端子被耦接至第二感测放大器输入端，其中第二放大晶体管的栅极端子被耦接至第一感测放大器输入端，并且其中，第一和第二放大晶体管的源极端子被耦接至公共感测放大器节点。
[0083]附加实施例26.根据附加实施例25的电路系统，其中公共感测放大器节点通过第三三态传输门被耦接至正电源端子，其中第三三态传输门的栅极接收来自控制电路系统的第二三态控制信号，其中在感测阶段期间，控制电路系统禁用第三三态传输门，并且在感测阶段完成时，控制电路系统使能第三三态传输门。
[0084]前述仅用于说明本发明的原理，并且在没有偏离本发明的范围和精神的情况下，可以由本领域的技术人员进行各种更改。前述实施例可以被单独实施或以任何组合实施。作为示例，PUF电路可以包括与图15的三态晶体管342组合的图16的三态晶体管372。该三态晶体管可以使用共享的三态控制信号或不同的三态控制信号来控制。
【主权项】
1.一种包括多个不同电路元件类型的电路系统，所述电路系统包括: 耦接至输出端的给定电路元件类型的第一和第二电路元件，其中所述电路系统产生输出信号，所述输出信号仅基于所述给定类型的第一电路与第二电路之间的相对电流测量所述第一电路与第二电路之间的变化。
2.根据权利要求1所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 预充电所述电路系统的输出端的预充电电路系统，其中所述预充电电路系统包括第一晶体管类型的晶体管，并且其中，所述第一和第二电路元件的给定电路元件类型包括不同于所述第一晶体管类型的第二晶体管类型。
3.根据权利要求2所述的电路系统，其中所述第一晶体管类型的晶体管包括N型晶体管，并且其中，所述第二晶体管类型的晶体管包括P型晶体管。
4.根据权利要求2所述的电路系统，其中所述第一晶体管类型的所述晶体管包括P型晶体管，并且其中，所述第二晶体管类型的所述晶体管包括N型晶体管。
5.根据权利要求2所述的电路系统，其中所述输出端包括具有第一和第二输出节点的差分输出端，其中所述第一电路元件被耦接至所述第一输出节点，并且其中，所述第二电路元件被耦接至所述第二输出节点。
6.根据权利要求5所述的电路系统，其中所述预充电电路系统包括将所述第一和第二输出节点预充电至正电源电压的第一和第二 P型晶体管，其中所述第一电路元件包括第一N型晶体管，其中所述第二电路元件包括第二 N型晶体管，其中所述第一 N型晶体管与第二N型晶体管是交叉耦接的，其中第一和第二 N型晶体管将所述第一和第二输出节点拉向接地电源电压，并且其中，所述电路系统基于所述第一 N型晶体管与所述第二 N型晶体管之间的变化在所述差分输出端生成输出信号。
7.根据权利要求6所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 耦接在所述交叉耦接的N型晶体管与接地电源端子之间的至少一个感测晶体管，其中所述感测晶体管由感测控制信号控制。
8.根据权利要求7所述的电路系统，其中所述至少一个感测晶体管包括由所述感测控制信号控制的一对堆叠的感测晶体管。
9.根据权利要求7所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 耦接在所述交叉耦接的晶体管与所述感测晶体管之间的地址晶体管。
10.根据权利要求5所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 耦接至所述第一和第二输出节点的第一和第二基于晶体管的电容器。
11.根据权利要求5所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 耦接至所述输出节点的感测放大器，其中所述感测放大器产生唯一识别所述电路系统的输出信号。
12.—种操作物理不可克隆功能电路的方法，所述方法包括: 用具有第一类型晶体管的预充电电路系统预充电输出端；并且 用仅具有第二类型晶体管的电路系统，基于所述第二类型晶体管之间的变化在所述输出端产生信号。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述输出端包括具有第一和第二输出节点的差分输出端，其中所述信号包括在所述第一和第二输出节点处的差分信号，所述方法进一步包括:用耦接至所述第一和第二输出节点的感测放大器，基于所述差分信号产生输出信号。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述感测放大器包括电压感测放大器，并且其中，基于所述差分信号产生所述输出信号包括放大所述第一与第二输出节点的电压之间的差值。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述感测放大器包括具有三态电路系统的电流感测放大器，并且其中，基于所述差分信号产生所述输出信号包括: 在所述差分信号正由仅具有第二类型晶体管的所述电路系统产生时，用所述三态电路系统禁用所述电流感测放大器；并且 用所述三态电路系统使能所述电流感测放大器以根据所述差分信号产生输出信号。
16.一种电路系统，所述电路系统包括: 第一晶体管类型的目标晶体管对，其中所述目标晶体管对具有耦接至相应的第一和第二互补节点的漏极端子，交叉耦接至所述第一和第二互补节点的栅极端子，以及耦接至公共汇聚节点的源极端子； 耦接在所述公共汇聚节点与接地电源端子之间的放电路径； 第二晶体管类型的预充电晶体管对，其中所述预充电晶体管对的漏极端子被耦接至所述第一和第二互补节点，并且其中，所述预充电晶体管的源极端子被耦接至公共源极节点；以及 控制电路系统，在预充电阶段期间，所述控制电路系统顺序禁用所述放电路径、使能所述预充电晶体管对和禁用所述预充电晶体管对以预充电所述第一和第二互补节点，以及在感测阶段期间，使能所述放电路径以测量所述目标晶体管对之间的相对栅极阈值变化，其中在所述感测阶段期间流过所述互补节点的电流仅流过所述目标晶体管对和所述放电路径。
17.根据权利要求16所述的电路系统，其中所述放电路径包括感测传输门晶体管，所述感测传输门晶体管具有接收来自所述控制电路系统的感测信号的栅极端子，其中所述控制电路系统通过去断言所述感测信号来禁用所述放电路径，并通过断言所述感测信号来使能所述放电路径，其中所述预充电晶体管的栅极端子接收来自所述控制电路系统的预充电信号，并且其中，所述控制电路系统通过去断言所述预充电信号来使能所述预充电晶体管对，并通过断言所述预充电信号来禁用所述预充电晶体管对。
18.根据权利要求16所述的电路系统，所述电路系统进一步包括: 所述第二晶体管类型的均衡晶体管，其中所述均衡晶体管具有耦接至所述第一互补节点的源极端子和耦接至所述第二互补节点的漏极端子，其中在所述预充电阶段期间，所述控制电路系统在禁用所述放电路径后使能所述均衡晶体管，并且其中，在所述预充电阶段期间，所述控制电路系统在禁用所述预充电晶体管对后禁用所述均衡晶体管。
19.根据权利要求16所述的电路系统，其中所述第一和第二互补节点被耦接至差分感测放大器的相应的第一和第二感测放大器输入端，其中所述差分感测放大器包括电压感测放大器，并且其中，所述第一和第二感测放大器输入端包括高阻抗输入端。
20.根据权利要求16所述的电路系统，其中所述第一和第二互补节点被耦接至差分感测放大器的相应的第一和第二感测放大器输入端，其中所述差分感测放大器包括电流感测放大器，所述电流感测放大器通过经由所述第一和第二感测放大器输入端接收来自所述第一和第二互补节点的电流，来放大所述第一与第二感测放大器输入端之间的电压的差值，其中所述第一和第二互补节点通过第一和第二三态传输门被耦接至所述第一和第二感测放大器输入端，其中所述第一和第二三态传输门的栅极端子接收来自所述控制电路系统的三态控制信号，其中在所述感测阶段期间，所述控制电路系统禁用所述第一和第二三态传输门，并且其中，在所述感测阶段完成时，所述控制电路系统使能所述第一和第二三态传输门。
【专利摘要】本发明涉及一种稳定性增强的物理不可克隆功能电路系统。物理不可克隆功能电路可以包括预充电输出端的预充电电路系统。预充电电路系统可以包括第一类型(诸如N型或P型)的晶体管。仅具有第二、不同类型的晶体管的电路系统可以被耦接至输出端。电路系统可以基于第二类型的晶体管之间的变化在该输出端产生信号。电路系统可以包括第一和第二电路，诸如，被交叉耦接的第二类型的第一和第二晶体管。当电路系统在输出端产生信号时，预充电电路系统或不是第二类型的任何晶体管可以被禁用或从输出端被电断开。以这种方式，物理不可克隆功能电路随时间的稳定性可以得以改进，这是因为只有与第二类型的晶体管相关联的变化可以被用于产生信号。
【IPC分类】H03K19-094
【公开号】CN104852727
【申请号】CN201510081934
【发明人】B·B·佩德森
【申请人】阿尔特拉公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年2月15日
【公告号】EP2911297A1, US20150236698