与温度无关。
13. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述第一电路包括： 具有栅极和漏极的第一晶体管，其中所述第一晶体管的所述栅极用于耦合到输入RF信号和偏置电压源，所述第一晶体管的所述漏极用于通过第一电阻器耦合到源极电压，所 述第一电路的所述输出在所述第一晶体管的所述漏极处生成，以及所述第一电路配置为RF 功率检测器。
14. 根据权利要求13所述的RF功率检测器，其特征在于，所述第二电路包括： 与所述跨导体串联的电阻器网络； 第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极和漏极，其中所述漏极通过第二电阻器耦合到 所述源极电压，所述第二晶体管的所述栅极耦合到所述电阻器网络，使得栅极电压等于所 述偏置电压加上所述输出电压；以及 第三晶体管，所述第三晶体管具有栅极和漏极，其中所述漏极通过所述第二电阻器耦 合到所述源极电压，所述第三晶体管的所述栅极耦合到所述电阻器网络，使得所述栅极电 压等于所述偏置电压减去所述输出电压。
15. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，来自所述第一运算放大器的 所述输出的所述连接通过所述跨导体、所述电阻器网络和所述第二晶体管和第三晶体管形 成负反馈回路。
16. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述运算放大器的第一输入 耦合到所述第一晶体管的所述漏极，所述第二输入耦合到所述第二晶体管和第三晶体管的 所述漏极，以及所述运算放大器的所述输出电压是RF输入信号的均方根电压。
17. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述电阻器网络包括两个串 联且具有相等值的电阻器，其中所述电阻器网络的一端耦合到所述跨导体，所述电阻器网 络的另一端耦合到第四晶体管的所述源极，所述两个电阻器之间的所述连系点耦合到第二 运算放大器的输入。
18. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述第二运算放大器通过另 一输入耦合到所述偏置电压源，并且所述第二运算放大器的输出驱动所述第四晶体管的栅 极。
19. 根据权利要求11所述的RF功率检测器，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体 管、和第三晶体管均具有沟道宽度和沟道长度，所述第二晶体管和第三晶体管的所述沟道 宽度是所述第一晶体管的所述沟道宽度的一半，三个晶体管的所述沟道长度均相等。
20. -种用于产生射频（RF)功率检测器的输出电压的方法，其特征在于，包括： 第一电路接收RF输入信号； 所述第一电路生成第一电压，所述第一电压包括与所述RF输入信号的均方成正比的 直流（DC)电压和所述第一电路的温度相关电压特性； 所述第二电路生成第二电压，所述第二电压包括输出电压和与所述第一电压相等的电 压； 运算放大器组合所述第一电压和所述第二电压；以及 所述运算放大器生成所述输出电压，其中所述输出电压与温度无关并且是所述RF输 入信号的均方根。
【专利摘要】一种功率检测器电路包括用于接收射频(RF)输入信号并生成第一电压的第一部分，其中所述第一电压包括与所述RF输入信号的均方成正比的电压和所述第一部分的电压特性的总和，所述第一电压是第三部分的输入；用于生成第二电压的第二部分，其中所述第二电压包括输出电压和与所述第一部分的所述电压特性成正比的电压的组合，所述输出电压与所述RF输入信号的均方根成正比；以及用于通过组合所述第一电压和所述第二电压生成所述输出电压的所述第三部分，其中所述第二部分为所述第三部分产生负反馈回路，所述第三部分生成的所述输出电压是所述功率检测器电路的输出。
【IPC分类】H03F1-02, H03F3-24
【公开号】CN104798298
【申请号】CN201380059642
【发明人】埃里克·宋
【申请人】华为技术有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2013年12月31日
【公告号】EP2918017A1, US8744379, WO2014101881A1