致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置的制作方法

专利名称：致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置的制作方法
技术领域：
与本发明一致的装置和方法涉及一种致动装置及其制造方法以及使用该 致动装置的模块位移调节装置，更具体地讲，涉及一种利用可变形的膜和杆 来使功能模块的致动改变的致动装置，和该致动装置的制造方法以及利用该 致动装置的模块位移调节装置。
背景技术：
先进的电子技术已经使具有各种功能的便携式电子装置^f皮广泛使用。照 相和摄像功能已经非常普遍，使得各种便携式装置(例如，数字相机、数字 摄像机、移动电话或者PDA)都采用这些功能。
静止或者视频图像的质量取决于很多因素，手的颤抖是这些因素中的一 个重要示例。进行照相的用户需要格外注意不要使手产生颤抖，这是因为如 果产生这样的颤抖，则会使图像变得不清楚。因此，已经研发了用于补偿手 的颤抖的功能，并且使其变得可行。
用于补偿手的颤抖的方法通常可以分成两类补偿通过CCD捕获的数据 的软件补偿以及包括根据手的颤抖的移位透镜或CCD的硬件补偿。
因为使移位透镜或者CCD移位会使系统尺寸增加，所以难以将该系统应 用到除照相机或者摄像机之外的便携式装置。这样，在小型化的装置(例如， 移动电话或者PDA )中需要对手的颤抖做出更好的补偿。

发明内容
已经提供了本发明的示例性实施例，以解决至少上述问题和/或缺点，并 且提供至少以下描述的优点。因此，本发明的示例性实施例的一方面在于提
供一种致动装置、 一种利用该致动装置的模块位移调节装置和一种用于简单 地制造该致动装置的方法，该致动装置通过使用可变形的膜和杆来对功能模 块进行致动而实现了小型化。
通过提供一种致动装置来基本实现上述和其它目的和优点，该致动装置
包括可变形的膜；壁，形成在所述膜上以限定空穴；杆，形成在所述空穴 中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心的一侧，以与所述膜的变 形相关^:地运动；致动单元，形成在所述膜的下表面上，以一皮压电地驱动' 从而使膜变形。
所述致动单元可包括按顺序堆叠在所述膜的下表面上的第一电极、压电 层和第二电极。
第一电极、压电层和第二电极中的至少一个的面积可小于所述膜的形成 空穴的面积。
所述壁可在所述膜上限定多个空穴，所述杆可分别形成在所述多个空穴 中。所述多个空穴可通过多个块被限定，在所述空穴中的所述杆的位置和形 状可根据对应的块4皮此不同。
所述杆的高度可大于所述壁的高度。
所述致动装置还可包括设置在所述杆与所述膜之伺以及在所述壁与所述 膜之间的绝缘膜。
通过提供一种模块位移调节装置来基本实现上述和其它目的和优点，该 模块位移调节装置包括功能模块；致动模块，通过使用放置在形成于可变 形的膜上的空穴中的杆来调节功能模块的位移，所述杆位于相对于空穴的中 心的 一侧上以与所述膜的变形相关联地运动。
所述模块位移调节装置还可包括按顺序堆叠在所述膜的下侧上的第 一 电 极、压电层和第二电极。
所述模块位移调节装置还可包括将用于功能模块的位移调节的功率供给 到第 一 电极和第二电极的功率供给单元。
第一电极、压电层和第二电极中的至少一个的面积可小于所述膜的形成 空穴的面禾。、。
所述致动模块还可包括在所述膜上限定多个空穴的壁，其中，在所述多 个空穴中分别形成多个杆。
所述多个空穴可通过多个块被限定，在所述空穴中的所述杆的位置和形
状根据对应的块彼此不同。
所述模块位移调节装置还可包括磁体单元，在功能模块与致动模块之 间提供磁性吸引力，以使功能模块与致动模块彼此附着；轴承单元，布置在 通过磁性吸引力形成的附着面上。
所述模块位移调节装置还可包括弹簧单元，在功能模块与致动模块之 间提供拉力，使功能模块与致动模块彼此附着；第一轴承单元，布置在功能 模块与弹簧单元之间以及在致动模块与弹簧单元之间的连接区域上；第二轴
承单元，布置在通过拉力形成的附着面上。 杆的高度可大于壁的高度。
通过提供一种用于制造致动装置的方法来基本实现上述和其它目的和优 点，所述方法包括制造膜，制造在所述膜上的壁以限定空穴，并制造在所 述空穴中的杆，使所述杆位于所述膜的表面并在相对于空穴的中心的一侧上； 在所述膜的下表面上堆叠第一电极、压电层和第二电极。
所述制造可包括在除了与所述壁和杆对应的部分之外的位置对由多种材 料制成的多层晶片的一侧进行蚀刻，以形成在所述多层晶片的一侧上形成的 空穴、壁和杆。
所述制造可包括对所述多层晶片的一侧进行蚀刻，从而留下凹陷，然后 对具有凹陷的被蚀刻过的所述一侧进行蚀刻，从而形成空穴、壁和杆，其中，
杆的高度大于壁的高度。
所述制造可包括对晶片的一侧进行蚀刻，从而形成空穴、壁和杆；在 所述晶片的另 一侧上形成膜。
所述堆叠可包括在所述膜的下侧上形成第一电极；在第一电极之下和 与多少空穴对应的区域上形成压电层；在压电层之下形成第二电^ l。
所述制造可包括在所述膜上形成多个空穴，以及在所述空穴中分别形成 多个杆。所述制造可包括在所述膜上形成多个划分为块的多个空穴，根据对 应的块在不同的位置以不同的形状在所述空穴中形成杆。


通过下面结合附图对本发明的特定示例性实施例进行的描述，本发明的 上述和其它方面和特点将会变得更加清楚，其中
图1是根据本发明的示例性实施例的致动装置的剖视图2示出了图1中的致动装置被驱动功率致动的过程； 图3示出了具有多个空穴的致动装置的结构； 图4A和图4B示出了致动装置的一些部件的顶表面和底表面； 图5示出了从致动装置给致动装置的多个空穴供给功率的连接结构； 图6示出了根据驱动功率的改变而被调节的杆的位移； 图7A至图7D是用于解释制造根据本发明示例性实施例的致动装置的方 法的剖视图8示出了根据本发明示例性实施例的模块位移调节装置的结构； 图9是示出图8的模块位移调节装置的剖视图IO和图11示出了利于摩擦力从模块位移调节装置传递到功能模块的 结构。
在整个附图中，相同的附图标号将被理解为表示相同的元件、特征和结
具体实施例方式
现在，将参照附图更加详细地描述本发明的特定示例性实施例。 提供在说明书中限定的内容，例如详细的结构和元件在于帮助全面理解 本发明的实施例，并且这些内容仅仅是示例性的。因此，本领域的技术人员 应该理解，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以对在此描述的示例 性实施例进行各种改变和修改。为了清楚和筒明起见，省略对公知功能和构 造的描述。
图1是根据本发明示例性实施例的致动装置的剖视图。
参照图1,根据本发明示例性实施例的致动装置包括膜100、壁IIO、杆 120和致动单元140。
膜100指的是具有低强度的层，所以其可变形到弯曲或其它情况。膜100 可由绝缘材料(例如，硅)制成。壁110放置在膜100的顶部上。
壁110在膜IOO上形成预定形式的空穴130。
杆120放置在空穴130中，优选地，杆120与空穴130的中心线C离开
预定距离。
致动单元140形成在膜100的下表面上。
致动单元140包括第一电极141、压电层142和第二电极143。随着将电
流施加到第一电极141和第二电极143,压电层142产生包括与致动单元140 接触的膜100的变形的压电现象。
与膜IOO接触的杆120根据膜100的变形而移动。具体地讲，杆120根 据膜100向上弯曲而向上升起，根据膜100的向下弯曲而向下落。通过这样 做，杆120将膜100的向上和向下的运动转化为椭圓运动或圓周运动，并传 递转化的力。
因为杆120与膜100的中心隔开而放置，所以杆120根据膜100的向上 弯曲而远离膜100的中心移动，并根据膜100的向下弯曲而朝着膜100的中 心移动。如果功能模块(例如，CCD)被放置在杆120的上面，则功能模块 将与杆120的顶部产生摩擦，从而随着杆120的移动一起进行运动。这样， 功能模块被致动。
杆120的高度d2可等于或者大于壁110的高度dl，以增强与功能模块 的摩擦。如果高度dl和d2的差距较大，则即使膜100微小的位移也可以使 杆120显著地移动。考虑到这种特性，杆120可被设计成具有适于使用目的 的高度。例如，在对颤抖敏感的环境下使用的致动装置可具有比壁110高的 杆120。如果致动装置被应用到颤抖较小的装置上，则杆120可形成与壁110 的高度相同的高度d2。壁110的高度dl大于膜100的厚度，以使壁110不会 由于膜100的位移而变形。
虽然图1示出了这样一种构造的第二电极143,其中，第二电极143对 应于空穴130的大小，^旦是其它元件，例如第一电4及141或者压电层142也 可以具有对应的大小和位置。例如，致动单元140可具有与空穴130相同的 面积或者比空穴130小的面积。通过这样形成，当致动单元140形成在膜100 的整个下侧上时，在施加相同电流的条件下，获得更大的致动效果。
绝缘层可另外形成在膜100 (图1 )的顶表面上。因此，可通过部分蚀刻 绝缘体上硅(SOI)晶片上的硅来一次性地制成如同膜100、壁110和杆120 这样的元件。在这种情况下，在蚀刻期间，在SOI晶片中的绝缘层可用作蚀 刻阻止层，并且可通过空穴130的底侧被暴露。蚀刻后余下的硅材料形成壁 110和杆120。当膜100、壁110和杆120以这种方式^皮制成时，绝缘层可另 外形成在膜100的顶表面上。这将在稍后做详细解释。
图2示出了图1的致动装置通过驱动功率被致动的过程。作为驱动电压 的正弦波被施加到第一电极141和第二电极143上，该驱动电压的周期对应
于膜100和压电层142的共振频率。当施加(+ )电势的驱动功率时，空穴 130中的膜100向上弯曲。因此，杆120在XI方向上远离中心线(C)移动。 在施加(-)电势时，空穴130中的膜100向下弯曲。因此，杆120在X2 方向上朝着中心线(C)移动。
图1中的致动装置可以具有多个空穴130和多个杆120,从而在每个空 穴130中放置一个杆120。
图3示出了具有多个空穴的致动装置的结构。致动装置包括多个空穴 130。每个空穴130可被分成多个块。图3中示出的示例具有按行形成的块状 空穴130。
杆120可按照不同的位置和不同的形状》丈置在每个空穴130中。例如， 在一个空穴130中的杆120可以放到与另一个空穴130中的另一个杆120相 对的位置上，或者可具有不同的形状。
空穴130可按照奇数行和偶数行进行布置。奇数行的杆120可按照沿着 Y轴的杆状布置，而偶数行的杆120可以按照沿着X轴的杆状进行布置。
在一个示例中，奇数行的杆120可被用于在X方向上致动，而偶数行的 杆120被用于在Y方向上致动。可通过根据这些布置的空穴不同地形成杆 120,可扩展与放置在杆120上的模块产生摩擦的区域，从而可利于致动。
最上的奇数行(奇数行1 )中的杆120和第三行(奇数行2 )中的杆120 可被布置成相对于每个空穴130的中心线彼此面对。同样地，偶数行(偶数 1,偶数2)中的杆120可被布置成相对于每个空穴130的中心线彼此面对。 通过这样做，功能模块可以在同一平面上沿不同方向被致动，从而能够实现 2-轴致动。
虽然图3示出了正方形空穴130的示例，但是应该理解，空穴130可以 形成为各种形状，例如，圓形或局部倒圓的正方形等。
图4A和图4B显示了关于两个空穴130-1和130-2的致动装置的前面和 后面。在图4A中，在左边空穴130-1中的杆120-1相对于空穴中心位于右侧， 也就是说，相对于X轴和Yl轴的相交点位于右侧。在右边空穴130-2中的 杆120-2位于空穴中心的下面，也就是说，位于X轴和Y2轴的相交点的下 面。这样，在致动沿着X轴与杆120-1进行摩擦的功能模块时使用左边空穴 130-1，而在致动沿着Y轴与杆120-2进行摩擦的功能模块时使用右边的空穴 130-2。
图4B显示了致动装置的后面。参照图4B,第二电极143-1和143-2形 成在与形成空穴130-1和130-2的区域对应的下表面上。第二电才及143-1和 143-2的面积可等于或者小于空穴130-1和130-2的面积。
参照图5，该图5示出了给多个空穴供给功率的功率供给线，功率1和2 (信号1、 2):故供给到与空穴对应的第一电极141和第二电极143,以立即 控制空穴130的杆120。
参照图6中的(a)至图6中的(c),图6中的(a)至图中的6(c)示 出了根据功率大小的改变而发生的杆的位移，图6A示出了当具有反相 (inverse phase )的信号1和信号2延迟1/4周期(电压1 )时出现的杆的位 移。杆120可向右和向左移动，图6中的(a)表示杆120向左侧进一步移动。
图6中的(b)示出了当输入具有反相的正弦波(电压2)形式的信号1 和信号2时出现的杆的位移。杆120向左和向右移动相同的距离。
图6中的(c)示出了当输入具有反相的全波整流的波(电压3)形式的 信号i和信号2时出现的位移。每当信号1和信号2之间的距离达到最大值 时，杆120向右侧移动最大的距离。当信号1和信号2具有相同的值时，杆 120保持竖直。
因此，根据图6中的(a)至图6 (c)的杆的位移，通过适当地控制信 号1和信号2的大小能够实现精确致动。
图7A至图7D是用于解释制造根据本发明的示例性实施例的致动装置的 方法的剖^L图。
参照图7A,准备具有多个层211、 212和213的多层晶片。多层晶片可 以是绝缘体上硅(SOI)晶片，SOI晶片可包括第一绝缘层211、绝缘膜212 和第二绝缘层213。
参照图7B，在SOI晶片上的第二绝缘层213可通过蚀刻而局部凹陷，从 而将第二绝缘层213分成上层213a和下层213b。考虑到凹陷的深度决定杆 230和壁220 (将在稍后阶段形成)之间的差的事实，凹陷形成为预定深度。
参照图7C,具有凹陷的一侧被蚀刻以形成空穴240。绝缘膜212用作蚀 刻阻止层，这使空穴240形成为合适的深度。未蚀刻的下层213b形成壁220， 未蚀刻的上层213a形成杆230。在多层晶片的另 一侧上的第 一绝缘层211用 作膜。杆230与空穴中心离开预定距离。
参照图7D,通过按照第一电极251、压电层252和第二电极253的顺序
堆叠在绝缘层211的下侧上而形成致动。
虽然图7A至图7D示出了利用SOI晶片制造的致动装置，但是应该理解， 可以利用普通的晶片制造致动装置。为了利用普通的晶片制造致动装置，首 先，普通晶片的一侧被局部凹陷，用于膜的材料层堆叠在相反侧上。然后， 蚀刻形成凹陷的区域，从而一起形成空穴、壁和杆，然后，在膜的下侧上顺 序堆叠第一电极、压电层和第二电极。
另外，虽然图7A至图7D示出了直到堆叠第一电极、压电层和第二电极 的过程，但是应该理解，可以通过加入像锯切、烧结、修剪和相互连接的过 程来制造在形状和尺寸上与想要的功能模块适合的致动装置。
图8示出了根据本发明的示例性实施例的模块位移调节装置的结构。模 块位移调节装置包括功能模块300和致动模块400。
功能模块300这里指的是独立执行功能的一个单独的芯片或者模块。功 能模块300可以为CCD。
致动模块400对功能模块300进行适当地致动以调节位移。图1中示出 的致动装置可以用作致动模块400。
图9是示出图8的模块位移调节装置的结构的剖视图。功能模块300包 括CCD 310、 PCB 320以及摩擦构件层330。
CCD 310运行以拍摄目标的图像并输出相应的数据，PCB 320是支撑 CCD 310的板，并传输CCD 310的输入和输出。摩4察构件层330由摩擦构件 制成，以增加与杆420的摩擦。功能模块300可以称为相关领域通常称作的 转动体(rotor )。
致动装置400包括壁410、杆420、绝缘层440、膜450和致动单元460。 致动单元460包括第一电极461、压电层462和第二电才及463。
致动模块400可实现为上述参照图1至图7所解释的致动装置的结构。 多个杆420被分别放置在多个空穴430中，并且与空穴的中心离开一段 距离。杆420与绝缘层440和用作空穴430的底部的膜450的变形相关联地 运动。
随着驱动功率从功率供给单元800施加到第一电极461和第二电极463, 压电层462产生压电效应，这样，膜450向上或者向下弯曲，导致杆420 — 起运动。
杆420的上表面与功能模块300的摩擦构件层330部分接触，从而推着
杆420沿着前进方向运动并调节功能模块300的位移。
功率供给单元800可供给用于补偿微小振动(例如，手颤抖)的驱动功 率。当在具有照相功能的电子装置中实施时，根据本发明示例性实施例的模 块位移调节装置可以利用运动传感器等来检测手的颤抖。当检测到手颤抖时， 功率供给单元800给致动模块400提供具有与检测到的手颤抖的结果对应的 频率的驱动功率，使得适当地对功能模块300进行致动并使手颤抖的影响最 小化。
参照图9，为了通过杆420来调节功能模块300的位移，期望在功能模 块300和致动模块400之间施加预定程度的吸引力。
图IO和图11示出了添加到模块位移调节装置中以便于传递关于功能模 块300的摩擦力的结构。
参照图10,功能模块300和致动模块400通过磁体部件301、 302、 401 和402彼此附着。通过功能模块300的磁体301和302以及致动模块400的 金属401和402在这两个模块300和400之间施加/磁性吸引力。由于这两个 模块300和400在预定程度的力的作用下彼此吸附，所以致动模块400的杆 420与功能模块300更加强烈地摩擦。
在这两个模块300和400之间的连接位置之间可以另外地放置轴承510a 和510b。这种轴承510a和510b的存在使功能模块300在与致动模块连接的 平面上更加平稳地滑动，这样，功能模块300的致动更加平稳。
图11示出了通过弹簧600a和600b彼此连接的功能模块300和致动模块 400。由于施加等于弹簧600a和600b的恢复力的拉力，所以两个模块300和 400彼此附着。
第一轴承710a和710b可以形成在弹簧600a和600b与模块300和400 之间的连接部分中，第二轴承720a和720b可以形成在这两个模块300和400 之间的连接部分中。可以采用第一轴承710a和710b以及第二轴承720a和 720b以平稳地致动功能模块300。
可以根据本发明的示例性实施例适当地修改图IO和图11中示出的磁体、 轴承、弹簧、第一轴承以及第二轴承的数量、形状和位置。
根据本发明的示例性实施例的致动装置和模块位移调节装置补偿微小振 动，例如手颤抖，因此，它们可作为光学图像稳定器用于各种电子领域。特 别是，致动装置和模块位移调节装置可有效地用于小型化的电子装置，例如
具有照相功能的移动电话或者PDA。
根据本发明的示例性实施例，可以通过简单的过程来制造小型化的致动 装置，这种致动装置利用可变形的膜和杆在适当的方向致动功能模块，从而 使手的颤抖产生的影响最小化。这种致动装置尤其具有小型化的厚度，这可 以实现符合当前消费者对纤细产品的需要的电子装置。而且，能够实现在单 一平面上在两轴方向上的致动，并且可以适当地调节驱动功率的大小以及杆 的位置和形状以精确地控制致动速度。
本教导可以被容易地应用于各种类型的设备中。对本发明的示例性实施例进 行的描述旨在于说明性，不在于限制权利要求的范围。本领域的技术人员应 该明白，可以进行各种更换、修改和改变。
权利要求
1、一种致动装置，包括可变形的膜；壁，形成在所述膜上以限定空穴；杆，形成在所述空穴中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心的一侧，以与所述膜的变形相关联地运动；致动单元，形成在所述膜的下表面上，以被压电地驱动，从而使膜变形。
2、 如权利要求1所述的致动装置，其中，所述致动单元包括按顺序堆叠 在所述膜的下表面上的第一电极、压电层和第二电极。
3、 如权利要求2所述的致动装置，其中，第一电极、压电层和第二电极 中的至少一个的面积小于所述膜的形成空穴的面积。
4、 如权利要求1所述的致动装置，其中，所述壁在所述膜上限定多个空 穴，所述杆分别形成在所述多个空穴中。
5、 如权利要求4所述的致动装置，其中，所述多个空穴通过多个块被限 定，在所述空穴中的所述杆的位置和形状根据对应的块彼此不同。
6、 如权利要求1所述的致动装置，其中，所述杆的高度大于所述壁的高度。
7、 如权利要求1所述的致动装置，还包括设置在所述杆与所述膜之间以 及在所述壁与所述膜之间的绝缘膜。
8、 一种模块位移调节装置，包括 功能模块；致动模块，通过使用被放置在形成于可变形的膜上的多个空穴中的多个 杆来调节功能模块的位移，所述杆位于相对于空穴的中心的 一侧上以与所述 膜的变形相关联地运动。
9、 如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括按顺序堆叠在所述膜 的下侧上的第一电极、压电层和第二电极。
10、 如权利要求9所述的模块位移调节装置，还包括将用于功能模块的 位移调节的功率供给到第 一 电极和第二电极的功率供给单元。
11、 如权利要求9所述的模块位移调节装置，其中，第一电极、压电层 和第二电极中的至少一个的面积小于所述膜的形成所述空穴的面积。
12、 如权利要求8所述的模块位移调节装置，其中，所述致动模块还包 括在所述膜上限定多个空穴的壁，其中，在所述多个空穴中分别形成多个杆。
13、 如权利要求12所述的模块位移调节装置，其中，所述多个空穴通过 多个块被限定，在所述空穴中的所述杆的位置和形状根据对应的块彼此不同。
14、 如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括磁体单元，在功能模块与致动模块之间提供磁性吸引力，以使功能模块 与致动模块彼此附着；轴承单元，布置在通过磁性吸引力形成的附着面上。
15、 如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括弹簧单元，在功能模块与致动模块之间提供拉力，使功能模块与致动模 块彼此附着；第 一轴承单元，布置在功能模块与弹簧单元之间的连接区域以及在致动 模块与弹簧单元之间的连接区域上；第二轴承单元，布置在通过拉力形成的附着面上。
16、 如权利要求8所述的模块位移调节装置，其中，杆的高度大于壁的 高度。
17、 一种用于制造致动装置的方法，包括制造膜，制造在所述膜上的壁以限定多个空穴，并制造在所述多个空穴 中的杆，使所述杆位于所述膜的表面并在相对于空穴的中心的 一侧上； 在所述膜的下表面上堆叠第一电极、压电层和第二电极。
18、 如权利要求17所述的方法，其中，所述制造步骤包括在除了与所述 壁和杆对应的部分之外的位置对由多种材料制成的多层晶片的一侧进行蚀 刻，以形成在所述多层晶片的一侧上形成的空穴、壁和杆的膜。
19、 如权利要求18所述的方法，其中，所述制造步骤包括对所述多层晶 片的一侧进行蚀刻，^v而留下凹陷，然后对具有凹陷的被蚀刻过的所述一侧 进行蚀刻，从而形成空穴、壁和杆，其中，杆的高度大于壁的高度。
20、 如权利要求17所述的方法，其中，所述制造步骤包括 对晶片的一侧进行蚀刻，从而形成空穴、壁和杆； 在所述晶片的另 一侧上形成膜。
21、 如权利要求17所述的方法，其中，所述堆叠步骤包括 在所述膜的下侧上形成第一电极；在第一电极之下和与所述空穴对应的区域上形成压电层；在压电层之下形成第二电极。
22、 如权利要求17所述的方法，其中，所述制造步骤包括在所述膜上形 成多个空穴，以及在所述空穴中分别形成多个杆。
23、 如权利要求22所述的方法，其中，所述制造步骤包括在所述膜上形 成划分为多个块的多个空穴，根据对应的块在不同的位置以不同的形状在所 述空穴中形成杆。
全文摘要
本发明公开了一种致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置。该致动装置包括可变形的膜；壁，形成在所述膜上以限定空穴；杆，形成在所述空穴中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心的一侧，以与所述膜的变形相关联地运动；致动单元，形成在所述膜的下表面上，以被压电地驱动，从而使膜变形。所述致动装置被应用于小型化的电子装置，可以适当地对功能模块进行致动。
文档编号H04N5/351GK101355325SQ200810086978
公开日2009年1月28日 申请日期2008年4月3日 优先权日2007年7月24日
发明者李华善, 李成熙, 林承模, 郑喜文 申请人:三星电子株式会社