上电爆音控制电路的制作方法

本实用新型涉及电路技术领域，特别涉及一种上电爆音控制电路。

背景技术：

在音频设备的生产过程中，上电爆音控制电路是一个重要的组成部分。上电爆音控制电路的作用是消除音频设备上电瞬间产生的爆音，当音频设备上电的瞬间音频设备内部的上拉电源会有一瞬间的电压变化，由0V上升到VDD/2，此电压变化经由音频模拟输出电路中的耦合电容耦合会产生一电流并流至音频设备的输出端，从而产生爆音影响用户的体验且产生的爆音对音频输出设备内的电子元器件也会造成损坏，因此上电爆音控制电路的作用至关重要。

现有的上电爆音控制电路包括三极管和电容，通过多个三极管和多个电容的组合，对音频设备上电瞬间产生的瞬时电压进行存储，以使达到消除爆音的效果。

现有的上电爆音控制电路由于采用了多个三极管和多个电容，使得电路结构复杂导致电路功耗较大，且现有的放爆音电路中包括多个三极管和多个电容以及其他电子元器件，使得电路成本过高不利于批量生产。

技术实现要素：

基于此，本实用新型实施例的目在于提供一种结构简单的上电爆音控制电路。

一种上电爆音控制电路，设于音频设备、功率放大器和音频输出设备之间，包括爆音控制电路、与所述爆音控制电路电性连接的上电检测电路和设于所述爆音控制电路、所述上电检测电路之间的上拉电源；

所爆音控制电路包括MOS管，所述MOS管的输入端分别与所述上电检测电路的输出端、所述上拉电源的输出端电性连接，所述MOS管的输出端与所述音频输出设备电性连接，所述爆音控制电路用于消除所述音频设备上电时所述功率放大器上产生的爆音；

所述上电检测电路的输入端分别与所述音频设备的输出端和所述功率放大器的输入端电性连接，所述上电检测电路用于检测到所述音频设备发出音频信号时，拉低所述上拉电源的电压，以使所述MOS管截止，输出音频信号。

上述上电爆音控制电路结构简单，并通过所述爆音控制电路的设计，消除了所述音频设备上电瞬间所述功率放大器上产生的瞬时电压，进而消除了所述音频设备的上电爆音、提高了用户体验延长了所述音频输出设备的使用寿命，通过控制所述MOS管的导通，达到消除上电爆音的效果且成本较低。

进一步地，所述上电检测电路包括三极管和与所述三极管的基极电性连接的限流电阻，所述三极管的集电极分别与所述上拉电源和所述MOS管电性连接。

进一步地，所述三极管为NPN型三极管，所述MOS管为NMOS管。

进一步地，所述三极管的发射极与所述MOS管的源极电性连接后与地相连。

进一步地，所述三极管的集电极与所述MOS管之间设有第一分压电阻，所述三极管的集电极与所述上拉电源之间设有第二分压电阻。

进一步地，所述第二分压电阻的阻值大于所述限流电阻的阻值，所述限流电阻的阻值大于所述第一分压电阻的阻值。

进一步地，所述音频输出设备为耳机、喇叭或音响中的任意一种。

进一步地，所述三极管的发射极上串联有一接地电阻，所述接地电阻用于防止所述三极管由于外部噪音干扰引起的错误操作。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例上电爆音控制电路的结构框图；

图2为本实用新型第一实施例上电爆音控制电路的电路结构示意图；

图3为本实用新型第二实施例上电爆音控制电路的电路结构示意图；

主要元素符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。

具体实施方式

为了便于更好地理解本实用新型，下面将结合相关实施例附图对本实用新型进行进一步地解释。附图中给出了本实用新型的实施例，但本实用新型并不仅限于上述的优选实施例。相反，提供这些实施例的目的是为了使本实用新型的公开面更加得充分。

请参阅图1，为本实用新型第一实施例提供的上电爆音控制电路100的结构框图，所述上电爆音控制电路100设于音频设备10、功率放大器60和音频输出设备40之间，包括爆音控制电路30、与所述爆音控制电路30电性连接的上电检测电路20和设于所述爆音控制电路30、所述上电检测电路20之间的上拉电源50，所述上电检测电路20的输入端分别与所述音频设备10的输出端、所述功率放大器60的输入端电性连接，输出端分别与所述爆音控制电路30的输入端和所述上拉电源50的输出端电性连接，所述爆音控制电路30的输出端与所述音频输出设备40电性连接，所述功率放大器60用于将所述音频设备10输出的音频信号进行放大后发送至所述音频输出设备40进行输出，本实施例中所述上拉电源50持续提供一12V的电压。

请参阅图2，为本实用新型第一实施例提供的上电爆音控制电路100的电路结构示意图，所爆音控制电路30包括MOS管22，所述MOS管22的输入端分别与所述上电检测电路20的输出端、所述上拉电源50的输出端电性连接，所述MOS管22的输出端与所述音频输出设备40的输入端电性连接，所述爆音控制电路30用于消除所述音频设备10上电瞬间所述功率放大器60上产生的爆音电压，进而提高了用户的体验且防止了所述音频输出设备40由于爆音电压而导致的损坏，提高了所述音频输出设备40的使用寿命。

所述上电检测电路20的输入端分别与所述音频设备10的输出端和所述功率放大器60的输入端电性连接，所述上电检测电路20用于当所述音频设备10输出音频信号时，拉低所述上拉电源50的电压，此时所述MOS管22截止，所述功率放大器60能将音频信号进行放大后发送至所述音频输出设备40。

所述上电检测电路20包括三极管21和与所述三极管21的基极电性连接的限流电阻24，所述三极管21的集电极分别与所述上拉电源50和所述MOS管22电性连接，当所述音频设备10的输出端输出高电平时所述三极管21导通，以使拉低所述上拉电源50的电压，所述MOS管22达不到导通条件进入截止状态，所述音频设备10发出的音频信号经过所述功率放大器60放大后，可正常的发送至所述音频输出设备40进行输出。

所述三极管21为NPN型三极管，所述MOS管22为NMOS管，所述三极管21的发射极与所述MOS管22的源极相连后与地相连，所述三极管21的集电极与所述MOS管22之间设有第一分压电阻23，所述三极管21的集电极与所述上拉电源50之间设有第二分压电阻25。

其中，所述第二分压电阻25的阻值大于所述限流电阻24的阻值，所述限流电阻24的阻值大于所述第一分压电阻23的阻值，所述音频输出设备40为耳机、喇叭或音响中的任意一种。

本实施例的流程是：所述上拉电源50会持续提供一个12V的上拉电压以使所述MOS管22的栅极电压为12V，这时所述MOS管22达到导通条件，当所述音频设备10的上电瞬间所述功率放大器60上会产生一爆音电压，但由于此时所述MOS管22导通将所述功率放大器60上产生的爆音电压拉低，进而将爆音电压进行消除，所述音频输出设备40上不会发出爆音，随后所述音频设备10输出高电平，从而使所述三极管21导通，以使所述上拉电源50的12V电压被所述第一分压电阻23和所述第二电阻25进行分压，所述MOS管22的栅极电压接近于0V，使得所述MOS管22没有达到导通条件，这时所述音频设备10输出的音频信号通过所述功率放大器60放大后可正常的发送至所述音频输出设备40进行输出。

本实施例电路结构简单，并通过所述爆音控制电路30的设计消除了所述音频设备10上电瞬间所述功率放大器60上产生的爆音电压，进而消除了所述音频输出设备40的上电爆音，提高了用户体验、延长了所述音频输出设备40的使用寿命，通过所述三极管21和所述MOS管22的设计，保证了所述上电爆音控制电路100的消爆音效果且降低了成本有利于批量生产，通过所述第一分压电阻23和所述第二分压电阻25的设计防止了所述MOS管22被击穿提高了所述上电爆音控制电路100的使用寿命，通过所述限流电阻24的设计降低了所述上电爆音控制电路100的损耗。

请参阅图3，为本实用新型第二实施例上电爆音控制电路的电路结构示意图，该第二实施例与第一实施例的结构大抵相同，其区别在于，本实施例中所述三极管21的发射极上串联有一接地电阻26；

所述接地电阻26用于防止所述三极管21由于外部噪音干扰引起的错误操作，进而提高了所述上电爆音控制电路的消爆音效果，可以理解的所述三极管21的发射极上可串联电容或电容与电阻的组合。

上述实施例描述了本实用新型的技术原理，这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其他具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围内。