专利名称：铕掺杂铝硅酸钙发光材料、制备方法及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料、其制备方法、铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
背景技木薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、エ序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。在LED荧光粉的研究中，稀土掺杂的铝硅酸盐荧光粉，其激发光谱能够较好地匹配现有的近紫外LED的发射光谱能够得到良好的绿光到蓝光的激发。但是，可应用于薄膜电致发光显不器的铕掺杂招娃酸I丐发光材料，仍未见报道。
发明内容基于此，有必要提供ー种可应用于薄膜电致发光器件的铕掺杂铝硅酸钙发光材料、其制备方法、铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜、其制备方法及使用该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的薄膜电致发光器件。一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料，其化学式为CaAl2Si2O8: xEu3+，其中
O.0005 ^ X ^ O. 09。在优选的实施例中，X为O. 0045。—种铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤一、根据CaAl2Si2O8IxEu3+各元素的化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀，其中
0.0005 ^ X ^ O. 09 ;步骤ニ、将混合均匀的粉体在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时小时即可得到所述铕掺杂铝硅酸钙发光材料。在优选的实施例中，X为O. 0045。在优选的实施例中，步骤ニ中将混合均匀的粉体在1250°C下烧结3小时。—种铕掺杂招娃酸I丐发光薄膜，该铕掺杂招娃酸I丐发光薄膜的材料的化学通式为CaAl2Si2O8:xEu3+，其中 CaAl2Si2O8 是基质，Eu 元素是激活元素，O. 0005 彡 x 彡 O. 09。在优选的实施例中，X为O. 0045。一种铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的制备方法，包括以下步骤步骤一、根据CaAl2Si2O8: xEu3+各元素化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时制成靶材，其中O. 0005 ^ x ^ O. 09 ;步骤ニ、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为
1.OX KT3Pa I. OX KT5Pa ;步骤三、调整磁控溅射镀膜エ艺參数为基靶间距为45mm 95mm，磁控溅射工作压强O. 2Pa 4Pa，氩气工作气体的流量为IOsccm 35sccm，衬底温度为250°C 750°C ;接着进行制膜，得到薄膜样品；步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500°C 800°C下真空退火处理Ih 3h，得到所述铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜。
在优选的实施例中，步骤一中X为O. 0045 ;步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，氩气工作气体的流量为25SCCm，衬底温度为500°C ;步骤四中，薄膜样品于600°C下真空退火处理2h。ー种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铕掺杂铝硅酸钙发光材料，该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的化学式为CaAl2Si2O8: xEu3+，其中O. 0005彡x彡O. 09。上述铕掺杂铝硅酸钙发光材料(CaAl2Si2O8 = XEu3+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在590nm和620nm波长区都有很强的发光峰，能够得到良好的绿光到蓝光的激发。
图I为ー实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例I制备的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例I制备的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的XRD图
具体实施方式下面结合附图和具体实施例含蒽醌单元的共轭聚合物及其制备方法和应用进一步阐明。—实施方式的铕掺杂招娃酸I丐发光材料，其化学式为CaAl2Si2O8:xEu3+,其中
O.0005 彡 X 彡 O. 09，优选的，X 为 O. 0045。该铕掺杂招娃酸I丐发光材料中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素,能够得到良好的绿光到蓝光的激发，是电致发光器件的发展材料。上述铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤SI I、根据CaAl2Si2O8 = XEu3+各元素化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体，其中 O. 0005 ^ X ^ O. 09。该步骤中，优选的，X为O. 0045。可以理解，该步骤中也可称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀，其中CaO的质量百分含量为20% 30% ,Al2O3的质量百分含量为28% 43% ,Eu2O3的质量百分含量为O. 01 2%，余量为Si02。优选的，CaO的质量百分含量为24%，Al2O3的质量百分含量为32%，Eu2O3的质量百分含量为O. 5%。步骤S12、将混合均的粉体在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时小时即可得
到目标产物。该步骤中，优选的在1250°C下烧结3小时。ー实施方式的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜，该铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的材料的化学通式为CaAl2Si2O8 :xEu3+,其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素，
O.0005 ^ X ^ O. 09。优选的，X为 O. 0045。上述铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的制备方法，包括以下步骤步骤S21、根据CaAl2Si2O8 = XEu3+各元素化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀在900°C 1300°C下烧结N小时制成靶材，其中O. 0005 ^ x ^ O. 09。该步骤中，优选的，X为O. 0045。可以理解，该步骤中也可称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀，其中CaO的质量百分含量为20% 30% ,Al2O3的质量百分含量为28% 43% ,Eu2O3的质量百分含量为O. 01 2%，余量为Si02。优选的，CaO的质量百分含量为24%，Al2O3的质量百分含量为32%，Eu2O3的质量百分含量为O. 5%。步骤S22、将步骤S21中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa。该步骤中，优选的，真空度为5X10_4Pa。 步骤S23、调整磁控溅射镀膜エ艺參数为基靶间距为45mm 95mm，磁控溅射工作压强O. 2Pa 4Pa，氩气工作气体的流量为IOsccm 35sccm，衬底温度为250°C 750°C ；接着进行制膜，得到薄膜样品。该步骤中，优选的基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，氩气工作气体的流量为25sccm,衬底温度为500°C。步骤S24、将步骤S23中得到的薄膜样品于500°C 800°C下真空退火处理Ih 3h,得到化学通式为CaAl2Si2O8:xEu3+,其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素，
O.0005 ^ X ^ O. 09。该步骤中，优选的，薄膜样品在600°C下真空退火处理2h。请參阅图1，ー实施方式的薄膜电致发光器100，该薄膜电致发光器件100包括依次层叠的衬底I、阳极层2、发光层3以及阴极层4，所述发光层3的材料为铕掺杂铝硅酸钙发光材料，该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的化学式为CaAl2Si2O8: xEu3+，O. 0005 ^ x ^ O. 09。本发明采用磁控溅射设备，利用铕掺杂铝硅酸钙发光材料制备铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜(CaAl2Si2O8: xEu3+)，得到薄膜的电致发光谱(EL)中，在590nm和620nm位置有很强的发光峰，能够得到良好的绿光到蓝光的激发。下面为具体实施例。实施例I选用纯度为99. 99 %的粉体，将质量百分含量为24%的CaO，质量百分含量为32 %的Al2O3，质量百分含量为O. 5% Eu2O3和质量百分含量为43. 5%的SiO2，经过均匀混合后，在1250°C下烧结3小时成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水こ醇和去离子水超声清洗带氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX 10_4Pa，氩气的工作气体流量为25SCCm，压强调节为2. OPa，衬底温度为500°C。得到的样品在O. OlPa真空炉中退火2h，退火温度为600°C。然后在发光薄膜上面蒸镀ー层Ag，作为阴扱。本实施例中得到的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的化学通式为CaAl2Si2O8IO. 0045EU3+，其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素。请參阅图2，图2所示为得到的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的电致发光谱(EL)。由图2可以看出，电致发光谱中，在590nm和620nm波长区都有很强的发光峰，能够得到良好的绿光到蓝光的激发。
请參阅图3，图3中曲线I为实施例I制备的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的XRD曲线，曲线2为900°C时烧结(其他条件与实施例I相同)的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的XRD曲线。从图3中可以看出实施例I中制备的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜中绝大部分为铝硅酸钙的结晶相，而900°C时烧结的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜中含有大量的ニ氧化硅相。
实施例2选用纯度为99. 99 %的粉体，将质量百分含量为20 %的CaO，质量百分含量为43 %的Al2O3，质量百分含量为O. 01%的Eu2O3和质量百分含量为36. 99%的SiO2，经过均匀混合后,在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的陶瓷祀材,并将祀材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水こ醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到I. 0X10_3Pa，氩气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为O. 2Pa，衬底温度为250°C。得到的样品在O. OlPa真空炉中退火lh，退火温度为500°C。然后在发光薄膜上面蒸镀ー层Ag,作为阴极。本实施例中得到的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的化学通式为CaAl2Si2O8IO. 0005EU3+，其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素。实施例3选用纯度为99. 99 %的粉体，将质量百分含量为30 %的CaO，质量百分含量为28 %的Al2O3，质量百分含量为2%的Eu2O3和质量百分含量为40%的SiO2，经过均匀混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后,先后用丙酮、无水こ醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到
I.0X10_5Pa，氩气的工作气体流量为35sccm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C。得到的样品在O. OlPa真空炉中退火3h，退火温度为800°C。然后在发光薄膜上面蒸镀ー层Ag，作为阴扱。本实施例中得到的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的化学通式为CaAl2Si2O8 = O. 09Eu3+，其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料，其特征在于其化学式为CaAl2Si2O8:XEu3+，其中O.0005 ^ X ^ O. 09。
2.根据权利要求I所述的铕掺杂铝硅酸钙发光材料，其特征在于，X为O.0045。
3.一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一、根据CaAl2Si2O8 = XEu3+各元素的化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀，其中O. 0005 ^ X ^ O. 09 ； 步骤ニ、将混合均匀的粉体在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时即得到所述铕掺杂招娃酸韩发光材料。
4.根据权利要求3所述的铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法，其特征在干，X为O.0045。
5.根据权利要求3所述的铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法，其特征在干，步骤ニ中将混合均匀的粉体在1250°C下烧结3小时。
6.一种铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜，其特征在干，该铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的材料的化学通式为CaAl2Si2O8:xEu3+,其中CaAl2Si2O8是基质，Eu元素是激活元素，O.0005 ^ X ^ O. 09。
7.根据权利要求6所述的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜，其特征在干，X为O.0045。
8.一种铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤步骤一、根据CaAl2Si2O8 = XEu3+各元素化学计量比称取CaO，Al2O3, SiO2和Eu2O3粉体并混合均匀在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时制成靶材，其中O. 0005 ^ x ^ O. 09 ； 步骤ニ、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为I. OX KT3Pa I. OX KT5Pa ； 步骤三、调整磁控溅射镀膜エ艺參数为基靶间距为45mm 95mm，磁控溅射工作压强O.2Pa 4Pa，氩气工作气体的流量为IOsccm 35sccm，衬底温度为250°C 750°C ;接着进行制膜，得到薄膜样品； 步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500°C 800°C下真空退火处理Ih 3h，得到所述铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜。
9.根据权利要求8所述的铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的制备方法，其特征在干，步骤ー中X为O. 0045 ;步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，氩气工作气体的流量为25sCCm，衬底温度为500°C ;步骤四中，薄膜样品于600°C下真空退火处理2h。
10.ー种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铕掺杂铝硅酸钙发光材料，该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的化学式为CaAl2Si2O8: xEu3+，其中O. 0005 ^ x ^ O. 09。
全文摘要
一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料，其化学式为CaAl2Si2O8:xEu3+，其中0.0005≤x≤0.09。该铕掺杂铝硅酸钙发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在590nm和620nm波长区都有很强的发光峰，能够得到良好的绿光到蓝光的激发。本发明还提供该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
文档编号H05B33/20GK102863954SQ20111019152
公开日2013年1月9日 申请日期2011年7月8日 优先权日2011年7月8日
发明者周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司