专利名称：检测半导体器件的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种检测半导体器件的方法及装置，尤其涉及一种检测CMOS 图像传感器的方法及装置。
背景技术：
目前电荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的实用化固态图 像传感器件，具有读取噪声低、动态范围大、响应灵敏度高等优点，但是CCD 同时具有难以与主流的互补金属氧化物半导体(Complementary - Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技术相兼容的缺点，即以CCD为基础的图像 传感器难以实现单芯片一体化。而CMOS图^^传感器(CMOS Image sensor, CIS)由于采用了相同的CMOS技术，可以将像素阵列与外围电路集成在同一 芯片上，与CCD相比，CIS具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易于控 制以及平均成本低的优点。
通常，CMOS图像传感器包括像素单元电路阵列，其中像素单元电路通常 包括三个晶体管和一个用于吸收入射光并转换为光电流的光电二极管。如图l 所示，包括光电二极管PD、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3， 光电二极管正极接地，负极与第一晶体管T1的源极相连；第一晶体管Tl的栅 极与复位控制电路相连(Reset)、漏极与第二晶体管T2的漏相连且与外围电 源电路相连以提供Vdd电压；第二晶体管T2的栅极与光电二极管的负极相连、 源极与第三晶体管T3的源极相连；第三晶体管T3的栅极与行选电路(Row select)相连、漏极与输出电路(Output)相连。第一晶体管T1 (复位晶体管) 用于将光电二极管结点电压重置；第二晶体管T2 (源跟随晶体管)用于接收
和放大光电二极管结点的电势变化；第三晶体管T3 (输出晶体管)用于选择 读出4亍。
在例如申请号为200510132948.3的中国专利申请中还能发现更多关于 CMOS图像传感器的信息，所述CMOS图像传感器包括能够执行光感测和有源 放大的光电晶体管。所述光电晶体管被安装以在维持现有像素操作的同时改 进低照明特性。所述CMOS图像传感器还包括重置晶体管，其连接到所述光 电晶体管并且适于执行重置功能；驱动晶体管，用于响应于来自光电晶体管 的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；以及开关晶体管，其连接到所述驱 动晶体管并且适于执行寻址功能。
现今，对于CMOS图像传感器的检测多是工程师手工检测。为了进行检测， 工程师需要手动连接各测试设备，例如半导体参数分析仪(Semiconductor Parameter Analyzer)、脉冲发生器(Pulse Generator)和示波器(Oscilloscope), 并 且在各测试设备的界面上预先设置测试参数。在进行检测时，工程师每次只 能检测一片晶圓，手动操纵各个探针接触到晶圆上的测试引脚，然后分别操 纵脉冲发生器和示波器给出测试信号，通过手动调试示波器界面，使输出信 号波形在屏幕中显示出来，再逐个察看各关键时间点的数值，并记录下来。 而一旦测试条件改变了 ，工程师就需要重新进行各测试设备的参数预设置。 并且由于探针的数量限制，工程师每次最多操纵六个探针接触到晶圓上的测 试引脚。另外，手动测试时，工程师手动调试示波器面板来抓取测试数据时， 往往会因为需要同时调试多个面板上的控制键来获得测试数据的完整波形而
需要连续多个输入脉冲，并且正因为需要同时调试多个控制键的原因而导致 抓取测试数据波形的精度不高， 一般各关键时间点的精度在l毫秒，数值的精 度在1毫伏。因此，手动检测存在着检测数量少、检测过程不方便并且精度不 高的缺点。
发明内容
本发明要解决的问题是现今手动检测CMOS图像传感器检测数量少、检测过程不方便以及精度不高的缺点。
为解决上述问题，本发明提供一种检测半导体器件的方法，包括，
预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤；
根据预设的待测半导体器件所在晶圓信息参数确定待测半导体器件，并 根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圓上与待测半导体器件的端口
对应的测试引脚；
执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试； 输出待测半导体器件的测试结果。
相应地，本发明还提供了一种检测半导体器件的装置，包括检测配置模 块和检测执行模块，其中检测配置模块用以预设待测半导体器件所在晶圆信 息参数、测试信息参数以及测试步骤并将预设待测半导体器件所在晶圓信息 参数、测试信息参数以及测试步骤传输给检测执行模块，而检测执行模块用 以根据预设的待测半导体器件所在晶圓信息参数确定待测半导体器件，并根 据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圓上与待测半导体器件的端口对 应的测试引脚，并根据测试步骤对于待测半导体器件进行测试，并输出测试 结果。
所述待测半导体器件所在晶圆信息参数包括测试单元面积、测试单元中 测试组的名称及测试组位于测试单元的位置。
所述测试信息参数包括待测测试组的名称、测试引脚与半导体器件端口 的对应关系以及各个测试组中的半导体器件进行测试所需的测试信号。
所述测试步骤依次包括调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测 试初始化以及调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试。
与现有技术相比，上述方案检测半导体器件的方法具有以下优点
1. 上述方案通过预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、预设测试信息 参数以及预设测试步骤，再自动执行预设测试步骤，并调用预设待测 半导体器件所在晶圆信息参数以及测试信息参数对于半导体器件进 行检测，因此很适合在大批量的测试中随时更改所设置的参数已获得 不同测试条件下的测试结果，因此检测数量多，检测过程方便。
2. 上述方案通过预设测试步骤能够自动输出对于半导体器件的测试结
果，而无需如手动检测时通过示波器的控制面板抓取测试数据，因此 精确度提高。
图1是现有3管CMOS图像传感器像素单元电路结构示意图； 图2是本发明实施例4管CMOS图像传感器像素单元电路结构示意图； 图3是本发明实施例检测半导体器件的方法流程图； 图4是本发明实施例示波器本身的初始化设定对应程序； 图5是本发明实施例示波器的显示设置的设定对应程序； 图6是本发明实施例通过脉冲发生器产生TX端口的输入脉冲对应程序； 图7是本发明实施例检测半导体器件的装置图。
具体实施例方式
数、测试信息参数以及测试步骤，再自动预设执行测试步骤对于半导体器件 进行4企测。
参照图3所示，本发明实施例检测半导体器件的方法包括下列步骤， 步骤Sl,预设待测半导体器件所在晶圓信息参数、测试信息参数以及测 试步骤；
步骤s2,根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数挑选待测半导体
器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器
件的端口对应的测试引脚；
步骤s3,执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试； 步骤s4,输出待测半导体器件的测试结果。
所述待测半导体器件所在晶圆信息参数包括测试单元面积、测试单元中 测试组的名称及测试组位于测试单元的位置。
所述测试信息参数包括待测测试组的名称、测试引脚与待测半导体器件 端口的对应关系以及各个测试组中的半导体器件进行测试所需的测试信号。
所述测试步骤依次包括调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测 试初始化以及调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试。
相应地，参照图7所示，本发明实施例检测半导体器件的装置包括，检 测配置模块11和检测执行模块12,其中检测配置模块11用以预设待测半导 体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤并将预设待测半导体 器件所在晶圓信息参数、测试信息参数以及测试步骤传输给检测执行模块， 而检测执行模块12用以根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待 测半导体器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测 半导体器件的端口对应的测试引脚，并根据测试步骤对于待测半导体器件进 行测试，并输出测试结果。
下面以检测4管CMOS图像传感器的方法为例对本发明检测半导体器件 的方法加以详细阐述。
参照图2所示，4管CMOS图像传感器包括像素单元阵列，因此对于4 管CMOS图像传感器的测试就是对于4管CMOS图像传感器的像素单元电路 的测试，其中像素单元电路包括光电二极管PD、第一晶体管Tl、第二晶体管 T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4。光电二极管PD正极接地、负极与第四 晶体管T4的源极相连；第一晶体管Tl的源极与第四晶体管的漏极相连、第 一晶体管Tl的栅极与复位控制电路相连(Reset)、漏极与第二晶体管T2的 漏极相连且与外围电源电路相连以提供Vdd电压；笫二晶体管T2的栅极与第 一晶体管Tl的源极相连、源极与第三晶体管T3的源极相连；光电二极管的 负极相连、第三晶体管T3的栅极与行选电路(Row select)相连、漏极作为 测试结果的输出端(BL);第四晶体管T4的栅极与传输门(Transfer Gate)相 连。其中，第一晶体管T1的作用是提供复位功能，主要使T1源极电压复位。 第二晶体管T2的作用是作为电压传输端，使VDD电压传输到T3的漏端。第 三晶体管T3的作用是提供行选择(Row Select)以输出信号。第四晶体管T4 的作用是在复位时开启以清除光电二极管PD中的残余电荷，在复位完成后开 启以传输光电二极管PD中的感光电荷。光电二极管PD的作用是感光产生电 荷。
结合图2和图3所示，预设待测4管CMOS图像传感器所在晶圆信息参 数、预设测试信息参数以及预设测试步骤。本发明实施例中对于4管CMOS 图像传感器的测试是通过自动机台进行的，因此所述的预设待测4管CMOS 图像传感器所在晶圆信息参数、预设测试信息参数以及预设测试步骤都是以 自动机台可识别的程序进行描述的。
如前所述，待测4管CMOS图像传感器所在晶圓信息参数进一步包括测 试单元大小、测试单元中测试组的名称及测试组位于测试单元的位置。
本发明实施中所指的测试单元的大小是指4管CMOS图4象传感器所在晶 圓的晶粒的大小。通常一片晶圓上有超过20多个晶粒(die),它们大小相同。
当然，本发明实施例中的测试单元也可以是CMOS图4象传感器所在晶圆的晶 粒内的芯片(chip)大小，因为通常在每个晶粒内还有很多个不同或相同功能 的芯片(chip),例如包含4管CMOS图像传感器的芯片，而每个芯片由于包 含的功能器件的数量不同，大小也不一定相同，因此对于晶圆上不同的4管 CMOS图像传感器，就能够根据这些4管CMOS图像传感器所在芯片的大小 对于待测的4管CMOS图像传感器进行较快地定位。
而对于本发明实施例中的测试单元中测试组(TestKey)的名称及测试组 位于测试单元中的位置来说，如上所述，晶圆中有多个晶粒，每个晶粒中还 有多个芯片。而在每个芯片中有很多个测试组(TestKey )，而每个测试组设置 了 22个规则排列的测试引脚，测试引脚的作用是在对于4管CMOS图像传感 器进行测试时，向测试装置，例如探针卡，传输待测4管CMOS图像传感器 的测试结果或是通过测试装置向待测4管CMOS图像传感器传输测试信号。 而每个测试组中又可以包含多个待测的4管CMOS图像传感器，因为4管 CMOS图像传感器的像素单元电路有6个端口 ，因此需要6个测试引脚，但 是4管CMOS图像传感器像素单元电路的端口 VDD， GND, Reset, Row Select 可以与其他的4管CMOS图^f象传感器^f象素单元电路的相应端口共用一个测试 引脚，则一个测试组可以包含大约9个4管CMOS图像传感器。由于自动机 台在对于晶圆进行测试时会先扫描晶圆，从而获得包含模拟实际晶圓晶粒的 分布图，因此只要对于测试组的名称及测试组位于测试单元中的位置进行定 义，测试时只要在自动机台的晶粒分布图上选取待测的测试单元，并给出该 测试单元中测试组的名称及位置，自动机台就能够将测试装置，例如探针卡， 移动到待测的4管CMOS图像传感器所在的测试组了 。
一般来说，对于同一个产品编号的所有晶圆的测试都可调用相同的待测4 管CMOS图像传感器所在晶圆信息参数，例如具有同一个产品编号的所有的 4管CMOS图像传感器的晶圆都可调用对于4管CMOS图像传感器的晶圆信
息的设置。
如前所述，测试信息参数进一步包括待测测试组的名称、测试引脚与待
测4管CMOS图^f象传感器端口的对应关系以及各个测试组中的4管CMOS图 像传感器进行测试所需的测试信号。
对于待测测试组的名称，如之前所述的，当自动机台获得待测测试组的 名称之后，自动机台就能根据该测试组对应的位置选定待测测试组进行;险测 了 ，例如，选定名称为CS01的测试组，自动机台就对于其中的4管CMOS 图像传感器进行检测。
对于测试引脚与待测4管CMOS图像传感器端口的对应关系，本实施例 中所指的测试引脚与待测4管CMOS图像传感器端口的对应关系限定为一个 测试组，如前所述，本实施例中一个测试组有22个测试引脚，测试引脚与待 测4管CMOS图像传感器端口的对应关系，举例如下，例如，设定测试引脚 的编号从l-22,设定端口 VDD对应测试引脚2、设定端口 Row select对应 测试引脚1 、设定端口 TX对应测试引脚5 、设定端口 RESET对应测试引脚3 、 设定端口 GND对应测试引脚22以及设定端口 BL对应测试引脚4。并且，如 前所述，4管CMOS图像传感器端口 VDD, GND, Reset, Row Select可以与 其他的4管CMOS图像传感器的相应引脚共用，因此对于同一个测试组上的 另 一个4管CMOS图像传感器还有端口 VDD对应测试引脚2、设定端口 Row select对应测试引脚1、设定端口 TX对应测试引脚7、设定端口 RESET对应 测试引脚3 、设定端口 GND对应测试引脚22以及设定端口 BL对应测试引脚 6。当然对于端口与测试引脚的对应关系并没有固定的规定，所以端口与测试 引脚的对应关系也可以是设定端口 VDD对应测试引脚12、设定端口 Row select对应测试引脚11、设定端口 TX对应测试引脚15、设定端口 RESET对 应测试引脚13 、设定端口 GND对应测试引脚22以及设定端口 BL对应测试 引脚14。
各个测试组中的4管CMOS图像传感器进行测试所需的测试信号，包括
测试所需的测试电压、测试电流等参数，例如，端口的电压值VDD=2.0V, Rowselect=3.3V, GND=0V,端口的脉冲振幅TX=Reset=2.8V,端口的脉冲宽 度Reset^.009秒，TX^.0002秒，端口的等待时间TX=0.0095秒，脉冲周期 Period=0.012秒。这些参数可以在EXCEL中编辑然后输入自动机台，当测试 条件改变需要修改测试参数设置时直接对于相应的参数进行修改后再输入自 动机台就可以了 ，因此很适合大批量的测试。
如前所述，测试步骤依次包括调用预设的测试信息参数对于CMOS图像 传感器进行测试初始化以及调用预设的测试信息参数对于CMOS图像传感器 进行测试。对于这部分内容更详细的描述会在后面提及。
当完成了预设待测4管CMOS图像传感器所在晶圆信息参数、预设测试 信息参数以及预设测试步骤后，就能够开始对于4管CMOS图像传感器进行 测试了。
在对于4管CMOS图像传感器进行测试之前，要将自动机台的测试装置 与待测的4管CMOS图像传感器的像素单元电路的各个端口相连接，以向待 测4管CMOS图像传感器的像素单元电路输入测试信号，并且从4管CMOS 图像传感器的像素单元电路获得测试结果。
本发明实施例中，根据预设的待测4管CMOS图像传感器所在晶圆信息 参数挑选待测4管CMOS图像传感器，并根据预设的测试信息参数将测试装 置接触到晶圓上与待测4管CMOS图像传感器的端口对应的测试引脚。具体 操作过程如下如前所述，自动机台在进行测试之前，会先对于4管CMOS 图像传感器所在晶圆进行扫描，更进一步，对于大批量的测试来说，通常都 是以一个晶圓盒为基本单位，而晶圆盒的高度一般都是固定的，因此，自动 机台经过扫描晶圓盒中晶圓的高度就能够得到晶圆盒中晶圓的数量以及各个
晶圆在晶圓盒中的位置，并得到模拟实际晶圆晶粒的分布图。
在扫描完晶圆之后，根据需要进行测试的4管CMOS图像传感器所在的 测试组和4管CMOS图像传感器的测试端口后，自动机台就能够对照预设的 测试单元大小、测试组的名称、测试组位于测试单元中的位置以及待测4管 CMOS图像传感器像素单元电路的端口与测试引脚的对应关系将测试装置与 测试引脚相连接，从而使得测试装置，例如探针卡，能够向待测4管CMOS 图像传感器的像素单元电路输入测试信号，并且从4管CMOS图像传感器的 像素单元电路获得测试结果。
在自动机台的测试装置与待测的4管CMOS图像传感器的像素单元电路 的各个端口相连接后，自动机台就会调用预设的测试步骤并开始执行。
本实施中，待测4管CMOS图像传感器的测试结果最终是通过自动机台 传输到示波器上显示出来的，因此示波器就作为了本实施例中的测试结果的 显示设备。如前所述，预设待测4管CMOS图像传感器所在晶圓信息参数、 预设测试信息参数以及预设测试步骤都是以自动机台可识别的程序进行描述 的，如下所示为使用自动机台可识别的程序描述的预设的测试步骤的一部分， 给出了关键的测试步骤。当自动机台调用所述的描述测试步骤的程序时，就 会根据设定好的测试步骤逐步自动进行测试操作。
在所述的描述测试步骤的程序中，最前面是测试初期的待测4管CMOS 图像传感器端口连接定义和电压输出定义，中间是示波器的初始化和PGU的 脉冲设置，最后是脉冲输出和数据捕捉
SUB Vbl—4t()
Co加ect(FNPort(0,9)，Dd，Rowsel,Tx,Reset,Gnd，Bl)----将测试引脚分配给端口 vdd, Row
Select,Tx,Reset,GND和BL
Connect(FNPort(3,l),Tx)----按对应关系将测试引脚与端口 Tx相连
Connect(FNPort(l，4)，Bl)----按对应关系将测试引脚与端口 BL相连
Connect(FNPort(O， 1 )，Dd)----按对应关系将测试引脚与端口 Vdd相连
Connect(FNPort(0,2)，Rowsel)----按对应关系将测试引脚与端口 Row Select相连
Connect(FNPort(3,3),Reset)----按对应关系将测试引脚与端口 Reset相连
Force_v(Dd，Vdd,Vdd,Compliance)---设定输出信号顺序
Force—v(Rowsel，Vrowsel,Vrowsel,Compliance)---i殳定输出4言号顺序
ASSIGN @Scope TO 707----指定示波器
OUTPUT @Scx>pe;":CHANNELl:DISPLAY ON "----开启示波器信号通道
Setjevel—pg(Tx,Pulse_amp,Pulse_amp,Base,Load)---设定脉冲发生器的TX脉冲幅度、基准值和
负载
Set—level—pg(Reset,Pulse_amp,Amplitude2，Base，Load)——设定脉冲发生器的Reset脉冲幅度、基准值 和负栽
Force—pg(Num_of_pulse,Pulse—period)---设定脉冲发生器的脉沖个数和脉沖周期
OUTPUT @Scope;":WAVEFORM:DATA "---将示波器上显示的波形按时间顺序读取入示波器内存
ENTER @Scope USING "#,W";Data(*)----将示波器内存的数据读取入WAT机台
Disable—port---自动断开各个端口连接
SUBEND
根据上述的程序所示，自动机台首先会调用预设的测试引脚与待测4管
CMOS图像传感器像素单元电路的各端口的对应关系来将待测的4管CMOS 图像传感器像素单元电路的各个端口与测试引脚相连。例如测试引脚与4管 CMOS图^^传感器端口的对应关系如下所示端口 VDD对应测试引脚2、端 口 Row select对应测试引脚1 、端口 TX对应测试引脚5 、端口 RESET对应测 试引脚3、端口 GND对应测试引脚22以及端口 BL对应测试引脚4，那么自 动机台就根据该对应关系将各测试引脚与对应的4管CMOS图像传感器像素 单元电路的端口相连，例如，将测试引脚2与端口 VDD相连，将测试引脚l 与端口 Row select相连。
而在完成了测试引脚与待测4管CMOS图像传感器像素单元电路各端口 的连接之后，自动机台还会如前所述的将测试装置与测试引脚相连，本实施
例中所用的测试装置为探针卡，并且是22针的探针卡，与测试引脚的数目一
致，所以测试装置只要与测试引脚——对应连接就行了。并且，自动机台的 测试装置与自动机台内的各个信号发生器，例如电压产生器以及脉冲发生器
等，已经处于连接状态，因而此时，待测4管CMOS图像传感器像素单元电 路的各端口已经与自动机台的各个信号发生器完成了连接。因此，在对于4 管CMOS图像传感器进行测试时，自动机台内的各个信号发生器就能通过测 试装置与测试引脚向4管CMOS图像传感器的像素单元电路的各个端口发送 测试信号了。
而在完成了上述的端口连接步骤后，自动机台就根据程序开始分别对于 示波器进行初始化以及对于自动机台内各个信号发生器进行设置。
所述的初始化设定就是清除上一次的操作参数，并将所有参数设置成出 厂的默认设定。
其中，对于示波器的初始化设定包括两个步骤，首先是对于示波器界面 的初始化设定，如图4所示为对应的程序，步骤010指定示波器地址；步骤 020清除示波器中的上一次:操作参数；步骤030将示波器的参数恢复到出厂时 的默认设定；步骤040开启信号通道；步骤050设定示波器屏幕显示的时间 范围；步骤060调整波形横向位置至居中；步骤070设定示波器屏幕显示的 电压范围；步骤080调整波形纵向位置至居中。
接下来是对于示波器的显示设置的设定，如图5所示为对应的程序，步 骤110设定示波器的显示模式为触发模式(TRIGGER);步骤120指定示波器 接收触发信号测试结果的信号通道；步骤130指定触发信号的基准电压值； 步骤140指定触发^t式为正触发；步骤150扫描接收的测试结果。
在示波器初始化完成后，首先对于自动机台内的各个信号发生器的信号 输出顺序进行设置，例如上述所列的程序段中的两个Force—v语句的先后顺序就 设定了输出信号的顺序。
而各输出信号的具体设置由预设的4管CMOS图像传感器进行测试所需 的测试信号确定，例如，当需要通过脉冲发生器产生TX端口的输入脉沖时，
就调用预设的对于TX的脉冲振幅以及脉冲宽度的设置参数，如图6所示为对 应的程序，步骤310设定TX端脉冲类型(Type=l表示一个周期内仅有一次 峰值；Type二2表示一个周期内有两次峰值)；步骤320设定TX端脉冲幅度、 脉冲基准值以及TX端脉冲的负载，其中，脉冲基准值表示峰值发生前后的值； 步骤330设定TX端第一个脉冲的脉冲宽度、第一个脉冲的脉冲延迟、第一个 脉冲的上升时间、第一个脉冲的下降时间、第二个脉冲的脉冲宽度、第二个 脉冲的脉冲延迟、第二个脉冲的上升时间、第二个脉冲的下降时间，其中脉 冲延迟表示脉冲信号从开始至到达峰值发生的时间；步骤340设定Reset端脉 冲类型；步骤350设定Reset端脉冲幅度、脉冲基准值以及Reset端脉冲的负 载，其中程序语句中的Amplitude2指第二个脉冲的幅度，对于Reset,因仅有 一次脉冲〈Type^〉，所以Amplitude2在测试中不起作用；步骤360设定Reset 端第一个脉冲的脉沖宽度、第一个脉冲的延迟时间、第一个脉冲的上升时间、 第 一个脉冲的下降时间，第二个脉冲的脉沖宽度、第二个脉冲的脉冲延迟时 间、第二个脉冲的上升时间、第二个脉沖的下降时间，因仅有一次脉冲 <Type=l>，所以关于第二个脉冲的设定在这一段测试中不起作用；步骤370 设定所有端口脉冲个数和脉冲周期，其中端口TX与端口 Reset同步输出，共 用与脉冲个数和脉冲周期相关的参数。
如前所述，当自动机台调用描述预设测试步骤的程序向待测4管CMOS 图像传感器的各个端口输入信号之后，就根据预设的测试组的名称和待测4 管CMOS图像传感器的端口与测试引脚的关系，从待测4管CMOS图像传感
器相应的端口量取电压数据并传输给示波器。示波器根据先前所述的设定用
TRIGGER模式接收测试结果数据并以波形的形式显示出来，工程师就能够根 据所显示的波形对于测试结果进行分析了。因为无需通过调试示波器的控制 面板上的控制键来抓取测试数据波形，因此通常只需一个输入脉冲就能够在 示波器上显示出完整的波形。而测试精度也因此得到提高，自动检测的测试 精度可以精确到lOus,数据值也可以精确到50uV。
综上所述，本发明实施例检测CMOS图像传感器的方法通过预设待测 CMOS图像传感器所在晶圓信息参数、测试信息参数以及测试步骤，再自动 执行测试步骤对于CMOS图像传感器进行检测，因此很适合在大批量的测试 中随时更改所设置的参数已获得不同测试条件下的测试结果，因此检测数量 多，检测过程方便。并且，本发明实施例检测CMOS图像传感器的方法通过 预设的测试步骤能够自动输出对于CMOS图像传感器的测试结果，而无需如 手动检测时通过示波器的控制面板抓取测试数据，因此精确度提高。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本 领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改， 因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种检测半导体器件的方法，其特征在于，包括，预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤；根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器件的端口对应的测试引脚；执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试；输出待测半导体器件的测试结果。
2. 如权利要求1所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述待测半导 体器件所在晶圓信息参数包括测试单元面积、测试单元中测试组的名称及测 试组位于测试单元的位置。
3. 如权利要求2所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试单元 面积为半导体器件所在晶圓的晶粒的大小或半导体器件所在晶圆的芯片的大
4. 如权利要求2所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试组包 括待测半导体器件测试所需测试引脚。
5. 如权利要求1所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试信息 参数包括待测测试组的名称、测试引脚与待测半导体器件端口的对应关系以 及各个测试组中的半导体器件进行测试所需的测试信号。
6. 如权利要求5所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试信号 包括待测半导体器件各端口的测试电压以及测试电流。
7. 如权利要求1所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试装置 为探针卡。
8. 如权利要求5所述的检测半导体器件的方法，其特征在于，所述测试步骤 依次包括调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试初始化以及调用 预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试。
9. 一种检测半导体器件的装置，其特征在于，包括检测配置模块和检测执行 模块，其中检测配置模块用以预设待测半导体器件所在晶圓信息参数、测试 信息参数以及测试步骤并将预设待测半导体器件所在晶圓信息参数、测试信 息参数以及测试步骤传输给检测执行模块，而检测执行模块用以根据预设的 待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件，并根据预设的测试 信息参数将测试装置接触到晶圓上与待测半导体器件的端口对应的测试引 脚，并根据测试步骤对于待测半导体器件进行测试，并输出测试结果。
10. 如权利要求9所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述待测半导 体器件所在晶圆信息参数包括测试单元面积、测试单元中测试组的名称及测 试组位于测试单元的位置。
11. 如权利要求IO所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试单元 面积为半导体器件所在晶圓的晶粒的大小或半导体器件所在晶圓的芯片的大
12. 如权利要求IO所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试组包括待测半导体器件测试所需测试引脚。
13. 如权利要求9所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试信息 参数包括待测测试组的名称、测试引脚与待测半导体器件端口的对应关系以 及各个测试组中的半导体器件进行测试所需的测试信号。
14. 如权利要求13所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试信号 包括待测半导体器件各端口的测试电压以及测试电流。
15. 如权利要求9所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试装置 为探针卡。
16.如权利要求13所述的检测半导体器件的装置，其特征在于，所述测试步骤 依次包括调用预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试初始化以及调用 预设的测试信息参数对于半导体器件进行测试。
全文摘要
本发明公开了一种检测半导体器件的方法包括，预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤；根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器件的端口对应的测试引脚；执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试；输出待测半导体器件的测试结果。相应地，本发明公开了一种检测半导体器件的装置。本发明检测半导体器件的方法及装置由于解决了现有技术手动检测检测数量少、检测过程不方便并且精度不高的问题，因而检测数量多，检测过程方便，并且检测精度高。
文档编号H04N5/335GK101359015SQ20071004438
公开日2009年2月4日 申请日期2007年7月30日 优先权日2007年7月30日
发明者张峻豪, 璇 杜 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司