晶体管Q5渐渐提高温度，负温度系数热敏电阻NTC2的电阻值将慢慢下降，使得比较器Al的负输入端的电压慢慢变大。当比较器Al的负输入端的电压大于正输入端的参考电压Vrefl时，比较器Al的输出电压转为低电压而使得金氧半场效晶体管Ml关闭，进而关闭PNP双极性晶体管Q5，使其停止加热。
[0039]值得注意的是，在本实施例中，通过电阻R4将比较器Al的输出电压反馈给正输入端可延迟金氧半场效晶体管Ml被导通以及被关闭的时间。例如可使PCB板上温度下降至6°C时才开启金氧半场效晶体管M1，使PNP双极性晶体管Q5开始加热，而在温度上升至220C时才关闭金氧半场效晶体管Ml，使PNP双极性晶体管Q5停止加热。其中金氧半场效晶体管Ml被延迟导通以及被延迟关闭的时间并不以此为限，可依据实际需求通过改变电阻R4的电阻值来调整。
[0040]此外，由上述实施例可知，驱动单元106并非如微控制器或中央处理单元等复杂的电路来实施，对低温的耐受度较高，如此可确保在极低温的环境下仍可正常地进行精确的加热控制。
[0041]图4是依照本发明另一实施例的加热装置的示意图，请参照图4。如上所述，加热装置可应用在电子装置上，也即加热装置也可具有启动电子装置的功能，其可确保电子装置在低温环境下可正常地开机或运作。如在本实施例中，加热装置400可用以输出启动信号SI，以启动电子装置中的芯片、中央处理单元或微处理器等元件，电子装置可例如为电脑、显示器…等等。如图4所示，本实施例的加热装置400除了图1的加热装置100外，还包括启动单元402，其親接温度感测单元104，启动单元402可在PCB板上温度上升至预设温度时，依据温度感测电压输出启动信号SI。
[0042]进一步来说，为确保在PCB板内温度尚未上升至预设温度前，启动单元402不会输出启动信号SI启动电子装置，加热装置的实施方式可如图5所示。在图5中，加热装置500包括启动单元402以及如图3的加热装置300。启动单元402在本实施例可以或门502来实施，或门502的第一输入端耦接负温度系数热敏电阻NTC2与电阻R3的共同接点，或门502的第二输入端则耦接或门502的输出端并接收处于逻辑低电平的参考电压Vref2，参考电压Vref2可例如通过将或门502的第二输入端通过电阻R5耦接到接地来提供，然不以此为限。当环境温度太低而使得负温度系数热敏电阻NTC2与电阻R3的共同接点上的电压(也即温度感测电压)处于逻辑低电平时，或门502的输出也为逻辑低电平，也及此时启动单元402不输出启动信号SI。
[0043]另一方面，加热装置300则开始进行加热而使得温度开始上升，负温度系数热敏电阻NTC2与电阻R3的共同接点上的电压也因此随着上升。当负温度系数热敏电阻NTC2与电阻R3的共同接点上的电压上升至逻辑高电平时(此时PCB板温度才上升至预设温度)，或门502改为输出逻辑高电位的电压，也即此时启动单元402才输出启动信号SI，其中启动单元402输出启动信号SI时对所对应的温度可例如通过改变电阻R3的电阻值来设定。如此依据温度感测电压来决定是否启动，即可确保在温度尚未上升至预设温度前，启动单元402不会输出启动信号SI启动电子装置，进而避免电子装置在低温时被启动而导致电子装置开机或运作不正常。
[0044]值得注意的是，在本实施例中或门502的第二输入端与输出端相耦接，因此当或门502输出逻辑高电位的电压后(也即输出启动信号SI后)，或门502的第二输入端的电压也会转为逻辑高电位。如此一来，不论之后或门502第一输入端上的电压如何变化，也即不论环境温度如何变化，或门502输出的电压皆会保持在逻辑高电位。也就是说，在电子装置在被启动后，加热装置500不会因为后来环境温度下降而将电子装置关闭，而会持续地保持电子装置的启动状态。在其他实施例中，在电子装置在被启动后，若欲设定使加热装置500在环境温度下降到低于预设温度时停止输出启动信号SI，可移除或门502的第二输入端与输出端间的耦接关系。
[0045]综上所述，本发明的实施例通过驱动单元来依据温度感测电压驱动加热晶体管单元进行加热，以使启动单元在温度上升至预设温度时，依据温度感测电压输出启动信号。由于驱动单元对低温的耐受度高于微控制器或中央处理单元，因此可确保加热装置在极低温的环境下可正常地发出启动信号。此外，利用加热晶体管单元进行加热则可降低加热装置的生产成本，再者，由于做为加热元件的加热晶体管单元可通过PCB接地面将热能传导至其他元件，相较于常用的加热板仅能通过印刷电路板导热，可更有效地进行加热。
[0046]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种加热装置，其特征在于，包括: 一加热晶体管单元； 一温度感测单元，用以感测一环境温度，并据以输出一温度感测电压；以及一驱动单元，耦接所述加热晶体管单元与所述温度感测单元，用以依据所述温度感测电压驱动所述加热晶体管单元进行加热。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，还包括: 一启动单元，耦接所述温度感测单元，用以在印制电路板温度上升至一预设温度时，依据所述温度感测电压输出一启动信号。3.根据权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，还包括: 一迟滞单元，耦接于所述温度感测单元与所述驱动单元之间，用以延迟所述温度感测电压的电压电平切换时间，其中所述迟滞单元用以在印制电路板上温度上升至一第一温度时依据所述温度感测电压输出一第一电压而致能所述驱动单元，并在温度下降至一第二温度时依据所述温度感测电压输出一第二电压而禁能所述驱动单元，所述第一温度高于所述第二温度。4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述迟滞单元包括: 一比较器，其正输入端耦接一参考电压，所述比较器的负输入端耦接所述温度感测单元；以及 一反馈单元，耦接于所述比较器的输出端与正输入端之间，用以依据所述比较器的输出端上的电压产生一反馈电压至所述比较器的正输入端。5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述反馈单元包括: 一电阻，耦接于所述比较器的正输入端与输出端之间。6.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述加热晶体管单元包括: 一第一 PNP双极性晶体管，其射极耦接一操作电压，所述第一 PNP双极性晶体管的集极耦接一接地，所述第一 PNP双极性晶体管的基极耦接所述驱动单元。7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述加热晶体管单元还包括: 一第二 PNP双极性晶体管，其射极耦接所述第一 PNP双极性晶体管的集极，所述第二PNP双极性晶体管的基极与集极相互耦接，且所述第二 PNP双极性晶体管的集极耦接所述接地。8.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述驱动单元包括: 一金氧半场效晶体管，耦接于所述加热晶体管单元与所述接地之间，所述金氧半场效晶体管的栅极耦接所述迟滞单元。9.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述温度感测单元包括: 一负系数热敏电阻，其一端耦接所述操作电压；以及 一电阻，耦接于所述负系数热敏电阻的另一端与所述接地之间。10.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述温度感测单元为一负系数热敏电阻，所述驱动单元包括: 一 NPN双极性晶体管，所述NPN双极性晶体管的集极耦接所述第一 PNP双极性晶体管的基极，所述负系数热敏电阻耦接于所述NPN双极性晶体管的基极与所述接地之间；一第一电阻；以及 一第二电阻，与所述第一电阻串接于所述操作电压与所述NPN双极性晶体管的基极之间，所述第一电阻与所述第二电阻的共同接点耦接所述NPN双极性晶体管的基极。11.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述启动单元包括: 一或门，其第一输入端耦接所述温度感测单元，所述或门的第二输入端接收一参考电压，其中所述参考电压处于逻辑低电位。12.根据权利要求11所述的加热装置，其特征在于，所述或门的输出端耦接所述第二输入端。13.根据权利要求11所述的加热装置，其特征在于，包括: 一电阻，耦接于所述或门的第二输入端与接地之间。
【专利摘要】本发明提供一种加热装置。温度感测单元用以感测环境温度，并据以输出温度感测电压。驱动单元耦接加热晶体管单元与温度感测单元，用以依据温度感测电压驱动加热晶体管单元进行加热。启动单元耦接温度感测单元，用以在印制电路板(PCB板)上温度上升至预设温度时，依据温度感测电压输出启动信号。本发明提供的加热装置可确保加热装置在极低温的环境下正常地发出启动信号。
【IPC分类】H05K7/20, G05D23/24, G05D23/20
【公开号】CN105228412
【申请号】CN201510523698
【发明人】陈建铭, 江孟谦
【申请人】中磊电子（苏州）有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年8月24日