专利名称：柔性透明电磁屏蔽膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种柔性透明电磁屏蔽膜，具体是指在透明的柔性基 底上(例如PET聚酯膜)，连续沉积Nb205/Ag/ZA0/Nb205多层透明导电膜，形成高性能的电磁 屏蔽膜。
背景技术：
柔性透明电磁屏蔽膜广泛应用于IXD (液晶显示)，PDP (等离子显示)， 电子仪器窗口及计算机房的信息防泄漏和干扰等。现有技术中，柔性透明电磁屏蔽膜包括有以下几种，分别存在不足之处一、柔性 透明导电ITO膜，其价格昂贵，且屏蔽效果欠佳而应用上受到很大限制；二、IT0/Ag/IT0多 层透明导电膜系，该导电膜尽管解决了屏蔽效果，但成本更高；三、Ti02/NiCr/Ag/NiCr/Ti02 多层膜系，存在TiO2膜沉积速度慢，NiCr过渡层影响透光率等缺陷。发明内容本实用新型所解决的技术问题是为避免现有技术的不足之处提出一 种成本低、屏蔽效果好的柔性透明电磁屏蔽膜。解决上述技术问题采用的技术方案如下本实用新型柔性透明电磁屏蔽膜，包括 PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括用卷绕镀膜方法，在所述PET基底层上依次 连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导 电层，ZAO层作为过渡介质层。所述电磁屏蔽层包括10-13层，其中Ag层不少于三层，底层和外层均是Nb2O5层。所述Nb2O5底层和外层的厚度为28-35nm，Nb2O5中间层厚度为56-70nm，Ag层厚度 为 10-18nm，ZAO 层厚度为 3_5nm。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果降低了成本，提高了电磁屏蔽效
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图1是所述Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明电磁屏蔽膜的3Ag多层膜系结构剖面图；图2是所述Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明电磁屏蔽膜的4Ag多层膜系结构剖面图。
具体实施方式
如图1所示，柔性透明电磁屏蔽膜是在透明的柔性基底PET膜1上，采用卷绕镀膜 方法，连续磁控溅射沉积Nb205/Ag/ZA0/Nb205多层膜，形成10-13层高性能的柔性透明电磁 屏蔽膜。其中，Ag层3不少于3层。所述Nb2O5层2作为底层-中间层-外层的介质层，ZAO 膜是作为Ag层3之前的过渡层介质膜，Ag层3是作为导电层。所述PET膜1是透光良好 的光学级聚酯薄膜，其厚度根据需要选择50-125 μ m。Nb2O5层2是高折射率介质，是光学匹 配层，底层2和表层11厚度为28-35nm，而中间层厚度为56-70nm。Nb2O5层2是采用中频磁 控溅射沉积的，其溅射速率较高。Ag层3主要起导电作用，电磁屏蔽效果由它决定，膜越厚， 污染越少，导电性越好，电磁屏蔽效果也越好；但膜太厚了透光率下降，反射增大，一般根据 需要兼顾光电性能控制在10-18nm。ZAO层4是过渡层也是高折射率层，其作用是对Ag层 3沉积过程其保护作用，避免氧气氛对Ag层3的污染，以形成良好的金属_介质界面，提高光学匹配和电磁屏蔽效果，厚度为3-5nm。Ag层3和ZAO层4均采用直流磁控溅射沉积。 图2是Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明电磁屏蔽膜的4层Ag膜系结构。与图1所述实施 例的3层Ag膜系结构不同之处在于在3Ag膜系基础上增加了三层，即增加了 Ag/ZA0/Nb205 三层膜。在所述4层A膜系结构中，相应各层膜的厚度要求和制备方法都与图1所述实施 例的3层Ag膜系结构相同。
权利要求一种柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于包括PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导电层，ZAO层作为过渡介质层。
2.如权利要求1所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于所述电磁屏蔽层包括10-13 层，其中Ag层不少于三层，底层和外层均是Nb2O5层。
3.如权利要求2所述的柔性透明电磁屏蔽膜，其特征在于所述Nb2O5底层和外层的厚 度为28-35nm，Nb2O5中间层厚度为56_70nm，Ag层厚度为10_18nm，ZAO层厚度为3_5nm。
专利摘要本实用新型涉及一种柔性透明电磁屏蔽膜，包括PET基底层和电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括用卷绕镀膜方法，在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层，Nb2O5层作为介质层，Ag层作为导电层，ZAO层作为过渡介质层。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果降低了成本，提高了电磁屏蔽效果。
文档编号H05K9/00GK201718163SQ201020218350
公开日2011年1月19日 申请日期2010年6月4日 优先权日2010年6月4日
发明者曾鸿斌 申请人:深圳市海森应用材料有限公司