专利名称：有机装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机装置的制作，例如电发光或有机发光二极管(OLED)装置。尤其是，本发明涉及对电发光装置封装的改进，另一方面，本发明涉及活性有机材料的均质或均匀沉积。
本发明的背景技术附
图1显示了具有一个或多个OLED单元的常规电发光装置100。OLED单元包括由一个或多个有机功能层110构成的功能叠层，所述功能叠层位于透明导电层105(例如，铟锡氧化物或ITO)和导电层115之间。所述导电层作为电极。所述单元位于基体101上的一个活性区域185。根据需要，所述单元可以制成显示器或灯。金属喷镀层构成电极和结合片150之间的连接。所述结合片与例如驱动电路结合，控制OLED单元的操作。盖160形成腔室145，并且封闭所述装置，密封OLED单元使其免受环境的损坏(例如，湿度和/或空气)。
在操作中，将电荷载体注射通过电极，从而在所述功能层中重组。电荷载体的重组使得上述单元的功能层发出可见辐射光。
沉积聚合物的技术包括例如，旋涂或刮刀涂覆。上述技术对整个基体表面进行涂覆。由于聚合物材料非常柔软，而且是部分吸湿的，在盖与基体结合的地方(例如，盖结合区域)需要将聚合物材料从该区域完全去除。而且，由于结合片通常在聚合物材料沉积之前形成，需要从结合片上去除所述聚合物材料，从而使垫片暴露与驱动电路结合。
然而，使聚合物材料形成图案的技术非常有限。这是因为需要化学反应(干的或湿的)的大多数技术与敏感的聚合物材料不相容。通常采用的形成图案技术是激光烧蚀。当采用激光烧蚀时，要求高的激光强度以及长的辐射时间从而将聚合物材料从基体上的选定区域去除。高的激光强度以及长的辐射时间可能对聚合物下面的金属喷镀层或ITO层造成损坏，从而对装置产生不良影响。而且，当层变得越来越薄，光吸收下降，从而激光烧蚀可能不能完全去除所述聚合物材料。聚合物材料从盖结合区域的不完全去除导致有缺陷的封装，从而产生故障。
从上述讨论可知，需要有一种具有可靠封装的电发光装置。
而且，OLED的有机功能层包括，例如溶解于溶液的共轭聚合物。所述聚合物通过例如旋涂或刮刀涂覆技术或其它沉积/印刷技术沉积于基体上。通常，有机层非常薄，例如大约50-400nm。由于有机层非常薄，层的细小偏差或不均匀将导致装置操作的光学偏差。
所述有机层涂覆玻璃基体，并制备成有图案的结构，例如金属连接和ITO电极结构。所述不同的结构使得基体表面呈现凸凹不平的外形。其下的不同材料具有不同的表面能，它们沿着凹凸不平的基体表面也使得很难得到均匀的有机层。
为了提高有机层的涂覆均匀性，人们提出采用不同的溶液。上述溶液包括，例如通过氧气或等离子体处理基体表面，选择适当的金属从而有机材料对其显示良好的涂覆性能，或修饰有机材料从而得到良好的涂覆性能。然而，由于有机材料的良好涂覆性能损害了其可生产性，导致高的生产成本和/或性能降低，因此上述溶液是不起作用的。
由上述讨论可知，进一步地需要有机装置上具有均匀有机功能层，其对装置的性能没有产生不良影响或不增加生产成本。
本发明的简述本发明涉及电发光装置的密封。所述电发光装置包括具有一个活性区域的基体，所述活性区域上至少形成一个OLED单元。盖结合区域环绕所述活性区域。在盖结合的活性区域具有一保护层，例如光刻胶。所述保护层使形成OLED单元的聚合物材料从盖结合区域去除而不损害位于其下的各层。其改进了盖和基体之间的密封。
另一方面，本发明涉及有机装置中有机层的均匀沉积。所述有机装置包括位于例如电极或金属内部连接等其它层顶部的基体，至少一个有机层沉积在所述基体上。对活性有机材料显示良好涂覆性能的均质层，例如光刻胶，位于所述有机层下面。其避免了位于下面的金属的不利影响，所述不利影响能够影响有机材料在基体上的均匀沉积，从而导致例如OLED单元的缺陷。
附图的简要说明附图1显示了常规的OLED装置；附图2显示了本发明的一个实施方式；附图3显示了本发明的另一实施方式；附图4-9显示了根据本发明的一个实施方式制作OLED单元的过程；以及附图10-14显示了根据本发明的另一个实施方式制作OLED单元的过程。
本发明的优选实施方式附图2显示了根据本发明一个实施方式的有机装置200。所述装置包括一具有活性区域285的基体201，所述活性区域上具有一个或多个活性组件。在一个实施方式中，所述活性组件包括有机材料。在一个实施方式中，所述活性组件包括一个或多个OLED单元，形成了OLED装置。采用具有有机材料的其它类型活性组件也可以用于形成其它类型的装置。
在一个实施方式中，所述基体包括透明基体，例如玻璃。也可以采用其它类型的透明材料用作基体，从而制成所述OLED单元。例如可以采用塑料薄膜作为基体。在构成弹性装置中塑料材料尤其有用。还可以采用非透明材料，例如硅，特别是在通过盖进行观察的应用中。
OLED单元包括位于第一和第二电极205和215之间的一个或多个有机层(有机叠层)210。优选地，所述有机层包括共轭聚合物。还可以采用其它类型的有机材料，例如低分子量材料、寡聚物、星爆式化合物或树枝状材料。所述材料包括三-(8-羟基喹啉)-铝盐(Alq)、聚(p-亚苯基次亚乙烯)(PPV)或聚芴(PF)。还可以采用其它类型的功能有机层，包括基于荧光或磷光的层。在一个实施方式中，所述有机叠层210中包括空穴传输层(HTL)。所述HTL，例如包括聚合物混合物，通常含有聚苯胺(Pani)或聚亚乙基二氧噻吩polythylenedioxythiophene(Pedot)。所述有机叠层的厚度通常为大约2-500nm。
第一电极205用作例如阳极，而第二电极用作阴极。至少一个电极包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)。根据需要，可以将阴极和阳极制成图案从而形成一个或多个OLED单元。例如，阴极和阳极分别在第一和第二方向形成条带，构成像素装置。也可以采用其它图案。通常，第一和第二方向相互垂直。
在环绕所述活性区域的盖结合区域，盖260结合于基体，从而封装所述OLED单元。所述盖形成腔室245，通过与盖的物理接触从而使单元免于损坏。
所述装置的活性区域可以包括，例如具有一定形状的柱状物(未示出)从而使装置层形成图案。所述包括切口的具有一定形状的柱状物用于形成顶部电极的图案。具有一定形状的柱状物的使用参见例如“结构电极的制作”(US2001/0017516A1)，以及“OLED装置中电极的图案结构”(PCT/SG00/00134)，上述申请在本发明中结合并参考。
所述基体包括位于活性区域285之外的导电内部连接205。所述内部连接包括例如金属。如前所述，所述金属内部连接可以对有机层的均匀性产生不良影响。有机材料的不均匀性可以从位于非活性区域以外的区域蔓延，在所述区域中，有机层与活性区域中的位于下面的金属层接触，从而对活性组件产生不良影响。
根据本发明的一个实施方式，均质层275位于活性区域之外的基体上。所述均质层覆盖位于基体非活性区域的金属内部连接。所述均质层包括一种材料，所述材料有助于构成活性组件的有机层的均匀性。通过覆盖金属内部连接，减少或防止了对有机层的不良影响。优选地，所述材料包括均原材料从而防止内部连接的短路。对于均匀层的材料用于导电的应用，应在保护层的下面提供一绝缘层。更优选地，构成所述均质层的材料与所述装置的制作工艺相适应。例如，所述材料应当非常容易地沉积在基体上或者非常容易地有选择地去除，从而根据需要暴露位于下面的内部连接。优选地，可以采用在制作装置中所采用的工艺沉积或轻易地去除所述材料，从而避免需要另外的工具或化学反应。在一个实施方式中，所述均质层包括光敏材料，例如光刻胶。也可以采用其它类型的光敏材料，例如聚酰亚胺。也可以采用非光敏材料，例如树脂或非光敏聚酰亚胺。还可以采用其它类型的对有机材料具有良好涂覆性能的材料。这些材料包括例如Novolak树脂、聚苯并恶唑、苝。
有利地是，所述均质层还可用作表面保护层。例如，需要除去位于活性区域外的有机层部分，例如盖结合区域内的有机层部分，从而促进盖和基体之间的粘附，或者暴露位于下面的结合片的金属内部连接。通常采用激光烧蚀去除所述有机层。但是，激光烧蚀过程会损害金属内部连接，使装置产生故障或者对其性能产生不良影响。通过在有机层下提供均质层，在激光烧蚀过程中可使所述金属内部连接免受损害。均质层的厚度应足以减少或消除金属内部连接对有机层均匀性的不良影响。此外，所述均质层应足够厚从而在选择性去除聚合物材料的过程中使下层免受损坏。通常厚度为大约0.5-2μm。也可以采用其它厚度。
附图3显示了本发明另一实施方式的电发光装置200。所述装置包括具有活性区域的基体201，在所述活性区域内形成有一个或多个OLED单元。在一个实施方式中，所述基体包括与附图2所示电发光装置的基体相同的材料。
附图3所示的OLED单元还可包括与附图2的装置相同的功能叠层，包括夹在第一和第二电极205和215之间的一个或多个有机层210(聚合物叠层)。
根据需要，按照上述附图2中装置的相同方式对阴极和阳极的图案进行加工，形成一个或多个OLED单元。结合片250与阴极和阳极电连接。
盖260结合于基体上的盖结合区域，所述盖结合区域环绕所述活性区域，从而封装OLED单元。盖形成腔室245，通过与盖的物理连接使得单元免受损坏。在一个实施方式中，所述盖包括其上具有密封缘或垫圈的盖基体。所述盖基体可以由例如玻璃形成。也可以采用其它可以用作盖基体的材料，例如金属或陶瓷。所述密封缘可以由例如光刻胶构成。也可以采用其它类型的材料，例如硅酸盐玻璃、二氧化硅或陶瓷。使用粘结剂将盖粘结于基体上。所述粘结剂例如包括基于环氧基、硅、尿烷、丙烯酸盐的树脂或烯类化学物质。所述树脂可以是UV或热塑树脂。也可以采用由环氧粘结剂形成的密封缘。此外，所述盖是预形成的盖，包括例如，压制金属或刻花玻璃。
所述装置的活性区域可以包括例如具有一定形状的柱状物。所述具有一定形状的包括切口的柱状物用于构成顶部电极的图案。采用具有一定形状的柱状物的例子参见例如“结构电极的制作”(US2001/0017516A1)，以及“OLED装置中电极的图案结构”(PCT/SG00/00134)，上述申请在本发明中结合并参考。另外或除了具有一定形状的柱状物之外，基体上可以具有间隔颗粒。所述间隔颗粒用于支撑盖，防止盖与OLED单元接触。采用间隔颗粒的例子参见，例如“电子装置的封装”(USSN09/989362)；“有机LED装置的改进封装”(PCT/SG99/00145)；“具有改进封装的有机LED装置”(PCT/SG99/00143)；以及“有机LED装置的改进封装”(PCT/SG99/00145)，上述文献在本文中结合并参考。
根据本发明的一个实施方式，基体的盖结合区域具有表面保护层275。所述盖与所述表面保护层接触。在除去聚合物材料的过程中，位于表面保护层下面的各层，例如电极之间的金属内部连接和/或例如ITO的电极免受损坏。由于表面保护层作为封装的一部分，其应具有足够的机械稳定性、良好的粘结性能以及低渗透率，从而保证盖和基体之间的良好密封。如果表面保护层直接位于金属内部连接的上面，其应由绝缘材料构成。优选地，所述表面保护层由与OLED制作工艺相适应的材料构成。通常，表面保护层的厚度为大约0.5-50μm。也可以采用其它厚度。在一个实施方式中，表面保护层包括光刻胶。也可以采用其它类型的光敏材料，例如聚酰亚胺。还可以采用非光敏材料，例如树脂或非光敏聚酰亚胺。
附图4-9显示了根据本发明的一个实施方式制作OLED装置的过程。参照附图4，具有一基体301。在一个实施方式中，所述基体包括透明基体，例如碱石灰或硼硅酸盐玻璃。也可以采用其它类型的透明材料作为基体。所述基体通常具有大约0.4-1.1mm的厚度。
在另一实施方式中，所述基体包括薄的弹性基体。薄的弹性基体由例如塑料薄膜所形成，例如透明聚(对苯二甲酸亚乙酯)(PET)、聚(对苯二甲酸丁烯)(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚砜(PSO)、以及对聚苯醚砜(PES)。也可以采用其它材料形成基体，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。另外，还可以使用例如超薄玻璃(例如，厚度为10-100um)、包括玻璃和聚合物或涂覆有无机阻隔层的聚合物薄膜的复合层等材料。
所述基体包括第一电极305，第一电极至少位于活性区域上。第一电极作为例如阳极。可以通过例如在基体上沉积导电层以及形成图案从而制成阳极。可以采用各种技术，例如光蚀刻，用于使导电层形成图案。在一个实施方式中，阳极在第一方向上排列成条状。也可以采用其它图案的阳极。在一个实施方式中，所述导电材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)。也可以采用其它透明导电材料，例如铟锌氧化物、锌氧化物、锡氧化物。
基体的活性区域之外具有内部连接375。所述内部连接与例如电极耦合。在一个实施方式中，导电层沉积在基体上，而且形成图案构成电连接375和结合片。所述导电层包括例如金属，例如Al，Ag，Au或Cr。可以采用常规的掩蔽和蚀刻技术使导电层形成图案。
参照附图5，装置层430沉积在基体上。在一个实施方式中，所述装置层包括光刻胶。可以采用各种类型的光刻胶，例如正性或负性作用胶。也可以采用其它类型的光敏材料或非光敏材料，从而促进活性聚合物层的均一性。如果所述装置层包括导电材料，如果需要，可在装置层下提供一绝缘层从而防止内部连接之间的短路。
参照附图6，所述装置层形成图案从而在活性区域之外的区域形成均质层575。如果采用光敏装置层，根据采用的是正性光敏材料还是负性光敏材料，选择性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，从而使光敏装置层形成图案。另一方面，可以采用常规的掩蔽和蚀刻技术使非光敏装置层形成图案。
参照附图7，所述过程进一步完成了OLED装置的制作。可以采用各种常规的技术以完成所述OLED装置。在一个实施方式中，在基体上形成具有一定形状的柱状物685。所述具有一定形状的柱状物685包括一切口，例如V形轮廓，从而在导电层沉积形成电极过程中有效中断所述导电层。优选地，所述柱状物由单层材料构成。在一个实施方式中，所述具有一定形状的柱状物由包括负性光刻胶的单层构成。也可以采用其它类型的光敏材料。也可以采用非光敏材料以形成具有一定形状的柱状物。另外，所述具有一定形状的柱状物由多层构成从而具有t形轮廓。所述多层可以由光敏和/或非光敏材料构成。
所述柱状物形成之后，将功能有机层610沉积在基体上。在一个实施方式中，所述功能有机层包括共轭聚合物。也可以采用其它类型的有机材料。通过例如旋涂沉积所述聚合物。也可以采用其它的沉积技术。可以沉积另外的功能层从而形成功能有机叠层。可以沉积不同类型的聚合物从而形成具有多种颜色的OLED装置。位于活性区域之外的金属层下面的均质层确保了聚合物层具有良好的均匀沉积。从而消除了活性区域之外的不均匀性，在所述活性区域之外，金属从波纹处延伸进入活性区。
参照附图8，第二导电层715沉积于基体上。所述导电层包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它们的混合物或合金。也可以采用其它的导电材料形成第二导电层，特别是包括低功函的材料。此外，所述第二导电层包括离子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一个实施方式中，所述第二导电层包括Ca。通过例如速率为1nm/s、压力为大约10-5mbar的热蒸发沉积所述Ca层。另外，第二导电层包括复合层或多个导电层构成的叠层。例如，所述叠层包括第一Ca层以及第二导电Ag或Al层。可以采用各种沉积技术形成第二导电层，例如热蒸发、溅射(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)。优选地，采用遮光板将第二导电层沉积于所述装置的活性区585内。柱状物中断了所述第二导电层的沉积，从而形成第二电极或阴极。阴极和阳极的相交形成了OLED装置。
如附图8所示，去除位于活性区域外的有机层部分。可以通过例如激光烧蚀进行蚀刻。在一个实施方式中，在形成第二电极之前去除有机材料。也可以在形成第二电极之后使有机层形成图案。为了确保所述有机材料被完全去除，进行过蚀刻。所述过蚀刻还可以部分地去除作为表面保护层的均质层。然而，激光烧蚀没有对金属内部连接造成损坏，这是因为所述金属内部连接受到了表面保护层的保护。
如附图9所示，在基体的盖结合区域安装盖860从而完成了所述OLED装置。在封装所述OLED装置后，通过例如常规的掩蔽和湿法或干法蚀刻技术，可以部分地除去位于活性区域之外的均质层从而将内部连接暴露于电极。也可以采用其它技术例如激光烧蚀去除所述均质层。可以在例如0.3J/cm2的能量密度以及波长248nm下进行上述工作。
在优选实施方式中，作为制作OLED装置的现有工艺的一部分，形成所述均质层。例如，在形成结合片和内部连接之后，所述均质层的一部分可以留在所述基体上从而形成表面保护层。
附图10-14显示了根据本发明的一个实施方式制作OLED装置的过程。参照附图10，提供一基体301。在一个实施方式中，所述基体包括透明基体，例如碱石灰或硼硅酸盐玻璃。也可以采用附图4中所述的其它类型的透明材料。
所述基体包括形成在基体表面上的第一电极305。第一电极作为例如阳极。通过在基体上沉积导电层并形成图案从而形成阳极。可以采用各种技术例如光蚀刻使导电层形成图案。在一个实施方式中，阳极在第一方向上排列成条状。也可以采用具有其它图案的阳极。在一个实施方式中，导电材料包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)。也可以采用其它透明导电材料，例如铟锌氧化物、锌氧化物、锡氧化物。
基体上还可以包括结合片和其它内部连接。通过沉积导电层并形成图案形成结合片和内部连接。所述导电层包括例如金属，例如Al，Ag，Au或Cr。可以采用常规的掩蔽和蚀刻技术使导电层形成图案。
装置层372沉积在基体上。在一个实施方式中，所述表面保护层包括光刻胶。可以采用各种类型的光刻胶，例如正性或负性作用胶，也可以采用其它类型的光敏材料或非光敏材料。然后使所述装置层形成图案从而在基体的盖结合区域形成表面保护层475，如附图11所示。如果采用光敏装置层，根据采用的是正性光敏材料还是负性光敏材料，选择性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，从而使光敏装置层形成图案。另一方面，可以采用常规的掩蔽和蚀刻技术使非光敏装置层形成图案。
参照附图12，所述过程进一步完成了OLED装置的制作。可以采用各种常规技术以完成所述OLED装置。在一个实施方式中，在基体上形成具有一定形状的柱状物584。所述具有一定形状的柱状物包括一切口，例如V形轮廓，从而在导电层沉积形成电极过程中有效中断所述导电层。优选地，所述柱状物由单层材料构成。在一个实施方式中，所述具有一定形状的柱状物由包括负性光刻胶的单层构成。也可以采用其它类型的光敏材料。也可以采用非光敏材料以形成具有一定形状的柱状物。另外，所述具有一定形状的柱状物由多层构成从而具有t形轮廓。所述多层可以由光敏和/或非光敏材料构成。
所述柱状物形成之后，将功能性有机层510沉积在基体上。在一个实施方式中，所述功能性有机层包括共轭聚合物。也可以采用其它类型的有机材料。通过例如旋涂沉积所述聚合物。也可以采用其它的沉积技术。可以沉积另外的功能层从而形成功能性有机叠层。可以沉积不同类型的聚合物从而形成具有多种颜色的OLED装置。
参照附图13，第二导电层615沉积于基体上。所述导电层包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它们的混合物或合金。也可以采用其它的导电材料形成第二导电层，特别是包括低功函的材料。此外，所述第二导电层包括离子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一个实施方式中，所述第二导电层包括Ca。通过例如速率为1nm/s、压力为大约10-5mbar的热蒸发沉积所述Ca层。另外，第二导电层包括与附图8所述相同的复合层或多个导电层构成的叠层。可以按照与附图8所述相同的方式将上述排列的层沉积于基体上。
通过例如激光烧蚀将盖结合区域的聚合物层除去或进行蚀刻。在一个实施方式中，在形成第二电极之前去除有机材料。也可以在形成第二电极之后使有机层形成图案。为了确保所述有机材料被完全去除，进行过蚀刻。所述过蚀刻可以部分地去除表面保护层。然而，激光烧蚀没有对金属内部连接造成损坏，这是因为所述金属内部连接受到了表面保护层的保护。
如附图14所示，在基体的盖结合区域安装盖760从而完成所述OLED装置。所述表面保护层和盖密封缘构成了盖和基体之间的界面。可以采用粘合树脂将盖粘结于基体上。在一个实施方式中，所述粘合剂在基体和盖之间显示了良好的粘结和阻隔性能，从而密封OLED单元。可以采用各种类型的树脂，例如基于环氧基、硅、尿烷、丙烯酸的树脂或烯烃类物质。所述树脂可以是UV或热塑性树脂。通过采用保护层，在设计具有所需性能的密封系统方面具有灵活性(例如，粘合剂、盖材料以及保护层材料)。
在封装所述OLED装置后，通过例如湿法蚀刻可以部分地除去位于活性区域之外的聚合物材料从而暴露所述结合片。由于装置的活性区域是密封的，所述化学物质不会对OLED单元产生不良影响。
在优选实施方式中，作为制作OLED装置的现有工艺的一部分，形成表面保护层。例如，在形成结合片和内部连接之后，所述抗蚀层的一部分可以留在所述基体上从而形成表面保护层。另外，有利地是，可以将用于形成具有一定形状的柱状物的装置层形成图案，从而包括表面保护层。
本发明的保护范围并不限于上述给出的例子。本发明体现于每个新的特性以及每个特性的结合，其中包括权利要求中所述任意特征的每个结合，即使所述特征的结合在权利要求中并没有清楚地描述。
权利要求
1.一种装置，包括具有活性区域的基体；环绕所述活性区域的盖结合区域；位于金属喷镀层上面的均质层，所述均质层有助于基体上一个或多个有机层的涂覆均匀性，从而减少或防止了金属的不良影响；以及在盖结合区域结合于基体上的盖。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述均质层包括非导电材料。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述均质层包括有助于有机层的均匀性的材料。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述均质层包括光敏材料。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述光敏材料包括光刻胶或聚酰亚胺。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述均质层包括非光敏材料。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述非光敏材料包括聚酰亚胺。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述均质层还可用作表面保护层。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述表面保护层允许从OLED单元中除去聚合物材料，而不损坏装置层或位于保护层下面的各层。
10.如权利要求9所述的装置，其中采用粘合剂将盖结合于基体上。
11.如权利要求10所述的装置，其中盖、保护层以及粘合剂形成密封系统。
12.如权利要求11所述的装置，其中选择所述密封系统的材料从而提供所需的密封特性。
13.如权利要求10所述的装置，其中粘合剂包括树脂。
14.一种电发光装置，包括具有活性区域的基体，所述活性区域具有至少一个OLED单元；环绕所述活性区域的盖结合区域；位于盖结合区域的保护层，所述保护层允许从OLED单元中除去聚合物材料，而不损坏装置层或位于保护层下的各层；以及在盖结合区域结合于基体上的盖。
全文摘要
公开了一种均匀沉积有机层的方法。由于有机层非常薄，对目标厚度的任何偏差都将导致可以看出的光缺陷。在有机层的下面提供对有机材料显示良好涂覆性能的均质层(275)。通过覆盖金属内部连接(205)，减少或防止了对聚合物层均匀性的不良影响。
文档编号H05B33/04GK1653626SQ03810390
公开日2005年8月10日 申请日期2003年4月30日 优先权日2002年5月7日
发明者S·C·聪, E·K·M·京特尔, D·拉西, H·B·林, H·克劳斯曼, C·K·谭 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司