片203、driver芯片204以及TIA芯片205在PCB板上的原始位置相对应，即光电VCSEL芯片202、PD芯片203、driver芯片204以及TIA芯片205与PCB板的相对位置不改变。
[0036]进一步的，热沉207为散热性能良好的材料制作而成，例如可以为钨铜块、氮化铝或三氧化二铝材料。
[0037]如果热沉207采用的是钨铜材料的话，处于对电隔离的考虑，可以在光电芯片VCSEL芯片202、PD芯片203、driver芯片204以及TIA芯片205与热沉207之间增加电隔离的过渡块208，过渡块208材料通常为氮化铝或三氧化二铝；如果热沉207直接采用的是氮化铝或三氧化二铝材料的话，则无需再加过渡块208 了。
[0038]热沉207采用散热良好的胶粘剂粘贴于凹陷区域206。
[0039]光电芯片VCSEL芯片202、Η)芯片203、driver芯片204以及TIA芯片205通过散热性能良好的胶粘剂贴装在热沉207上。
[0040]光电芯片driver芯片204以及TIA芯片205与PCB板201的电气连接，依然可以采用金丝键合的方式连接。
[0041 ] 实施例二
[0042]如图3所示为本实用新型提供的一种COB的散热结构的实施例二的结构示意图，
[0043]如图3所示为本实用新型实施例提供的COB的散热结构的流程图，由图3可知，本实用新型提供的COB的散热结构的实施例中:PCB板301上设置有凹陷区域306，该凹陷区域306为带有通孔的镂空结构，该凹陷区域306内设置有热沉307。
[0044]光电芯片VCSEL芯片302、Η)芯片303、driver芯片304以及TIA芯片305贴装在该热沉307上。
[0045]凹陷区域306的形状可以根据需要自由设置，图3给出的实施例中，凹陷区域306为长方体形。凹陷区域306的位置与光电芯片VCSEL芯片302、Η)芯片303、driver芯片304以及TIA芯片305在PCB板上的原始位置相对应，即光电芯片VCSEL芯片302、PD芯片303、driver芯片304以及TIA芯片305与PCB板的相对位置不改变。
[0046]进一步的，热沉307为散热性能良好并具有一定机械强度的材料制作而成，例如可以为钨铜块、氮化铝或三氧化二铝材料。
[0047]如果热沉307采用的是钨铜材料的话，处于对电隔离的考虑，可以在光电芯片VCSEL芯片302、PD芯片303、driver芯片304以及TIA芯片305与热沉307之间设置增加电隔离的过渡块308，过渡块308材料通常为氮化铝或三氧化二铝;如果热沉307直接采用的是氮化铝或三氧化二铝材料的话，则无需再加过渡块308 了。
[0048]热沉307采用散热良好强度较好的胶粘剂粘贴于凹陷区域306。
[0049]光电芯片VCSEL芯片302、Η)芯片303、driver芯片304以及TIA芯片305通过散热性能良好的胶粘剂贴装在热沉307上。
[0050]光电芯片driver芯片304、TIA芯片305与PCB板301的电气连接，依然可以采用金丝键合的方式连接。
[0051 ]本实用新型实施例二提供的一种COB散热结构，可将芯片工作时的发热直接通过过渡块传导到热沉，无需通过PCB板传递出去，能从根本上解决光电芯片在PCB板上的散热问题。
[0052]实施例三
[0053]如图4所示为本实用新型提供的一种COB的散热结构的实施例三的结构示意图，本实用新型提供的一种COB的散热结构的实施例三，在本实用新型提供的一种COB的散热结构的实施例二的基础上，PCB板401上设置有凹陷区域406，该凹陷区域406内设置有热沉407，光电芯片VCSEL芯片402、PD芯片403、driver芯片404以及TIA芯片405贴装在该热沉407上。
[0054]热沉407的下方安装制冷器410，通常选用小体积的半导体制冷器，也可采用其他类型的制冷器。制冷器410同样采用散热良好的胶粘剂粘接在凹陷区域406内。
[0055]本发明的散热途径可将芯片工作时的发热直接通过过渡块408传导到热沉407，直至制冷器410，无需通过PCB板401传递出去，能从根本上解决光电芯片在PCB板上的散热问题。
[0056]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种COB的散热结构，其特征在于，PCB板上设置有凹陷区域，所述凹陷区域内设置有热沉； 光电芯片VCSEL芯片、PD芯片、driver芯片以及TIA芯片贴装在所述热沉上。2.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述凹陷区域的位置与所述光电芯片VCSEL芯片、H)芯片、driver芯片以及TIA芯片在PCB板上的原始位置相对应。3.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述热沉为钨铜材料， 所述光电芯片VCSEL芯片、PD芯片、driver芯片以及TIA芯片与所述热沉之间设置增加有用于电隔离的过渡块，所述过渡块材料为氮化铝或三氧化二铝。4.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述热沉为氮化铝或三氧化二铝材料。5.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述热沉采用胶粘剂粘贴于所述凹陷区域内； 所述光电芯片VCSEL芯片、PD芯片、driver芯片以及TIA芯片通过胶粘剂贴装在所述热沉上。6.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述光电芯片driver芯片以及TIA芯片与所述PCB板采用金丝键合的方式进行电气连接。7.如权利要求1所述的COB的散热结构，其特征在于，所述凹陷区域为带有通孔的镂空结构。8.如权利要求7所述的COB的散热结构，其特征在于，所述热沉与所述凹陷区域之间安装有制冷器。9.如权利要求8所述的COB的散热结构，其特征在于，所述制冷器为半导体制冷器。
【专利摘要】本实用新型适用于光通信领域中光模块的应用领域，提供了一种COB的散热结构，PCB板上设置有凹陷区域，所述凹陷区域内设置有热沉；光电芯片VCSEL芯片、PD芯片、driver芯片以及TIA芯片贴装在所述热沉上。通过将光电芯片直接贴装于热沉上，能有效避免PCB板在温度变化时产生的应力，保证光电芯片的稳定性，能有效解决光电芯片在PCB板上散热不良的问题，具有良好的散热性，可用范围广。
【IPC分类】H01L23/367, H05K7/20
【公开号】CN205213227
【申请号】CN201520859032
【发明人】曹芳, 杨昌霖, 林楠
【申请人】武汉电信器件有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月30日