一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子产品技术领域，特别涉及一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜。
【背景技术】
[0002]目前的硅胶振膜通常采用注塑的成型方式，此种成型方式不但成本较高、效率低，而且受注塑成型条件限制，振膜厚度偏厚，通常在50 μπι以上。此外注塑成型过程中，模具调整复杂，不利于产品的快速开发。
【发明内容】
[0003]鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜，本发明的技术方案是这样实现的:
[0004]一方面，本发明实施例提供了一种制备硅胶振膜的方法，所述方法包括:
[0005]将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带，所述液体硅胶处于所述两层基材之间；
[0006]通过振膜模座对所述复合料带进行整版热压成型，所述热压成型的温度高于所述液体硅胶的硫化温度；
[0007]去除所述两层基材，获取整版的硅胶振膜；
[0008]对所述去除两层基材的整版的硅胶振膜进行冲裁以制备出需要的硅胶振膜。
[0009]优选地，所述将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带包括:
[0010]将其中一层基材置于底层作为下层基材，通过涂胶器将所述液体硅胶涂覆在该下层基材的上面；
[0011]通过厚度控制装置调整所述液体硅胶的厚度，并将另一层基材铺覆在所述液体硅胶的上面作为上层基材；
[0012]通过保压轴对所述下层基材、液体硅胶和上层基材进行保压处理，获得所述复合料带。
[0013]其中，在通过涂胶器将所述液体硅胶涂覆在该下层基材的上面时，使所述下层基材的边缘留有未涂覆液体硅胶的空隙；
[0014]在通过厚度控制装置调整所述液体硅胶的厚度后，将另一层基材覆盖在所述液体硅胶的上面作为上层基材时，使所述上层基材与所述下层基材的边缘对齐。
[0015]优选地，所述液体硅胶由两种制备硅胶的溶液按比例充分混合制成。
[0016]优选地，所述两层基材为聚醚醚酮PEEK材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET材料、聚醚酰亚胺PEI材料或热塑性聚氨酯弹性体橡胶TPU材料中的一种或者两种。
[0017]另一方面，本发明实施例提供了一种硅胶振膜，采用下述方式制备而成:
[0018]将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带，所述液体硅胶处于所述两层基材之间；
[0019]通过振膜模座对所述复合料带进行整版热压成型，所述热压成型的温度高于所述液体硅胶的硫化温度；
[0020]去除所述两层基材，获取整版的硅胶振膜；
[0021]对所述去除两层基材的整版的硅胶振膜进行冲裁以制备出需要的硅胶振膜。
[0022]优选地，所述复合料带采用下述方式形成:
[0023]将其中一层基材置于底层作为下层基材，通过涂胶器将所述液体硅胶涂覆在该下层基材的上面；
[0024]通过厚度控制装置调整所述液体硅胶的厚度，并将另一层基材铺覆在所述液体硅胶的上面作为上层基材；
[0025]通过保压轴对所述下层基材、液体硅胶和上层基材进行保压处理，获得所述复合料带。
[0026]其中，所述下层基材和所述上层基材的边缘留有未涂覆液体硅胶的空隙。
[0027]优选地，用于制备所述硅胶振膜的液体硅胶由两种制备硅胶的溶液按比例充分混合制成。
[0028]优选地，用于制备所述硅胶振膜的两层基材为聚醚醚酮PEEK材料、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET材料、聚醚酰亚胺PEI材料或热塑性聚氨酯弹性体橡胶TPU材料中的一种或者两种。
[0029]本发明实施例的有益效果是:本发明公开了一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜，所述方法采用压延方式对两层基材和液体硅胶进行料带复合处理，通过热压成型的方式对获得的复合料带进行塑形，成型后去除上下两层基材，并对去除基材的整版硅胶振膜进行冲裁处理，从而制备出需要的硅胶振膜。相比于传统的技术方案，具有成型方式简单、振膜厚度可控，厚度最薄可达5 μ左右的优势，且由于本技术方案在塑形过程中采用的振膜模座相比于传统技术方案的注塑模具，成本更低、振膜模座的样式更多，因此，本技术方案还具有成本低、振膜形式多样的优点。
【附图说明】
[0030]图1为本发明实施例提供的一种制备硅胶振膜的方法流程图；
[0031]图2为本发明实施例提供的采用压延方式制备的复合料带的示意图；
[0032]图3-a为本发明实施例提供的热压成型后的整版的复合料带示意图；
[0033]图3-b为本发明实施例提供的热压成型后的AA剖线处的复合料带侧视图；
[0034]图4-a为发明实施例提供的硫化后的部分复合料带示意图；
[0035]图4-b为发明实施例提供的去除基材后的硅胶振膜示意图；
[0036]图5为发明实施例提供的经过冲裁处理后的硅胶振膜示意图；
[0037]图6为本实施例提供的采用压延方式制备复合料带的示意图；
[0038]图7为本发明实施例提供的液体硅胶内收于两层基材之间的复合料带示意图；
[0039]图8为制备液体硅胶的示意图。
【具体实施方式】
[0040]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0041]图1为本发明实施例提供的一种制备硅胶振膜的方法流程图，该方法包括:
[0042]S100，将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带，所述液体硅胶处于所述两层基材之间。
[0043]如图2所示，为本发明实施例提供的采用压延方式制备的复合料带的示意图，图中的液体硅胶处于上层基材和下层基材之间。
[0044]其中，压延是指将加热过的混炼胶通过相对旋转、水平设置的两辊筒之间的辊隙，制成胶片等半成品的工艺谓之压延。
[0045]S200，通过振膜模座对复合料带进行整版热压成型，所述热压成型的温度高于液体硅胶的硫化温度。
[0046]如图3-a与图3-b共同所示，为本发明实施例提供的热压成型后的复合料带示意图。
[0047]本步骤中，通过热压成型的方式使液体硅胶硫化成型。其中，振膜模座的数量可以根据复合料带的面积以及成型状态调整。在实际应用中，本步骤中的振膜模座可以是单个，也可以是多个。
[0048]由于振膜模座相对于注塑模具成本更低，因此本技术方案采用振膜模座对复合料带进行塑形的方案，不但能够降低生成成本，而且便于获得各种形状的振膜。
[0049]S300，去除上述两层基材，获取整版的硅胶振膜。
[0050]如图4-a与图4-b所示共同所示，分别为硫化后的部分复合料带和去除基材后的硅胶振膜示意图。
[0051]本步骤利用硫化后的硅胶与基材间的不亲和性，顺利地揭去两层基材，获得完整无损的整版硅胶振膜。
[0052]S400，对去除两层基材的整版的硅胶振膜进行冲裁以制备出需要的硅胶振膜。
[0053]如图5所示，为本发明实施例提供的经过冲裁处理后的硅胶振膜示意图。
[0054]本实施例相比于传统的注塑成型的硅胶振膜，具有成型方式简单、成本低、振膜形式多样、振膜厚度薄的优势。
[0055]本技术方案通过一个具体实施例详细说明如何将传统的压延工艺应用到振膜制作中。
[0056]如图6所示，为本实施例提供的采用压延方式制备复合料带的示意图，具体采用如下方式制备上述复合料带:
[0057]将其中一层基材置于底层作为下层基材，通过涂胶器将液体硅胶涂覆在下层基材的上面。
[0058]由于在将液体硅胶涂覆在下层基材上时，会存在液体硅胶厚度不均匀，以及所涂覆的厚度与所需要的液体硅胶厚度不符的情况。因此，本技术方案通过厚度控制装置调整液体硅胶的厚度，解决涂覆液体硅胶时，前述的液体硅胶的厚度无法精确控制的问题；在厚度控制装置调整液体硅胶的厚度的同时，将另一层基材铺覆在液体硅胶的上面作为上层基材。
[0059]通过保压轴对下层基材、液体硅胶和上层基材进行保压处理，获得上述复合料带。
[0060]在实际应用中，还可以将获得的复合料带通过料带卷轴卷起，便于复合料带的存放。
[0061]本具体实施例中，为便于去除基材，以及充分利用所有的硅胶。在对两层基材和液体硅胶进行料带复合时，使液体硅胶内收于两层基材之间。
[0062]如图7所示，为本发明实施例提供的液体硅胶内收于两层基材之间的复合料带示意图，在通过涂胶器