专利名称：埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，尤其是在层板之间 压合之前不进行镭射铜窗，而在层板压合之后直接执行镭射钻孔来形成导通孔，因此可在 不改善层间偏移量的情况下避免线路短路的风险。
背景技术：
现有的印刷电路板为了增加可以布线的面积，所以大多为多层板，再藉由通孔、盲 孔或埋孔来连接层板与层板之间的线路，但由于多层板为一层一层压合上去的，故层板与 层板之间存在着对位偏差的问题。参阅图1，为现有层间导通结构示意图，如图1所示，在第一层板1上形成第一线路 7及靶点5，并于第二层板3上形成第二线路11并进行镭射铜窗制作形成铜窗图案9，再将 第二层板3与第一层板1压合，并藉镭射钻孔由第二层板3的铜窗贯穿第一线路7的终止 垫(stop pad)上的第二层板3，形成导通孔14于第一线路7的终止垫上。然而现有技术中由于在层板压合前已开完铜窗，因此若因为压合后的层间对位偏 差而导致铜窗与终止垫(Stop pad)对位不良时，则会使导通孔的一部分直接贯穿整个第二 层板(如图中A区域所示)，因而有线路短路的风险。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法。本发明所述埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，是将具有第一线路及靶 点的第一层板与具有第二线路的第二层板压合，然后读取靶点并借着镭射钻孔贯穿第一线 路的终止垫上的第二层板，用以在终止垫上形成一导通孔，接着在部分第二层板及部分第 二线路上形成一光阻层，然后于导通孔及未被光阻层覆盖的第二层板上电镀一导电层，最 后剥除该光阻层。本发明所述的埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，不在第一层板和第二 层板压合前进行镭射铜窗，而在层板压合后直接做镭射钻孔制程，因此，尽管层板之间在压 合时会有层间偏差，但由于没有进行镭射铜窗，所以可以避免先做镭射铜窗再进行镭射钻 孔时，因外层导通孔对位不良而导致线路短路的风险，故本发明可以在不改善层间偏移量 的情况下提高产品制作能力。
图1为现有技术中的层间导通结构的示意图。图2至图6为本发明的埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法的施行步骤示 意图及俯视图。
具体实施例方式以下配合说明书附图对本发明的实施方式做更详细的说明，以使本领域技术人员 在研读本说明书后能据以实施。参阅图2至图6，本发明所述埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法的施行 步骤示意图及俯视图。首先，在第一层板1上形成第一线路7及至少一个靶点5，并于第二 层板3上形成第二线路11，再将第二层板3与第一层板1压合，该第二层板3覆盖第一线路 7及靶点5，如图2所示。然后，如图3所示，读取靶点5做对位并藉一钻孔方法贯穿第一线路7的终止垫 (stop pad)上的第二层板3，用以形成一导通孔13于终止垫上，其中该钻孔方法为镭射钻 孔，是利用光罩(mask)来定义光束大小(beamsize)及该导通孔13的孔径，并读取靶点5 做对位来进行钻孔。接着，覆盖一光阻层15于部分第二层板3及部分第二线路11上，如图4所示。然 后，于导通孔13内及未被光阻层15所覆盖的第二层板3上电镀一导电层17，用以让第一线 路7及第二线路11相连接，如图5所示。最后，剥除该光阻层15，如图6所示。要注意的是，导通孔13可为盲孔或埋孔，导电层17可为金属层，光阻层15可为干 膜光阻或湿膜光阻，以及该镭射钻孔方法可为紫外线-钇铝石榴石(UV-YAG)镭射及紫外 线-准分子(UV-Excimer)镭射的其中之一。上述步骤是直接在未经过镭射铜窗的第二层板上做镭射钻孔，在做镭射钻孔时是 直接读取靶点来对位并钻孔，因此尽管层板之间在压合时会有层间偏差，但不会有因铜窗 与终止垫对位不良而产生导通孔直接贯穿整个第二层板的问题，故在不改善层间偏移量的 情况下，可避免线路因导通孔与终止垫对位不良所导致的短路风险，进而提高产品制作能 力。以上所述仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式 上的限制，因此，凡有在相同的创作精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括 在本发明意图保护的范畴。
权利要求
1.一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，其特征在于，步骤包括 在一第一层板上形成一第一线路及至少一个靶点；于一第二层板上形成一第二线路；将该第二层板与该第一层板压合，该第二层板覆盖该第一线路及该至少一个靶点； 读取该至少一个靶点做对位；藉一钻孔方法贯穿该第一线路的终止垫上的第二层板，用以形成一导通孔于该终止垫上；覆盖一光阻层于部分该第二层板及部分该第二线路上；于该导通孔内及未被该光阻层所覆盖的第二层板上电镀一导电层，用以让该第一线路 及该第二线路相连接；以及 剥除该光阻层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该钻孔方法为一镭射钻孔，是利用一光 罩来定义光束大小及该导通孔的孔径。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，该镭射钻孔的方法为紫外线-钇铝石榴 石镭射及紫外线-准分子镭射的其中之一。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该导通孔为盲孔或埋孔。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该光阻层为干膜光阻或湿膜光阻。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该导电层为一金属层。
全文摘要
本发明公开了一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，其主要是在层板之间压合之前不进行镭射铜窗，而在层板压合后直接执行镭射钻孔制程来形成导通孔，如此一来，尽管层板之间压合时有层间偏差，但由于没有进行镭射铜窗，所以可以避免先做镭射铜窗再进行镭射钻孔时，因外层导通孔对位不良而导致线路短路的风险，故可以在不改善层间偏移量的情况下提高产品制作能力。
文档编号H05K3/42GK102123565SQ20101000051
公开日2011年7月13日 申请日期2010年1月11日 优先权日2010年1月11日
发明者吕育德, 张谦为, 林定皓 申请人:苏州统硕科技有限公司