一种纳米级金属电磁屏蔽膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种纳米级金属电磁屏蔽膜，属于电磁膜制造领域。其包括载体层(1)、第一屏蔽层(2)和绝缘层(3)三层结构，所述的第一屏蔽层为导电油墨层或磁控溅射镀层；所述载体层、第一屏蔽层和绝缘层由下至上依次叠设，所述载体层表面覆设第一屏蔽层，所述第一屏蔽层表面覆设绝缘层。本实用新型提供了纳米级金属电磁屏蔽膜，采用印刷加工或磁控溅射方式，结构加工方便，可以满足现有大多数电子设备产品越来越轻薄化，电子元器件堆积越来越多，窄小的空间里出现电磁干扰状况越来越多的要求，而且本产品屏蔽效果好，成本低廉，效果明显。
【专利说明】一种纳米级金属电磁屏蔽膜
【技术领域】
:
[0001]本发明涉及一种电磁膜，具体涉及到一种纳米级金属电磁屏蔽膜。
【背景技术】
:
[0002]现有的屏蔽材料为铜铝箔胶带，因其价格低廉，取材容易，屏蔽效果佳一直是各家电子厂的首选材料，但是只具有单一的层状结构，存在加工难，不易弯折，使用位置会有所限制。而且单一的层状结构无法满足设计者一些个性化的需求，为设计出符合使用者的要求的屏蔽材料，生产企业会添加其余辅料，这无形中将提高了生产的成本。且铜铝基材由于其金属性，在狭小空间内易对其他电子元器件产生二次干扰，从而使得方案无法实行，另外铝铜都具有期货性，价格受市场影响较大，从而使其成品价格不稳定，风险较大。
【发明内容】
:
[0003]1.实用新型所解决的技术问题
[0004]针对现有原始的电磁屏蔽膜存在复合工艺难、易起泡皱褶，影响功能使用、模切加工难、成本高以及原材料价格易波动等的问题，本发明提供了一种纳米级金属电磁屏蔽膜，采用印刷加工或磁控溅射的方式，加工方便，可以满足现有大多数电子设备产品越来越轻薄化，电子元器件堆积越来越多，窄小的空间里出现电磁干扰状况越来越多的要求，而且本产品屏蔽效果好，成本低廉，效果明显。
[0005]2.技术方案
[0006]—种纳米级金属电磁屏蔽膜，包括载体层、第一屏蔽层和绝缘层三层结构，所述的第一屏蔽层为导电油墨层或磁控溅射镀层；所述载体层、第一屏蔽层和绝缘层由下至上依次叠设，所述载体层表面覆设第一屏蔽层，所述第一屏蔽层表面覆设绝缘层。
[0007]所述绝缘层为固化的环氧树脂层。
[0008]所述的载体层为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜。
[0009]所述的导电油墨层，实质由导电粉末表面涂覆油墨构成；所述的导电粉末为银包铜、镍或银金属粉末中的一种。
[0010]所述的磁控溅射镀层，实质由多种金属靶电镀构成，所述的金属靶为银靶、镍靶、铜靶中的一种。
[0011〕 进一步地，纳米级金属电磁屏蔽膜，还包括第二屏蔽层，所述第二屏蔽层覆设在载体层下表面。
[0012]进一步地，所述的屏蔽层的保护膜为乳白聚对苯二甲酸乙二醇酯离型膜，厚度为20-65微米。
[0013]进一步地，所述载体层的厚度为42-46微米，绝缘层厚度8-12微米，若屏蔽层为导电油墨层，第一屏蔽层和第二屏蔽层，厚度分别为20-26微米，若屏蔽层为磁控溅射镀层，第一屏蔽层和第二屏蔽层，厚度分别为0.3-0.8微米。
[0014]3.有益效果
[0015]本发明采用软性的聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜为载体层，其具有良好的力学性能，耐折性好，加工性佳、耐稀酸、稀碱，良好的绝缘性能，优良的耐高、低温性，在其进行表面处理后，印刷导电油墨或采用磁控溅射的方式电镀，使其具有一面或两面具有导电屏蔽效用。亦可通过处理后贴附的方式使其具有不同的层状结构，以满足客户的个性化需求。
[0016]纳米级金属电磁膜采用印刷、磁控溅射电镀附合的方式，根据客户要求，做成客户最终理想产品，加工性佳，客户直接可冲型使用，省时省力。耐折性好，使用范围相对广泛。从而使其具有不同的屏蔽效能和价格成本，可以在满足客户的应用需求前提下最大程度的控制成本，相较传统的屏蔽材料铜铝箔胶带具有更大的灵活性。
【专利附图】
【附图说明】
:
[0017]图1为实施例1中纳米级金属电磁屏蔽膜结构示意图；
[0018]图2为实施例2中纳米级金属电磁屏蔽膜结构示意图。
[0019]图3为实施例4中纳米级金属电磁屏蔽膜结构示意图。
[0020]图4为实施例5中纳米级金属电磁屏蔽膜结构示意图。
[0021]图5为实施例6中纳米级金属电磁屏蔽膜结构示意图。
[0022]图中:1_载体层；2_第一屏蔽层；3_绝缘层；4_保护膜；5_第二屏蔽层；6_第一胶粘层；7-第二胶粘层。
【具体实施方式】
:
[0023]实施例1
[0024]如图1所示，一种纳米级金属电磁屏蔽膜，其包括载体层1、第一屏蔽层2和绝缘层3三层结构，其中，载体层I为聚碳酸酯薄膜，厚度为42微米；第一屏蔽层2为导电油墨层，实质由银金属导电粉末表面涂覆油墨构成，绝缘层厚度8微米；绝缘层3为固化的环氧树脂层，厚度为20微米；载体层1、第一屏蔽层2和绝缘层3由下至上依次叠设，载体层I表面覆设第一屏蔽层2，第一屏蔽层2表面覆设绝缘层3。
[0025]将实施例1中的纳米级金属电磁屏蔽膜，在一定测试条件下进行测试，其测试结果为:耐药品性合格(测试条件:2mol/L HCl浸泡1min)，电磁波屏蔽性为衰减强度20-40% (测试条件:频率范围:10 - 1000Hz)，表面电阻0.2-0.5欧姆(测试条件:直线距离15mm测试)，贮存性在室温10-25摄氏度下，小于等于60天，贮存性在冷藏2_10摄氏度下，小于等于180天。
[0026]实施例2
[0027]如图2所示，一种纳米级金属电磁屏蔽膜，其包括载体层1、第一屏蔽层2、绝缘层3和保护膜4四层结构；其中，载体层I为聚对苯二甲酸乙二醇酯，厚度为46微米；第一屏蔽层2为导电油墨层，实质由镍金属导电粉末表面涂覆油墨构成，绝缘层3厚度12微米；绝缘层3为固化的环氧树脂层，厚度为22微米；屏蔽层保护膜4为乳白聚对苯二甲酸乙二醇酯离型膜，厚度为65微米；载体层1、第一屏蔽层2、绝缘层3和屏蔽层的保护膜4由下至上依次叠设，载体层I表面覆设第一屏蔽层2，第一屏蔽层2表面覆设绝缘层3，绝缘层3表面涂覆保护膜4。
[0028]将实施例2中的纳米级金属电磁屏蔽膜，其测试结果为:耐药品性合格(测试条件:2mol/L HCl浸泡1min)，电磁波屏蔽性为衰减强度20-40% (测试条件:频率范围:10 - 1000Hz)，表面电阻0.2-0.5欧姆(测试条件:直线距离15mm测试)，贮存性在室温10-25摄氏度下，小于等于60天，贮存性在冷藏2-10摄氏度下，小于等于180天。
[0029]实施例3
[0030]如图2所示，结构材料同实施例2，不同在于所述的导电粉末为银金属粉末；所述载体层的厚度为44微米，绝缘层厚度10微米，屏蔽层厚度为26微米。测试结果同实施例2。
[0031]实施例4
[0032]如图3所示，结构材料同实施例1，不同在于还包括第二屏蔽层5，所述第二屏蔽层5覆设在载体层I下表面；所述载体层的厚度为44微米，绝缘层厚度10微米，第一屏蔽层厚度和第二屏蔽层厚度相同，为26微米。测试结果同实施例2。
[0033]实施例5
[0034]如图4所示，结构材料同实施例1，不同在于包括第一胶粘层6，所述第一胶粘层6覆设在载体层I下表面；所述载体层I的厚度为44微米，绝缘层3厚度10微米，第一屏蔽层2厚度为26微米。测试结果同实施例2。
[0035]实施例6
[0036]如图5所示，结构材料同实施例5，不同在于还包括第二胶粘层7，所述第二胶粘层7贴附在绝缘层3上表面；所述第一胶粘层6和第二胶粘层7为透明的压敏胶层或导电胶层，厚度为5-50微米；所述载体层I的厚度为44微米，绝缘层3厚度10微米，第一屏蔽层2厚度为26微米。测试结果同实施例2。
[0037]实施例7
[0038]结构材料同实施例5，不同在于所述的导电粉末为银包铜金属粉末。测试结果同实施例2。
[0039]实施例8
[0040]结构同实施例1，不同在于，第一屏蔽层2为磁控溅射镀层，实质由银靶通过磁控溅射的方式电镀构成，第一屏蔽层2厚度分别为0.3微米。
[0041]将实施例8中的纳米级金属电磁屏蔽膜，在一定测试条件下进行测试，其测试结果为:耐药品性合格(测试条件:2mol/L HCl浸泡1min)，电磁波屏蔽性为衰减强度20-40% (测试条件:频率范围:10 - 1000Hz)，表面电阻0.2-0.5欧姆(测试条件:直线距离15mm测试)，贮存性在室温10-25摄氏度下，小于等于60天，贮存性在冷藏2_10摄氏度下，小于等于180天。
[0042]实施例9
[0043]结构同实施例4，不同在于，第一屏蔽层2为磁控派射镀层，第一屏蔽层2实质由镲靶通过磁控溅射的方式电镀构成，第一屏蔽层2厚度分别为0.5微米；第二屏蔽层实质由铜靶通过磁控溅射的方式电镀构成，第二屏蔽层厚度分别为0.8微米。测试结果同实施例2。
[0044]实施例10
[0045]结构同实施例9，不同在于，第一屏蔽层2厚度分别为0.8微米；第二屏蔽层实质由铜靶通过磁控溅射的方式电镀构成，第二屏蔽层厚度分别为0.6微米。测试结果同实施例2。
[0046]实施例11
[0047]结构同实施例9，不同在于，第二屏蔽层厚度分别为0.3微米。测试结果同实施例2。
【权利要求】
1.一种纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于:包括载体层(1)、第一屏蔽层(2)和绝缘层(3)三层结构，所述的第一屏蔽层(2)为导电油墨层或磁控溅射镀层；所述载体层(1)、第一屏蔽层(2)和绝缘层(3)由下至上依次叠设，所述载体层(1)表面覆设第一屏蔽层(2)，所述第一屏蔽层(2)表面覆设绝缘层(3)。
2.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层(3)为固化的环氧树脂层。
3.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，所述的载体层(1)为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜。
4.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，所述的导电油墨层，实质由导电粉末表面涂覆油墨构成；所述的导电粉末为银包铜、镍或银金属粉末中的一种。
5.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，所述的磁控溅射镀层，实质由金属靶电镀构成；所述的金属靶为银靶、镍靶或铜靶中的一种。
6.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，还包括第二屏蔽层(5)，所述第二屏蔽层(5)覆设在载体层(1)下表面。
7.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，还包括第一胶粘层(6)，所述第一胶粘层(6 )覆设在载体层(1)下表面。
8.根据权利要求7所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，还包括第二胶粘层(7)，所述第二胶粘层(7 )贴附在绝缘层(3 )上表面；所述第一胶粘层(6 )和第二胶粘层(7 )为透明的压敏胶层或导电胶层，厚度为5-50微米。
9.根据权利要求1所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，还包括保护膜(4)，所述保护膜(4)贴附在绝缘层(3)表面。
10.根据权利要求9所述纳米级金属电磁屏蔽膜，其特征在于，所述的保护膜(4)为乳白聚对苯二甲酸乙二醇酯离型膜，厚度为20-65微米，所述载体层(1)的厚度为42-46微米，绝缘层(3)厚度8-12微米，屏蔽层为导电油墨层，第一屏蔽层(2)和第二屏蔽层(5)厚度分别为20-26微米；或屏蔽层为磁控溅射镀层，第一屏蔽层(2)和第二屏蔽层(5)厚度分别为.0.3-0.8 微米。
【文档编号】H05K9/00GK204206720SQ201420666612
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月10日 优先权日:2014年11月10日
【发明者】方瑜渊 申请人:江苏元京电子科技有限公司