一种氮化硅电热元件的制作方法

文档序号:8126578阅读:292来源:国知局
专利名称:一种氮化硅电热元件的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种电加热技术领域中的氮化硅电热元件。
技术背景氮化硅电热元件由于热效率高,电气安全性好,升温速度快,耐高温耐腐 蚀,寿命长,因此得到了十分广泛的运用。传统的氮化硅电热元件中的氮化硅 基体通常体积较大,导致了原材料用量大,生产成本高;且氮化硅基体各顶角 经过倒角后对氮化硅基体形成了浪费,也影响了发热量。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种氮化硅电热元件,可以有效 解决现有氮化硅基体通常体积较大,使得原材料用量大,生产成本高的问题。为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案 一种氮化硅电热 元件,其特征在于包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端,氮化硅基体 内设有发热源,发热源连接电源引脚,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体 的总长L为90腿,氮化硅基体的宽度W为15mm,氮化硅基体的高度H为3. 5 4腿。进一步的,氮化硅基体的高度H为3.6mm。 进一步的,氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本实用新型由于采用了上述技术方案,氮化硅电热元件体积小,从根本上 减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角的原 材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安 装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件寿命 长。白钨丝作为发热源通电后发热,将电能转变成热能,氮化硅基体既是绝缘 体又是传热介质,可直接与水或其它被加热液体接触,热效率高,安全节能。


以下结合附图对本实用新型作进一步说明图1为本实用新型一种氮化硅电热元件的结构示意图;图2为图1中的仰视图;图3为本实用新型一种氮化硅电热元件的立体示意图。
具体实施方式
如图1至图3所示,为本实用新型一种氮化硅电热元件的实施例,包括氮 化硅基体1的热端11和氮化硅基体1的冷端12,氮化硅基体1内设有发热源, 发热源连接电源引脚2,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体的总长L为90mm, 氮化硅基体的宽度W为15,,氮化硅基体的高度H为3. 5 4匪,优选的氮化硅 基体的高度采用3.6mm,氮化硅基体内发热源采用白钨丝,氮化硅基体1的热端 ll用于产生热量,冷端12用于安装。本实用新型氮化硅电热元件体积小,从根 本上减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角 的原材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件 寿命长。白钨丝作为发热源通电后发热,将电能转变成热能,氮化硅基体既是 绝缘体又是传热介质,可直接与水或其它被加热液体接触,热效率高,安全节能。本实用新型可以制成500W 3500W各种规格的产品。
权利要求1、一种氮化硅电热元件,其特征在于包括氮化硅基体(1)的热端(11)和氮化硅基体(1)的冷端(12),所述氮化硅基体(1)内设有发热源,发热源连接电源引脚(2),氮化硅电热元件呈扁平状,所述氮化硅基体(1)的总长L为90mm,所述氮化硅基体(1)的宽度W为15mm,所述氮化硅基体(1)的高度H为3.5~4mm。
2、 根据权利要求l所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述氮化硅基体(l)的高度H为3. 6mm。
3、 根据权利要求l所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述氮化硅基体(l) 内的发热源采用白钨丝。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化硅电热元件,包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端,氮化硅基体内设有发热源,发热源连接电源引脚,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体的总长L为90mm,氮化硅基体的宽度W为15mm,氮化硅基体的高度H为3.5~4mm,氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本实用新型氮化硅电热元件体积小,从根本上减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角的原材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件寿命长。
文档编号H05B3/14GK201174786SQ20082008524
公开日2008年12月31日 申请日期2008年3月28日 优先权日2008年3月28日
发明者周祥林, 赵志伟 申请人:周祥林
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