一种硅胶振膜和扬声器模组的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电声产品技术领域，特别涉及一种硅胶振膜和扬声器模组。
【背景技术】
[0002]传统动圈式扬声器的振动音圈由音圈本体和音圈引线组成，音圈引线一般由两种形式出现:其一，音圈引线粘附在振膜上，但此方法易导致振动系统失衡，造成振膜偏振；其二，音圈引线悬浮在振膜与外壳之间，但此方法对音圈引线的弧度、高度以及对正负极引线的对称性要求极高，否则音圈引线容易碰到外壳或振膜，造成声学不良问题。并且以上两种方法当扬声器在大功率模式下长时间工作时，振动音圈和音圈引线经过反复弯折，存在音圈引线断线的潜在风险，产品稳定性较差。
[0003]另外，业界有采用电镀或磁控溅射等技艺形成导电层来替代振动音圈引线的方案，但是由于电镀或磁控溅射形成的导电层金属粒子排列稀疏，存在导电层自身电阻过高、导电层容易脱落等缺陷。
【实用新型内容】
[0004]鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种硅胶振膜和扬声器模组，本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0005]一方面，本实用新型提供了一种硅胶振膜，包括位于中心的平面部、设置于所述平面部边缘的折环部以及与所述折环部外围相连用于粘接外壳的固定部；采用激光刻蚀技术在所述硅胶振膜的表面刻蚀有两条对称的线槽；
[0006]每条线槽均沉积有一条导电金属层，每条导电金属层的两端均设置有第一焊接部和第二焊接部，所述第一焊接部沉积于所述硅胶振膜靠近折环部的平面部，用于在音圈内侧焊接音圈的绕线抽头；所述第二焊接部沉积于所述硅胶振膜的固定部，用于焊接外壳上的焊盘；连接所述第一焊接部和所述第二焊接部的中间部沉积于所述硅胶振膜中形成导电通路。
[0007]优选地，所述两条导电金属层的上表面低于所述硅胶振膜的表面，或者与所述硅胶振膜的表面平齐。
[0008]优选地，所述两条导电金属层的第一焊接部对称地沉积于所述平面部靠近折环部的中心位置处。
[0009]本技术方案的硅胶振膜在表面对称地刻蚀两条线槽，每条线槽均沉积有一条导电金属层，该导电金属层的两端焊接部能够分别与音圈和焊盘焊接，从而利用导电金属层可以实现音圈和焊盘的连接。利用硅胶振膜上沉积的两条导电金属层代替音圈引线的方案，第一，能够解决传统方案中音圈引线碰撞引起的听音不良的问题，提高产品声学性能；第二，沉积于线槽内的导电金属层不但能够不占用额外的空间，还能够避免大功率下振动音圈引线断线的风险，提高产品稳定性；第三，导电金属层沉积在刻蚀的线槽中，使得导电层不易脱落，更为稳定，且相比于电镀或磁控溅射等技术，金属沉积获得的导电金属层更致密均匀，电导率更高，不易发生龟裂。
[0010]另一方面，本实用新型还提供了一种扬声器模组，包括收容于外壳内部的振动系统；所述振动系统包括上述技术方案提供的硅胶振膜；
[0011]所述硅胶振膜的折环部的内侧固定有音圈，所述硅胶振膜的两条导电金属层的第一焊接部分别与所述音圈两端的绕线抽头焊接，所述两条导电金属层的第二焊接部分别与外壳上的两个焊盘焊接。
[0012]本技术方案扬声器模组通过沉积于硅胶振膜中的两条导电金属层代替传统方案中的音圈引线，使两条导电金属层的第一焊接部与音圈内侧的绕圈抽头焊接，第二焊接部与外壳上的焊盘焊接，解决了音圈引线碰撞振膜或外壳引起的听音不良问题，提高了模组的声学性能；同时避免了大功率下振动音圈引线断裂的风险，提高了扬声器模组的稳定性。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型实施例提供的硅胶振膜主视图；
[0014]图2为本实用新型实施例提供的硅胶振膜截面图；
[0015]图3-a为本实用新型实施例提供的硅胶振膜剖线A处的放大示意图；沉积导电金属层过程的放大示意图；
[0016]图3-b为本实用新型实施例提供的硅胶振膜剖线A处刻蚀的线槽放大示意图；
[0017]图3-c为本实用新型实施例提供的在硅胶振膜剖线A处的线槽沉积导电金属层的放大示意图；
[0018]图3-d为本实用新型实施例提供的硅胶振膜剖线A处的导电金属层放大示意图；
[0019]图中:1、平面部；2、折环部；3、固定部；4、第一焊接部；5、第二焊接部；6、中间部；7、导电金属层；8、线槽。
【具体实施方式】
[0020]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
[0021]如图1与图2共同所示，本实施例提供了一种硅胶振膜，包括位于中心的平面部1、设置于平面部I边缘的折环部2以及与折环部2外围相连用于粘接外壳的固定部3。
[0022]本实施例采用激光刻蚀技术在硅胶振膜的表面刻蚀有两条对称的线槽，以保证振膜的平衡性。
[0023]其中，每条线槽均沉积有一条导电金属层，每条导电金属层的两端均设置有第一焊接部4和第二焊接部5，第一焊接部4沉积于硅胶振膜靠近折环部2的平面部1，用于在音圈内侧焊接音圈的绕线抽头；第二焊接部5沉积于硅胶振膜的固定部3，用于焊接外壳上的焊盘；连接第一焊接部4和第二焊接部5的中间部6沉积于硅胶振膜中形成导电通路。
[0024]本实施例中可以采用下述方法对硅胶振膜进行再加工，以获得具有两条导电金属层的硅胶振膜:
[0025]采用激光刻蚀技术在硅胶振膜的表面刻蚀两条对称的线槽，以保证振膜的平衡性；
[0026]将金属导电材料沉积在两条对称的线槽中，获得两条导电金属层。
[0027]其中，每条导电金属层的两端均沉积有第一焊接部和第二焊接部，第一焊接部沉积于硅胶振膜靠近折环部的平面部，用于在音圈内侧焊接音圈的绕线抽头；第二焊接部沉积于硅胶振膜的固定部，用于焊接外壳上的焊盘；连接第一焊接部和第二焊接部的中间部沉积于硅胶振膜中形成导电通路。在本实施例的一优选方案中，为不影响产品内部空间，上述两条导电金属层的上表面低于硅胶振膜的表面，或者与硅胶振膜的表面平齐。
[0028]具体的，如图3-a?图3-d共同所示，为本实施例提供的硅胶振膜剖线A处沉积导电金属层的过程示意图，本实施例中硅胶振膜未在其表面刻蚀线槽时的状态如图3-a所示，采用激光刻蚀技术在该硅胶振膜的表面刻蚀线槽后的状态如图3-b所示，本实施例采用电化学的金属沉积方法在硅胶振膜的线槽内沉积金属导电材料，在硅胶振膜的线槽内沉积金属导电材料的过程如图3-c所示，在硅胶振膜的线槽内完全沉积金属