（质量比）=1:1) 代替甲醇(溶解度参数：14.5cal/cm3)，除此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻 璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示 于表1。
[0172] <实施例4>
[0173] 使用乙醇和1-丙醇的混合溶液(含量：乙醇90质量％、1-丙醇10质量％。溶解度参 数：乙醇12.7cal/cm3、l-丙醇12.0cal/cm3)代替甲醇（溶解度参数：14.5cal/cm3)，除此之 夕h按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而无破 损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0174] <实施例5>
[0175]使用1-丙醇(溶解度参数：12.OcaVcm3)代替甲醇（溶解度参数：14.ScaVcm3)，除 此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而 无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0176] <实施例6>
[0177]使用异丙醇(溶解度参数：11.ScaVcm3)代替甲醇(溶解度参数：14.ScaVcm3)，除 此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而 无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[017引 < 实施例7>
[01巧]使用1-下醇(溶解度参数：11.4cal/cm3)代替甲醇（溶解度参数：14.ScaVcm3)，除 此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而 无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0180] <实施例8>
[0181] 使用1-己醇(溶解度参数：10.7cal/cm3)代替甲醇(溶解度参数：14.ScaVcm3)，除 此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板分离而 无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0182] <实施例9>
[0183] 使用二甲基亚讽（溶解度参数：12.0cal/cm3)代替甲醇（溶解度参数：14.5cal/ cm3)，除此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板 分离而无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0184] < 实施例 10>
[01化]使用二甲基甲酯胺（溶解度参数：12.IcaVcm3)代替甲醇（溶解度参数：14.5cal/cm3)，除此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板 分离而无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[0186] < 实施例11>
[0187] 使用N-甲基化咯烧酬（溶解度参数：11.3cal/cm3)代替甲醇（溶解度参数： 14.ScaVcm3)，除此之外，按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板 玻璃基板分离而无破损。需要说明的是，将剥离强度的测定结果示于表1。
[018引 < 比较例1>
[0189] 不进行甲醇(溶解度参数：14.5cal/cm3)的供给，除此之外，按照与实施例1同样的 步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板难W剥离，观察到薄板玻璃基板的破 损。需要说明的是，将剥离强度的结果示于表1。
[0190] <比较例2>
[0191] 使用庚烧(溶解度参数:7.4cal/cm3)代替甲醇(溶解度参数：14.5cal/cm3)，除此之 夕h按照与实施例1同样的步骤，进行薄板玻璃基板的剥离，结果薄板玻璃基板难W分离，观 察到薄板玻璃基板的破损。需要说明的是，将剥离强度的结果示于表1。
[0192] 表1中，"玻璃剥离"栏中，将薄板玻璃的剥离没有问题地进行的情况评价为"〇"， 将薄板玻璃破损、剥离难W进行的情况评价为"X"。
[0193] 需要说明的是，表1中，实施例3的"SP值"栏示出乙醇的SP值，实施例4的"SP值"栏 示出乙醇和1 -丙醇的SP值。
[0194] [表 1]
[0195] 表1
[0196]
[0197]如表I所示那样，使用显示出规定的SP值的有机溶剂或该有机溶剂和水的混合溶 液时，剥离强度降低，剥离时未见薄板玻璃基板的破损。
[0198]另一方面，对于不使用上述有机溶剂或混合溶液的比较例1、和使用SP值为规定的 范围外的有机溶剂的比较例2,剥离强度大，剥离时可见薄板玻璃基板的破损。
[0199] < 实施例 12>
[0200] 本实施例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造0LED。
[0201] 更具体而言，在玻璃层叠体A的薄板玻璃基板上，通过瓣射法将钢成膜，通过利用 光刻法的蚀刻形成栅电极。接着，通过等离子体CVD法，在设有栅电极的剥离性玻璃基板的 第2主表面侧上进一步按照氮化娃、本征非晶娃、n型非晶娃的顺序进行成膜，接着通过瓣射 法将钢成膜，通过利用光刻法的蚀刻，形成栅极绝缘膜、半导体元件部和源电极/漏电极。接 着，通过等离子体CVD法，在剥离性玻璃基板的第2主表面侧上进一步将氮化娃成膜而形成 纯化层，然后通过瓣射法将氧化铜锡成膜，通过利用光刻法的蚀刻，形成像素电极。
[0202] 接着，在所得层叠体的薄板玻璃基板侧表面上进一步通过蒸锻法依次将如下物质 成膜:作为空穴注入层的4,4'，4"-S(3-甲基苯基苯基氨基)S苯基胺、作为空穴输送层的 双[(N-糞基)-N-苯基]联苯胺、作为发光层的在8-径基哇嘟侣络合物(Alqs)中混合有40体 积％的2，6-双[4-阳-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙締基]糞-1，5-二甲腊(BSN-BCN)而 成的物质、作为电子输送层的Alq3。接着，在所得层叠体的薄板玻璃基板侧表面上，通过瓣 射法将侣成膜，通过利用光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在形成有对电极的表面上借助紫 外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板并密封。通过上述步骤得到的、在薄板玻璃基板 上具有有机化结构体的玻璃层叠体A2相当于带电子设备用构件的层叠体。
[0203] 需要说明的是，上述制造工艺中，作为加热处理，W350°C、1小时的处理为最高溫 下的处理。
[0204] 使用上述玻璃层叠体A2代替玻璃层叠体Al,除此之外，按照与实施例1同样的步骤 进行有机娃树脂层和薄板玻璃基板的剥离，结果W与实施例1同等程度的剥离强度进行两 者的剥离，可W得到包含薄板玻璃基板和电子设备用构件的电子设备。
[0205] 另外，实施实施例2~11的各步骤代替上述实施例1的步骤时，也可W分别W与实 施例2~11同等程度的剥离强度进行有机娃树脂层和薄板玻璃基板的剥离，可W得到包含 薄板玻璃基板和电子设备用构件的电子设备。
[0206]另一方面，实施比较例1~2的各步骤代替上述实施例1的步骤的情况下，在有机娃 树脂层和薄板玻璃基板的剥离时，产生薄板玻璃基板的破损，无法得到期望的电子设备。
[0207]详细且参照特定的实施方式说明了本发明，但在不脱离本发明的范围和精神的情 况下可W加W各种修正、变更，运对于本领域技术人员来说是显而易见的。
[0208] 本申请基于2013年7月31日申请的日本专利申请2013-159724,将其内容作为参照 引入至此。
[0209] 附图标记说明
[0210] 10带电子设备用构件的层叠体 12支撑基材
[0212] 14、30有机娃树脂层
[0213] 14a有机娃树脂层的第1主表面
[0214] 16玻璃基板
[021日]16a玻璃基板的第1主表面
[0216] 1化玻璃基板的第2主表面
[0217] 18电子设备用构件
[0218] 20带有机娃树脂层的支撑基材
[0219] 22电子设备
[0220] 24 溶液
[0221] 26玻璃层叠体
[0222] 40支撑玻璃基板
[0223] 50薄板玻璃基板
[0224] 60、70聚碳酸醋
[0225] 80液晶面板
[0226] 82 TFT基板
[0227] 83 TFT元件
[022引 84 CF基板
[0229] 85滤色器元件
[0230] 90 电子纸
[0231] 91电子纸元件
[0232] 92 TFT层
[0233] 94电气工程学介质的层
[0234] 96透明电极
【主权项】
1. 一种电子设备的制造方法，其具有如下工序:从依次具有支撑基材、有机硅树脂层、 玻璃基板和电子设备用构件的带电子设备用构件的层叠体中，以所述有机硅树脂层和所述 玻璃基板的界面作为剥离面，将包含所述支撑基材和所述有机硅树脂层的带有机硅树脂层 的支撑基材与包含所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备分离，得到所述电子设 备， 其中，对所述有机硅树脂层和所述玻璃基板的剥离界面的边界线即剥离线供给溶解度 参数超过10的有机溶剂或所述有机溶剂和水的混合溶液，进行所述带有机硅树脂层的支撑 基材与所述电子设备的分尚。2. 根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其中，所述有机溶剂包含任选具有卤原 子的醇类溶剂或非质子性极性溶剂。3. 根据权利要求1或2所述的电子设备的制造方法，其中，所述有机溶剂包含选自由碳 数1~6的醇类溶剂、二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、环丁砜和乙腈组成的组中的至少1种。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的电子设备的制造方法，其中，所述有机硅树脂层 中的有机硅树脂为有机烯基聚硅氧烷和有机氢聚硅氧烷的反应固化物。5. 根据权利要求4所述的电子设备的制造方法，其中，所述有机硅树脂为加成反应型有 机硅的固化物， 所述加成反应型有机硅为包含下述(a)和(b)的固化性有机硅树脂组合物， 所述有机硅树脂层是通过使所述固化性有机硅树脂组合物在所述支撑基材的表面固 化而形成的： (a) 每1分子中具有至少2个烯基的线状有机聚硅氧烷、 (b) 每1分子中具有至少3个与硅原子键合的氢原子、且与硅原子键合的氢原子的至少1 个存在于分子末端的硅原子上的线状有机聚硅氧烷。
【专利摘要】本发明涉及一种电子设备的制造方法，其具备如下工序：从依次具有支撑基材、有机硅树脂层、玻璃基板和电子设备用构件的带电子设备用构件的层叠体中，以前述有机硅树脂层和前述玻璃基板的界面作为剥离面，将带有机硅树脂层的支撑基材和电子设备分离，得到前述电子设备，其中，对前述有机硅树脂层和前述玻璃基板的剥离界面的边界线即剥离线供给溶解度参数超过10的有机溶剂或前述有机溶剂和水的混合溶液，进行前述带有机硅树脂层的支撑基材与前述电子设备的分离。
【IPC分类】H01L21/02, H01L51/50, H05B33/02, H05B33/10
【公开号】CN105432147
【申请号】CN201480043262
【发明人】角田纯一, 江畑研一, 松山祥孝
【申请人】旭硝子株式会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年7月23日
【公告号】WO2015016113A1